射频与保护器件应用指南-移动通信

射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2012年修订
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
1
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射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2011年11月1日修订
英飞凌科技股份公司发行
德国慕尼黑，邮编：81726
©英飞凌科技股份公司版权所有， 2011年，保留所有权力
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凌的明确书面同意。生命支持设备或系统意指用于植入人体内部，或者支持和/或维持、维系和
/或保护人类生命的设备或系统。如果这些设备或系统失效，可以合理地假设其用户或其他人的
健康将受到威胁。
2
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
英飞凌科技
业内领先的射频与保护器件供应商
英飞凌科技专注于现代社会的三大科技挑战领域：高能效、移动性和安全性，为工业/消费类电
子产品、汽车电子产品、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。
英飞凌的产品凭借在模拟和混合信号、射频和功率以及嵌入式控制等方面的可靠性、卓越品质
以及尖端的创新技术，在竞争中脱颖而出。
凭借技术和设计专长，英飞凌不容置疑地成为其重点细分市场的行业领袖。英飞凌在适合众多
应用的射频产品开发方面拥有30多年的丰富经验，并依靠产品的出色性能和经济高效性始终称
雄业界。您可登录我们的网站www.infineon.com，了解英飞凌科技丰富的产品组合的更多信息。
近年来，英飞凌射频与保护器件（RPD）业务部，已从晶体管和二极管等分立式标准射频组件供
应商，发展成为更加先进的世界一流的创新差异化产品的供应商，其中包括面向专用MMIC、硅
麦克风和ESD防护组件。请登录我们的网站：www.infineon.com/rfandprotectiondevices，了
解英飞凌针对您的各种应用推出的最新射频与保护产品的更多信息。
包含四个手册的英飞凌应用指南，是一种主要面向工程师的用户友好型工具，指导工程师高效
选择自己理想的系统器件。本应用指南经常更新，以包含最新的应用和行业动态。每个手册分
别聚焦于我们所服务的一个细分市场：
1. 移动通信应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_mobile；
2. 消费类产品应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_consumer；
3. 工业应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_industrial；
4. 保护装置应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_protection。
我们遍布全球的应用专家，随时可利用我们的器件为您提供系统设计支持。请联系英飞凌的地
区办事处或您所在地区的英飞凌全球分销合作伙伴，获得您所需的各种支持。
此致
Heinrich Heiss博士
Chih-I Lin博士
射频与保护器件业务
部技术营销与应用工
程总监
射频与保护器件业务
部射频技术营销与应
用工程负责人
3
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
目录
英飞凌科技 ...................................................................... 3
1 英飞凌移动通信射频与保护器件 ................................................... 6
2 3G/3.5G/4G 多频/多模调制解调器的前端 ............................................ 7
2.1 3G/3.5G/4G 调制解调器的多频低噪放大器 ......................................... 8
2.2 手机的主分集天线开关 ........................................................ 10
2.3 通用开关和天线调谐.......................................................... 14
2.4 利用肖特基二极管检测功率 .................................................... 17
3 全球卫星导航系统 ............................................................. 18
3.1 配备分立式射频器件的全球卫星导航系统（GNSS） ................................. 20
3.2 配备集成前端模块的全球卫星导航系统（GNSS） ................................... 22
4 WI-FI 无线局域网（WLAN、IEEE802.11A/B/G/N）和 WIMAX （IEEE802.16E） ............. 24
4.1 2.4 GHz WI-FI 无线局域网（WLAN、IEEE802.11B/G/N）和 WIMAX （IEEE802.16E）前端 .. 25
4.2 5 GHz 至 6 GHz WI-FI 无线局域网（WLAN、IEEE802.11A/N）和 WIMAX （IEEE802.16E）前端
.............................................................................. 27
4.3 3.5 GHz WIMAX （IEEE802.16E）前端 ........................................... 29
4.4 双频段（2.4 GHz – 6.0 GHz） WIFI 无线局域网（WLAN、IEEE802.11A/B/G/N）前端 .... 31
5 调频收音机与手机电视.......................................................... 33
5.1 配备嵌入式天线的调频收音机 .................................................. 34
5.2 手机的电视接收装置 .......................................................... 36
5.3 配备选频开关的电视接收装置 .................................................. 38
6 近场通信（NFC） .............................................................. 40
4
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
7 ESD 和 ESD/EMI 干扰保护 ........................................................ 41
7.1 利用分立式 ESD TVS 二极管保护接口 ............................................ 42
7.2 利用集成式 ESD/EMI 器件保护接口 .............................................. 43
7.3 USB 充电器反极性保护（RPP） ................................................. 44
8
SIM 卡多路复用和水平转换 ..................................................... 45
9 高速数字接口转换 ............................................................. 47
缩写 ........................................................................... 49
按字母顺序的符号列表 ........................................................... 51
封装信息 ....................................................................... 52
辅助资料 ....................................................................... 53
5
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
1 英飞凌移动通信射频与保护器件
如今，就销量和单一平台上拥有数量最多的应用而言，最大的市场是手机。目前，全世界的手
机出货量达到15亿多部，众多全球性厂商展开了激烈的竞争，旨在赢得大部分市场份额。重要
的手机无线应用主要包括无线通信、无线局域网、全球定位系统、调频收音机和手机电视等。
由于在一个平台上集成了越来越多的应用，因此射频组件的发展趋势是：

更小的IC

更高的集成度

更多的频段和模式

多器件集成和全新的连接功能
英飞凌可提供最重要的射频前端系统组件。我们的产品组合囊括射频晶体管、射频MMIC、射频
CMOS开关、射频二极管，以及具备最优性能和超低功耗的ESD/EMI器件，可满足这些高性能射频
器件的要求。
由于多种无线功能并存，因此功能交叉干扰变得更加复杂。得益于我们广泛的应用知识、对市
场趋势的了解和行业联系，我们所有产品的设计都符合其各自应用的要求，符合行业标准规范。
这有助于降低系统设计难度，同时使其更加轻松地选择理想的器件。
所有应用都用一个简化的原理图描述，显示多个组件，每个组件后面都有一个简短的说明。英
飞凌针对每个应用推荐的部件以表格的形式列出，同时介绍最重要的性能参数。包括数据表、
应用笔记、改进的全新Spice模型和S参数文件、产品和应用手册以及样品套件等在内的每种产
品详细信息，可通过登录英飞凌网站（www.infineon.com/rfandprotectiondevices），点击相
应产品名称找到。
6
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2 3G/3.5G/4G 多频/多模调制解调器的前端
下面的框图为2G/2.5G和3G/3.5G/4G调制解调器（GSM/EDGE/UMTS/LTE/TDS-CDMA/TDS-LTE）的现
代手机前端的整个原理图。这个前端由一个宽带天线、一个选带天线开关、3G/4G双工器、高/
低频段功率放大器、3G/3.5G/4G低噪放大器（LNA）和各种表面声波（SAW）滤波器构成。
英飞凌科技拥有丰富产品系列，是业界首屈一指的供应商之一。公司通过采用工业标准硅工艺，
可为各种移动应用和无线应用提供高性能射频前端组件。英飞凌面向手机前端，成功推出各种
射频CMOS主天线开关、分集天线开关以及MMIC硅锗低噪放大器和肖特基二极管功率检测器。
英飞凌的射频CMOS开关是业界首个完全基于工业标准CMOS工艺的开关，具备低插入损耗、高隔
离度和低谐波生成量等特性，便于实现批量生产。它们被广泛应用于频段选择/开关或天线的分
集开关。如果需要大幅降低手机的IMD生成量，可将PIN二极管用作开关。
我们具备出色低噪声系数的硅锗MMIC低噪放大器，只具备几分贝的噪声，可提升射频调制解调
器的灵敏度，并可通过抑制来自信号线的损耗、SAW滤波器和接收器的噪声，确保实现系统灵活
布局。
低势垒肖特基功率检测二极管安装在功率放大器的后面，用于实现精确输出功率控制。它有助
于收发器IC监控手机天线与环境不匹配的信息，然后相应地调整信号功率。
7
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.1 3G/3.5G/4G 调制解调器的多频低噪放大器
良好的系统灵敏度可提升终端客户的使用体验。改进系统灵敏度的简单办法是在接收路径中添
加一个低噪放大器。低噪放大器可抑制模拟射频前端、收发器和线路损耗所产生的噪声，因此
可轻松使系统灵敏度提升几个分贝。
英飞凌针对2G/3G/3.5G/4G应用（例如GSM/EDGE、CDMA、UMTS/WCDMA/TDS-CDMA、
HSDPA/HSUPA/HSPA、LTE/TDS-LTE）推出了一系列MMIC低噪放大器产品。我们的MMIC低噪放大器
产品组合涵盖700MHz至2800MHz频率范围内的所有常用频段或频段组合（单频段、双频段、三频
段、四频段低噪放大器）。这些MMIC低噪放大器具备以下突出特性：
-
具备2个或3个数字转换增益级别的低噪放大器电路，为取得良好的噪声性能，或在高干扰
环境下实现正常运行创造了条件；
-
输入和输出匹配或预匹配；
-
内置的温度和电源电压稳定功能，以及全面的ESD防护电路设计确保系统稳定运行。
如欲了解更多详细信息或可选产品，请登录我们的网站：www.infineon.com/ltelna。
四频段MMIC低噪放大器
Product
1)
BGA748N16
1)
BGA749N16
Freq. Range
Gain
IP-1dB2)
[dBm]
IIP32)
[dBm]
Current
[dB]
NF2)
[dB]
Supply
[MHz]
2)
[V]
[mA]
2)
700-1000
700-1000
1450−2000
2100−2700
16.6/-8.0
1.1/8.0
-8/+2
-7/+15
2.8
4.0/0.75
TSNP-16-1
700-1000
700-1000
1450−2000
2100−2700
16.6/-7.9
1.1/7.9
-8/+2
-7/+14
2.8
4.0/0.76
TSNP-16-1
注：1) 具备两个增益模式的低噪放大器（高增益/低增益）；2) 在高增益（HG）/低增益（LG）模式下的值； 3) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，
查询备选器件。
8
Package
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
三频段3G/4G MMIC低噪放大器
Product
1)
BGA735N16
1)
BGA734L16
2)
BGA736L16
Freq. Range
Gain
IP-1dB3)
[dBm]
IIP33)
[dBm]
Current
[dB]
NF3)
[dB]
Supply
[MHz]
3)
[V]
[mA]
3)
700-1000
1450−2000
2100−2700
16.5/-7.8
1.1/7.8
-6/-10
-11/-1
2.8
3.7/0.65
TSNP-16-1
700-1000
1450−2000
2100−2700
15.1/-7.3
1.2/7.1
-12/-4
-6/+6
2.8
3.5/0.65
TSLP-16-1
700-1000
1450−2000
2100−2700
16/2.7/-8.
2
1.0/2.5/8.
2
-12/-7
-5/+2
2.8
5.2/5.2/0.
8
TSLP-16-1
Package
注：1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器；2) 具备三个增益模式（高增益/中等增益/低增益）的低噪放大器；
3) 在高增益（HG）/ [中等增益（MG）] /低增益模式（LG）模式下的值；4) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，查询备选器件。
双频段MMIC低噪放大器
Product
BGA771L1
1)
IP-1dB2)
[dBm]
IIP32)
[dBm]
Supply
Current
[dB]
NF2)
[dB]
[V]
[mA]
16.0/-7.9
1.1/7.9
-7/-10
-6/+3
2.8
3.4/0.65
Freq. Range
Gain
[MHz]
700-1000
1450-2200
2)
2)
Package
TSLP-16-1
注1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器；2) 在高增益（HG）/低增益（LG）模式下的值；3) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，
查询备选器件。
单频段MMIC低噪放大器
Product
Freq. Range
Gain
IP-1dB2)
[dBm]
IIP32)
[dBm]
Current
[dB]
NF2)
[dB]
Supply
[MHz]
2)
[V]
[mA]
2)
Package
BGA713L7
1)
700-800
15.5/-9.2
1.1/9.2
-7/-12
-8/-2
2.8
4.8/0.5
TSLP-7-1
BGA751L7
1)
800−1000
15.8/-7.7
1.0/7.9
-5/-8
-7/+1
2.8
3.3/0.5
TSLP-7-1
BGA711L7
1)
1450−2200
17.0/-8.4
1.1/8.4
-8/-2
-2/+7
2.8
3.6/0.5
TSLP-7-1
BGA777L7
1)
2300−2700
16.0/-7.1
1.2/6.9
-10/-2
-2/+7
2.8
4.2/0.5
TSLP-7-1
注：1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器 ；2) 在高增益（HG）/ 低增益（LG）
模式下的值；3) 请登录我们的网站 www.infineon.com/ltelna，了解可选产品。
9
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.2 手机的主分集天线开关
2.2.1 带射频CMOS 开关的多模调制解调器天线开关(GSM/EDGE/UMTS/LTE/TDS-CDMA/TDS-LTE)
英飞凌推出多种专用于主要芯片厂商和其他客户的参考设计的射频开关。这些开关可满足具备
不同控制信号接口（例如GPIO、MIPI RFFE或SPI）、电源电压和不同端口数量及功能的解决方
案的要求。请注意，一些解决方案需要签署保密协议（NDA）。
最新的手机BGSF18D主天线SP8T开关，采用工业标准CMOS工艺制造。通过技术优化，BGSF18D可
以极低的谐波分量，达到砷化镓性能。因此，它成为了手机多模调制解调器天线开关的理想之
选。BGSF18D具备一个SPI接口，有助于降低控制的复杂度。此外，GMS发射滤波电路嵌入在封装
内，确保在最大GSM发射功率下实现稳定运行。
请登录我们的网站www.infineon.com/rfswitches，了解有关手机应用天线开关的更多详情，或
联系当地的英飞凌代表。
射频CMOS开关
注：1) 数控电压；2) IL =在1.0/ 2.0 GHz下的插入损耗； 3) 在1.0/ 2.0 GHz下的隔离；4) 0.1dB
压缩点；5) 最大输入功率；6) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfswitches，查
询备选器件。
10
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.2.2 搭载射频CMOS 开关的分集天线开关
如欲了解其他接收分集天线开关，请联系当地的英飞凌代表。英飞凌与芯片厂商和客户密切合
作，推出满足各种射频解决方案和应用要求的开关。
射频CMOS开关
Product
Application
Note
Supply
[V]
Vctrl1)
[V]
BGSF18D
IL2)
[dB]
Isola3)
tion
[dB]
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
on request
注：1) 数控电压；2) IL =在1.0/ 2.0 GHz下的插入损耗； 3) 在1.0/ 2.0 GHz下的隔离；4) 0.1dB 压缩点；5) 最大输入功率；6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches，查询备选器件。
11
Package
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.2.3 在单端配置中利用射频CMOS 开关实现频段选择
全球各地手机支持的LTE频段数量正在迅速增加。让手机支持多个频段的一种简单方式，是在现
有的收发器/分集IC中增加一个射频CMOS开关，从而实现选频功能。下面的两个例子为在单端配
置中利用一个SPDT开关实现选频，而下一页显示的是在差分配置中与一个DPDT开关更加复杂的
结合。
射频CMOS开关
Product
Application
Note
BGS12A
BGS12AL7-4
BGS12AL7-6
AN175
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
2.4„2.8
1.4„2.8
2.4„2.8
1.4„2.8
Supply
Isola3)
tion
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
[dB]
注：1) 数控电压；2) IL = 在1.0/ 2.0 GHz下的插入损耗；3)在1.0/ 2.0 GHz下的隔离；
4) 0.1dB压缩点；5) 最大输入功率；6) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfswitches ，查询备选器件。
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射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.2.4 在差分配置中利用射频CMOS 开关实现频段选择
射频CMOS DPDT开关
Product
BGS22W
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
2.85„4.7
1.5„Vdd
0.26/0.33
Application
Note
Supply
on request
Isola3)
tion
[dB]
> 26 / > 20
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
> 30
4.5
TSNP-14
注：1) 数控电压；2) IL =在1.0/ 2.0 GHz下的插入损耗；3) 在1.0/ 2.0 GHz下的隔离；4) 0.1dB 压缩点；5) 最大输入功率；6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches，查询备选器件。
13
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.3 通用开关和天线调谐
2.3.1 配备PIN二极管的天线开关和利用肖特基二极管实现功率检测
射频PIN二极管开关
Application
Note
1)
Product
BAR90-02LS
BAR90-098LRH
D
BAR90-081LS
Q
TR1054
BAR90-02LRH
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-4-7
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-8-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-2-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 100 MHz下；3) 在1 MHz下；
4)正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间;
5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
用于功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
14
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.3.2 采用PIN二极管的超低谐波生成量频段开关
射频PIN二极管开关
Application
Note
1)
Product
BAR90-02LS
BAR90-098LRH
D
BAR90-081LS
Q
BAR90-02LRH
TR1054
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-4-7
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-8-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-2-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2)在100 MHz条件下；3) 在1 MHz条件下； 4)正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时
间;
5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
15
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.3.3 采用PIN二极管的可调谐天线
射频PIN二极管开关
1)
Product
BAR90-02LS
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
TR1054
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
BAR90-098LRH
D
on request
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-4-7
BAR90-081LS
Q
on request
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-8-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2)在100 MHz条件下；3) 在1 MHz条件下； 4)正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时
间;
5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
16
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
2.4 利用肖特基二极管检测功率
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2) 在1 MHz条件下； 3) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
3 全球卫星导航系统
全球卫星导航系统或GNSS，是半导体行业增长最快的业务领域之一。如今，已投入使用的GNSS
的数量，已远远超出十多年前推出的众所周知的民用GPS。现在世界各国出于战略原因考虑，都
在建造自己的卫星导航系统，同时也是为了提升用户体验。迄今有两个GNSS系统在运行：美国
的GPS和俄罗斯的GLONASS。欧盟开发的伽利略定位系统预计将于2014年投入运行，中国的
COMPASS预计也将紧随其后投入使用。
就民用角度而言，GNSS添加的其他多个系统带来了多种优势：增强的卫星信号接收、更大的覆
盖范围、更高的精确度和具备搜索与救援（SAR）等其他功能的设备。2008年以来，最重要的细
分市场是个人导航设备和具备GPS/GLONASS功能的手机。所谓的射频前端的架构和性能，是满足
GPS/GLONASS系统的严格要求的关键因素，因为它构成了GNSS天线与集成的GNSS芯片之间的完整
结构。受政府相关规定的推动，不断增长的GNSS手机市场面临的主要挑战是，实现很高的灵敏
度和无线信号抗扰功能，例如在美国和日本，政府就出于安全和突发事件考虑，出台了这样的
规定。这意味着手机可在存在高功率无线信号的区域，以不足-160 dBm的极低功率水平接收
GPS/GLONASS信号。此外，出色的ESD鲁棒特性和确保较长电池续航时间的低功耗，也是便携式
设备和手机的必备特性。
英飞凌科技是GPS低噪放大器和其他GNSS低噪放大器市场的领导者。英飞凌与其他公司密切合
作，开发出PND和手机市场的各种导航应用参考设计。英飞凌科技为客户提供完整的产品组合，
使其能够设计出用于GNSS的灵活高性能射频前端解决方案：
-
低噪放大器（LNA）：包含广泛的产品，例如高性能MMIC和经济高效的高端射频晶体管。
-
前端模块（FEM）：英飞凌推出在一个小型封装内集成低噪放大器和带通滤波器的全球最小
的GPS/GLONASS FEM。该器件具备优化性能，能够让手机实现导航功能。
-
瞬压抑制（TVS）二极管：可靠地保护GNSS天线（高达20kV）
-
射频开关：确保有源天线的分集架构
18
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
英飞凌的GNSS LNA和FEM产品具备出色的特性，包括低噪声系数、高增益、高线性度、高ESD防
护水平和低电流消耗等，可满足客户的各种需求，使其能够迎合GNSS系统不断增多的要求。英
飞凌涵盖当前及未来所有GNSS系统的最新GNSS LNA产品，包括具备极低噪声系数和改善抗干扰
能力的高带外（OoB）IP3的BGA915N7以及支持主要手机平台嵌入式解决方案的BGA231L7。
BGA925L6作为全球最小的GNSS低噪放大器之一具备低噪声系数和高外带性能。BGA725L6作为最
小的GNSS低噪放大器之一，具备高增益和低噪声特性。
为满足各种手机GPS/GLONASS天线设计的要求，英飞凌推出采用以下两种拓扑的全新
GPS/GLONASS FEM产品：
-
SAW滤波器/LNA/SAW滤波器拓扑：它将整个GPS 前端最紧凑地集成至一个小封装，简化系统
的设计。-> BGM781N11
-
SAW滤波器/LNA拓扑：它为在不影响GPS/GLONASS 性能条件下，灵活安装GPS/GLONASS 天
线，完成系统设计创造了条件> BGM732L16、BGM1032N7、BGM1033N7和BGM1034N7
请登录我们的网站www.infineon.com/gps和www.infineon.com/nav.frontend，了解让手机和便
携式设备实现导航功能的产品的更多详情，或者联系当地的英飞凌代表。
19
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
3.1 配备分立式射频器件的全球卫星导航系统（GNSS）
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA725L6
on request
18.8
0.7
-15
-6
1.5„3.6
3.6
TSLP-6-2
15.8
0.65
-8
+1
1.5„3.6
4.4
TSLP-6-2
15.5
0.7
-5
+2
1.5„3.6
4.4
TSNP-7-6
BGA231L7
AN250
AN257
AN271
AN273
AN276
16.0
0.7
-5
0
1.5„3.6
4.4
BGA715L7
AN161
20.2
0.7
-15
-7
1.5„3.6
3.3
Package
AN265
AN266
BGA925L6
AN267
AN272
AN274
BGA915N7
AN251
AN253
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/gps，查询备选器件。
20
TSLP-7-1
TSNP-7-2
TSLP-7-1
TSNP-7-2
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
AN120
19.7
0.7
-17
0
1.8
9.6
BFP740ESD
BFP740FESD
SOT343
BFR740L3RH
BFP640ESD
Package
TSFP-4
TSLP-3-9
SOT343
AN194
16.5
0.7
-16
+1
2.1
7.5
BFP640F
AN128
15.2
0.8
-13
0
2.1
8.0
TSFP-4
BFP405
AN149
15.3
1.6
-23
-5
1.8
2.6
SOT343
Package
BFP640FESD
TSFP-4
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/gps，查询备选器件。
TVS ESD 二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
21
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
3.2 配备集成前端模块的全球卫星导航系统（GNSS）
射频MMIC FEM （直流和带内参数）
Product
BGM1032N7
BGM1033N7
BGM732N16
BGM1034N7
BGM781N11
Application
Note
AN263
AN264
AN261
AN262
5)
on request
AN268
AN269
AN184
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
SAW+LNA
14.8
1.65
-6
-6
1.5„3.6
4.0
SAW+LNA
14.8
1.65
-6
-6
1.5„3.6
4.0
SAW+LNA
18.3
1.7
-15
-6
1.5„3.6
3.3
SAW+LNA
17.0
1.7
-15
-10
1.5„3.6
3.9
SAW+LNA+S
AW
18.6
1.7
-15
-7
1.5„3.6
3.3
FEM Conf.
Gain
射频 MMIC FEM （带外参数）
注：1) 在900 MHz和1800 MHz下测量IP-1dB；2) 在1575 MHz 下测量IMD2（fin = 787.5 MHz 、 Pin
= +15 dBm; 3) 在f1 = 1713 MHz和f2 = 1851 MHz以及P1/P2 = +10 dBm下测量IIP3; 4) 在787.5
MHz 频点测量；该频点之外：53 dBc；5) BGM732N16 不再用于新设计。 请将 BGM1034N7用于
您的新设计；6) 请登录我们的网站www.infineon.com/nav.frontend，查询备选器件。
22
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准
（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登
录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
23
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
4 Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/b/g/n）和 WiMAX （IEEE802.16e）
Wi-Fi功能是笔记本、智能手机和平板电脑最重要的连接功能之一。符合IEEE802.11b/g/n标准
的2.4 GHz Wi-Fi多年来被广泛应用。由于2.4 GHz无线局域网噪声太大，符合IEEE802.11a的5 GHz
至6 GHz Wi-Fi应用日益受到关注。Wi-Fi不仅被用于实现高数据速率互联网接入，而且无线传
输高品质多媒体信号的家庭娱乐系统、家庭联网笔记本、海量数据存储器和打印机等多种应用
也将5 GHz至6 GHz Wi-Fi功能植入系统中，从而实现高速无线连接。
2.3 GHz至2.7 GHz、3.3 GHz至3.7 GHz和5.8 GHz的WiMAX（IEEE802.16e）在快速建造高数据速
率最后一公里无线通信系统——新兴市场或农村地区无3G网络可用——的某些领域起到了重要
作用。WiMAX设计用于高达70 Mb的高数据速率无线通信——适用于固定点到点（P2P）通信，也
适用于便携式设备连接或移动终端连接。
要想满足这些高数据速率的高速无线通信标准，关键是确保链路通道的品质。必须要满足的主
要设备性能标准包括：灵敏度、强大的信号功能和抗干扰性能。
英飞凌针对Wi-Fi和WiMAX两种应用推出一揽子产品，包括晶体管和MMIC低噪放大器、功率检测
器二极管和PIN二极管开关，等等。
此外，英飞凌还提供ESD防护二极管。ESD防护二极管ESD0P2RF系列和ESP0P1RF系列具备仅为0.2
pF或0.1 pF的电容值，可保护高达8 kV接触放电，符合IEC-61000-4-2标准要求。
24
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
4.1 2.4 GHz Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11b/g/n）和 WiMAX （IEEE802.16e）
前端
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA628L7
TR152
17.7
1.4
-18
-10
2.8
5.2
BGA622
AN069
12.6
1.3
-15
-4
2.8
5.4
BGA777L7
1)
TR1006
2)
16.5/-7
1.2/7
2)
2)
-6/0
-2/+6
2)
2.8
Package
TSLP-7-8
SOT343
2)
4.1/0.6
TSLP-7-1
注：1)具备两个增益模式的低噪放大器（高增益/低增益）；2) 在高增益（HG）/低增益（LG）模式下的值；3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
[dB]
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
BFP740ESD
AN217
17.6
0.78
-7
-4
3.3
13.1
SOT343
BFP740FESD
AN171
17.4
0.8
-13
-3
3.6
14.7
TSFP-4
BFP640ESD
AN218
16.5
0.83
-12
+9
3.0
7.3
SOT343
BFP640FESD
AN129
15.5
0.9
-11
0
3.0
6.3
TSFP-4
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
25
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
AN049
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
Package
TSLP-2-1
BAR63-02V
BAR63-03W
SC79
SOD323
BAR90-02LS
AN197
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在100 MHz下；3) 在1 MHz下；
4) 正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间；5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器
件。
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
.
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在1 MHz下；3)请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
26
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
4.2 5 GHz 至 6 GHz Wi-Fi 无 线 局 域 网 （ WLAN 、 IEEE802.11a/n ） 和 WiMAX
（IEEE802.16e）前端
图注：
ESD diode：ESD二极管; SPDT Switch：SPDT开关; power detector：功率检测器; WLAN/WiMAX
Transceiver IC：WLAN/WiMAX 收发器IC
射频MMIC低噪放大器
Product
BGA758L7
Application
Note
AN188
AN228
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
12.5
1.3
-3
+8
3.3
7.0
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Gain
Package
TSLP-7-8
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
[dB]
NF
[dB]
Package
SOT343
BFP840ESD
BFP840FESD
BFR840L3RH
on request
TSFP-4
TSLP-3-9
BFP740ESD
AN219
15.5
1.3
-6
+7
3.0
14.7
BFP740FESD
AN220
17.1
1.4
-9
+1
3.0
14.8
TSFP-4
BFR740L3RH
AN115
10.0
1.3
-5
+7
3.0
10.0
TSLP-3-9
BFP720ESD
TR162
15.2
0.9
-8
+5
3.0
10.3
SOT343
BFP720FESD
TR1063
18.6
1.6
-8
+2
3.0
12.2
TSFP-4
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
27
SOT343
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
射频PIN二极管开关
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在100 MHz下；3) 在1 MHz下；
4) 正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间；5) 请登录我们
的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在1 MHz下；3）请登录我们的网站
http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
TVS ESD二极管s
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
BAR90-02LS
on request
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1)
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
28
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
4.3 3.5 GHz WiMAX （IEEE802.16e）前端
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGB707L7ESD
TR171
14.3
1.3
-8
-5
2.8
5.4
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
TSLP-7-1
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
NF
[dB]
Gain
[dB]
Package
SOT343
BFP842ESD
BFP842FESD
BFR842L3RH
on request
TSFP-4
TSLP-3-9
BFP740ESD
SOT343
BFP740FESD
TR104
15.4
0.8
-10
+3
3.3
15.0
BFR740L3RH
TSFP-4
TSLP-3-9
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
射频PIN二极管开关
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
BAR63-02L
TR132
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
TSLP-2-1
BAR90-02LS
TR146
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在100 MHz下；3) 在1 MHz下；
4) 正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间；5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器
29
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
件。
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSSLP-2-1
BAT62-02L
TSLP-2-1
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
TSLP-4-4
BAT15-02LRH
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在1 MHz下；3）请登录我们的网站
http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
30
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
4.4 双频段（2.4 GHz – 6.0 GHz） WiFi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/b/g/n）
前端
双频段（2.4 GHz 和5.5 GHz）射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
1)
NF1)
[dB]
[dB]
IP-1dB1)
[dBm]
IIP31)
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
SOT343
BFP840ESD
BFP840FESD
BFR840L3RH
on request
BFP842ESD
BFP842FESD
BFR842L3RH
on request
TSFP-4
TSLP-3-9
SOT343
TSFP-4
TSLP-3-9
BFP740ESD
BFP740FESD
BFR740L3RH
BFP720ESD
BFP720FESD
AN187
17.5/13.5
1.3/1.3
-16/-8
-8/+4
2.8
12.0
AN115
15.7/10.0
1.1/1.3
-11/-5
0/+7
3.0
10.0
AN189
14.0/12.0
1.2/1.4
-15/-5
-9/+6
2.8
13.0
SOT343
TSFP-4
TSLP-3-9
SOT343
TSFP-4
注：1)在2.4 GHz / 5.5 GHz下的值；2) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
射频PIN二极管开关
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
BAR90-02LS
TR146
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在100 MHz下；3) 在1 MHz下；
31
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
4) 正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间；5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器
件。
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在1 MHz下；3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/ schottkydiodes ，查询备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
32
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
5 调频收音机与手机电视
调频收音机自1933年诞生以来，走过了多个年头，拥有悠久的历史。如今，调频收音机几乎已
成为所有手机不可或缺的功能之一。在一般手机中，耳机线用作调频接收的天线。调频接收对
天线尺寸（约75厘米）的要求略松一点。
如今明显的市场趋势是，不用耳机线也能使用调频收音机。如果不使用耳机线，需将天线集成
至手机内。但在这种情况下，空间限制会给天线设计带来挑战。缩小天线尺寸会带来高系统损
耗，这将影响接收器性能，即接收灵敏度。市场上广泛采用的主要调频拓扑是：

仅调频接收（应用1）：只实现了调频收音机接收功能

调频发射和接收（应用2）：调频路径不仅用于调频收音机接收，还用于调频信号传输。它
可将手机音频码流传输至车载收音机和家庭hi-fi系统等其他调频收接系统。
英飞凌的移动调频应用低噪放大器（LNA）囊括MMIC BGB707L7ESD、MMIC BGB717L7ESD和 MMIC
BGB719L7ESD以及BFR340F等低成本晶体管。它们通过使调频天线和调频接收器实现更出色的阻
抗匹配，解决了手机短调频天线存在的问题，从而使系统的信噪比到达与耳机同样出色的水平。
BGB707L7ESD具备适应多种天线和接收器输入阻抗的灵活性。高度集成的BGB719L7ESD是紧凑型
解决方案，可使高欧姆天线达到最佳性能，并使接收器输入阻抗达到50欧姆。集成的主动偏压
功能为在温度和工艺发生变化的条件下实现稳定运行创造了条件。它适用于手机、PDA、便携式
调频收音机、MP3播放器等各种移动终端。
将来自英飞凌ESD0P2RF系列和ESD0P1RF系列的ESD防护二极管置于低噪放大器的前面，可提高系
统的ESD鲁棒性，使其能够承受射频输入高达8 kV的接触放电（IEC61000-4-2）。这种二极管的
寄生电容仅为0.2 pF或0.1 pF。
在应用1中，英飞凌SPDT开关BGS12系列可用于耳机和嵌入式天线的转换，或者在应用2中用于发
射调频功能和接收调频功能的转换。
请登录我们的网站www.infineon.com/fmradio，了解有关最新产品的更多信息以及面向调频收
音机的应用信息。
33
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
5.1 配备嵌入式天线的调频收音机
34
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
射频MMIC低噪放大器
Product
BGB719N7ESD
BGB707L7ESD
BGB717L7ESD
Application
Note
AN255
1)
2)
TR1062
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
13.4
1.0
-8
-12.7
3.0
2.8
14.5
1.7
-11
-16
3.0
2.8
Gain
AN177
1)
12.0
1.0
-5
-12
3.0
3.0
AN181
2)
15.0
1.3
-10
-6
2.8
4.2
AN176
1)
12.0
1.0
-5
-12
3.0
3.0
Package
TSNP-7-6
TSLP-7-1
TSLP-7-1
注：1) 用于高欧姆天线； 2) 用于50 欧姆天线；3) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BFR340F
AN200
15.5
1.4
-27
-16
1.8
2.9
AN203
14.9
1.1
-26
-17
1.8
3.0
AN204
17.1
1.2
-24
-16
2.6
4.2
AN202
13.5
1.0
-26
-16
1.8
3.0
SOT343
BFP460
BFP540ESD
Package
TSFP-4
SOT343
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
射频CMOS开关
Product
Application
Note
BGS12A
BGS12AL7-4
AN175
BGS12AL7-6
Vctrl1)
[V]
IL
[dB]
Isolation
[V]
[dB]
P-0.1dB2)
[dBm]
Pin,max3)
[dBm]
Package
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3
> 50
> 21
21
FWLP-6-1
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3
> 50
> 21
21
TSLP-7-4
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3
> 50
> 21
21
TSLP-7-6
Package
Supply
注：1) 数控电压；2) 0.1dB压缩点；3) 最大输入功率；4) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/rfswitches，查询备选器件。
TVS ESD 二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
35
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
5.2 手机的电视接收装置
如今的手机已发展成为一体机。它们不仅具备语音通信和无线数据传输功能，还包括各种娱乐
功能。手机电视是最吸引人的功能之一。手机可利用手机电视功能通过显示屏播放实时新闻和
娱乐节目，使用户不会错过自己喜爱的节目。
英飞凌的手机电视低噪放大器BGA728L7和BGB741L7经特殊设计，适用于具备50欧姆或75欧姆接
口的手机电视接收装置，同时我们的射频晶体管采用了经济高效的解决方案，可改进信噪比，
从而提升电视接收品质。这些低噪放大器与英飞凌ESD0P2RF和ESD0P1RF系列的ESD防护二极管结
合在一起，可改善系统的ESD性能，使天线输入端具备高达8 kV的接触放电保护功能
（IEC61000-4-2）。该低噪放大器的寄生电容仅为0.2 pF或0.1 pF。
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
NF
[dB]
Gain
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
2
BGA728L7
1)
AN163
15.8/-5.2
)
2)
2)
2)
2)
1.3/5.5
-10/+3
-7/+16
2.8
5.8/0.5
TSLP-7-1
BGB707L7ESD
AN232
13.0
1.5
-7
-11
3.0
2.9
TSLP-7-1
BGB741L7ESD
AN206
15.0
1.5
-8
-3
2.8
5.4
TSLP-7-1
注：1) 具备两个增益模式的低噪放大器 （高增益/低增益）；2) 在高增益（HG）和低增益（LG）模式下的值；3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BFP540ESD
AN142
14.2
1.5
-21
-13
5.0
3.3
SOT343
BFR380L3
AN221
10.5
2.2
-2
+7
3.3
16.8
TSLP-3-1
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
36
Package
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
37
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
5.3 配备选频开关的电视接收装置
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
NF
[dB]
Gain
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
2
BGA728L7
1)
AN163
15.8/-5.2
)
2)
2)
2)
2)
1.3/5.5
-10/+3
-7/+16
2.8
5.8/0.5
TSLP-7-1
BGB707L7ESD
AN232
13.0
1.5
-7
-11
3.0
2.9
TSLP-7-1
BGB741L7ESD
AN206
15.0
1.5
-8
-3
2.8
5.4
TSLP-7-1
注：1) 具备两个增益模式的低噪放大器 （高增益/低增益）；2) 在高增益（HG）和低增益（LG）模式下的值；3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BFP540ESD
AN142
14.2
1.5
-21
-13
5.0
3.3
SOT343
BFR380L3
AN221
10.5
2.2
-2
+7
3.3
16.8
TSLP-3-1
IL
[dB]
Isolation
[V]
Vctrl1)
[V]
[dB]
P-0.1dB2)
[dBm]
Pin,max3)
[dBm]
Package
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3
> 35
> 21
21
FWLP-6-1
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3
> 35
> 21
21
TSLP-7-4
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3
> 35
> 21
21
TSLP-7-6
Package
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
射频CMOS开关
Product
Application
Note
BGS12A
BGS12AL7-4
BGS12AL7-6
AN175
Supply
注：1) 数控电压；2) 0.1dB 压缩点；5) 最大输入功率；6) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfswitches，查询备选器件。
38
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
39
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
6 近场通信（NFC）
射频MMIC缓冲放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA616
TR1065
17.5
2.9
16.5
28
3.3
62
Package
SOT343
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查询备选器件。
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA420
TR1065
17.7
1.9
-20
-3
3.3
8.1
SOT343
Package
Package
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics，查询备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD18VU1B
6)
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
[kV]
IPP2)
[A]
VCL3)
[V]
IL4)
[dB]
CT5)
[pF]
on request
±18
±15
2
26
-
0.3
1)
40
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
7 ESD和ESD/EMI干扰保护
如今的电子设备速度更快、体积更小、智能化程度更高，可支持更新更好的应用，从而创造更
大的利润。各厂商竞相在更小的空间植入更多的高速功能，加速了设备的小型化步伐。不过，
半导体芯片尺寸的缩小和掺杂水平的提高，导致半导体芯片的薄栅极氧化层和pn结的宽度大幅
降低。与更多的电路结合在一起，这可提高半导体芯片的ESD敏感度。
电子设备会出现硬件故障、潜在的损坏或临时故障。硬件故障易于发现，通常需要更换故障设
备。最理想的情况是，在设备出厂之前检测出故障，客户永远不会收到存在硬件故障的产品。
导致设备出现暂时失灵的故障或潜在故障十分常见，但很难现场发现或追踪。临时故障可能不
会被报告，但会给客户带来不良印象，因为用户可能需要重置设备。因为ESD故障发生的产品更
换或维修召回，可能会使公司蒙受高于设备本身成本几倍的损失。
高效的系统设计通常包括一个屏蔽外壳，目的是最大程度降低ESD风险。不过，静电释放始终会
对器件的可靠性造成威胁，因为释放的静电能够轻易地绕过屏蔽外壳，进入IC/ASIC。接触外部
世界的连接器和天线可能会成为最终用户产生的静电的输入点。确保整个系统的稳定运行和最
大可靠性的唯一方式是，通过配备外置保护器件，提供足够的静电释放和瞬变保护。
英飞凌的价值主张
通过提供一流的保护器件（高于IEC61000-4-2 4级标准），改进整个系统的ESD抗扰度。

卓越的多静电电流吸收功能；

稳定安全的箝位电压甚至可保护最敏感的电子设备

完全符合高速信号质量要求的保护器件

推动节省电路板空间和减少部件数量的阵列解决方案

用于空间受限应用的单个易用器件

具备极低漏电流的分立式组件，有助于延长电池寿命

确保简单的PCB版图的封装
如欲了解我们TVS二极管产品组合及其应用的详情，请参考我们的应用指南——第四部分：保护
或我们的ESD防护手册www.infineon.com/tvs.brochure。您也可登录我们的网站
www.infineon.com/protection，了解保护器件。
41
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
7.1 利用分立式 ESD TVS 二极管保护接口
英飞凌面向各种手机应用推出多种高性能分立式TVS保护器件，目的是防止我们客户的手机受到
ESD干扰。下图扼要概述了英飞凌面向各种手机外部射频和数据接口推出的可用TVS保护器件。
如欲了解我们TVS二极管产品组合及其应用的详情，请参考我们的应用指南——第四部分：保护
或我们的ESD防护手册www.infineon.com/tvs.brochure。您也可登录我们的网站
www.infineon.com/protection，了解保护器件。
42
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
7.2 利用集成式 ESD/EMI 器件保护接口
随着越来越多的无线功能集成至手机，要确保手机功能正常，不但要具备ESD抗扰性，还要具备
出色的抗电磁干扰鲁棒性。
英飞凌针对各种手机应用推出多种高性能集成式保护器件——在一个小型封装内集成了ESD防
护功能和电磁干扰保护功能，使我们客户的手机在实际应用场所免受ESD和电磁干扰影响。
下图扼要概述了英飞凌面向各种手机外部接口推出的可用ESD/EMI保护器件。如欲了解详情，请
参考我们的应用指南——第四部分：保护，或者您也可登录我们的网站
www.infineon.com/protection，了解保护器件。
43
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
7.3 USB 充电器反极性保护（RPP）
用于RPP 的AF肖特基二极管
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS4002A-02LRH
on request
7
5
330
10
470
200
0.5
5
TSLP-2-17
BAS3005A-02LRH
on request
10
5
260
10
450
500
15
5
TSLP-2-17
BAS3010S-02LRH
on request
10
5
340
100
570
1000
30
10
TSLP-2-17
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频；2) 在1 MHz下；3) 请登录我们的网站 http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
44
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
8
SIM卡多路复用和水平转换
时下为了区分工作和私人用途，到不同国家旅行或在首先的不同服务提供商之间切换，使用多
个手机号码是常见的事。英飞凌的智能双SIM卡多路复用器LFH8800，为移动终端实现双卡双待
(DSDS)操作提供所需的关键组件。它包括一个多路复用器和两个独立的低压降稳压器。该多路
复用器可处理基带IC与两个SIM卡之间的数据传输，使两个SIM卡可同时探测网络。LDO可确保B
类SIM卡和C类SIM卡的并行操作和独立操作。
LFH8800配备了一个SIM卡掉电状态机——为实现全新独特的两个SIM卡加电/掉电控制功能创造
了条件。在手机通电时，它可防止SIM卡中的数据因SIM卡拔出而损坏，并提供独特的“热插拔”
用户体验。有了这种功能，具备外部SIM卡插槽的新型手机就可在手机操作过程中，轻松实现SIM
卡的更换。
不仅配备一个SIM卡基带（应用1）的手机系统可扩展至双卡双待（DSDS）系统，两个SIM卡基带
也可轻松扩展至可处理三个SIM卡（应用2）或四个SIM卡的系统。请登录我们的网站
www.infineon.com/dualsim，了解确保实现SIM卡多路复用的最新产品和应用的更多详细信息。
SIM卡多路复用IC
1)
Product
LFH8800
LDO Voltage
[V]
1.8 (Class B)
2.9 (Class C)
Interface
I²C
ESD
[kV]
10
Features
Package
 Level-shifter for SIM interface signals
 Programmable logic for detection of SIM cards /
battery presence
 SIM interface shutdown state-machine when battery
or SIM cards are removed
VQFN-20-10
注：1) 用于SIM卡的稳压器输出电压。稳压器具备低压降（LDO）特性，在10 mA输出电流条件下，压降仅为35 mV。
45
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
HiPAC ——集成式ESD/EMI保护器件
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
Line capacitance
of all lines to GND
1)
[kV]
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF106c
Sim Card
Interface
5.5
±15
16.5
4
WLP-8-11
BGF125
Sim Card
Interface
5.5
±15
10
4
WLP-8-10
BGF124
Sim Card
Interface
5
±15
10
4
WLP-11-4
Package
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
TVS ESD二极管
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±18
+28/-27@±16
+35/-35@±30
0.5/0.
6
-
-
4
1
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
-
-
5
1
+5.0
±30
10@16
14@±30
0.25
10
10.5
70
5
Product
Application
VRWM
[V]
ESD8V0R1B
General
purpose
+14/8
ESD5V3L1B
General
purpose
ESD5V0S5US
General
purpose
ESD
1)
[kV]
1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通
电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
46
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
SOT363
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
9 高速数字接口转换
随着手机外部接口数量的不断增加，空间限制问题日益严峻。要想减少接口数量，必须实现各
种功能端口的共享。下图为利用一个共用的Micro USB AB端口和一个DPDT开关实现通用串行总
线（USB）端口和移动高清连接（MHL）端口共享示例。
英飞凌推出各种集成式高速SPDT和DPDT CMOS开关解决方案以及用于手机高速数字接口转换的
快速PIN二极管。
更多详细信息请登录我们的网站：www.infineon.com/rfswitches或
www.infineon.com/pindiodes。您也可联系英飞凌的地区办事处或您所在地区的英飞凌全球经
销伙伴之一，获得您可能需要的直接设计支持。
高速CMOS开关
Product
Application
Note
BGS12A
BGS12AL7-4
AN175
BGS12AL7-6
BGS22W
on request
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
2.4„2.8
1.4„2.8
2.8„4.7
1.5„Vdd
Supply
Isola3)
tion
P-0.1dB4)
[dBm]
BW5)
[GHz]
Package
34/27
> 21
-
FWLP-6-1
32/25
> 21
-
TSLP-7-4
0.4/0.5
32/25
> 21
-
TSLP-7-6
0.26/0.33
> 26 / > 20
> 30
4.5
TSNP-14
[dB]
注：1) 数控电压；2) IL =插入损耗（在1.0 GHz / 2.0 GHz下）; 3) 在1.0 GHz / 2.0 GHz下的隔离; 4) 0.1dB压缩点; 5) 在1dB IL下测量。6) 请登
录我们的网站 http://www.infineon.com/rfswitches，查询备选器件。
47
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
射频PIN二极管开关
Application
Note
1)
Product
BAR90-02LS
BAR90-098LRH
D
BAR90-081LS
Q
TR1054
BAR90-02LRH
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-4-7
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-8-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-2-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 100 MHz下；3) 在1 MHz下；
4)正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间;
5) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
TVS ESD二极管
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
Package
±15
19@16
28@30
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
±15
19@16
28@30
0.65
3
12
0.4
1
+5.3
±15
19@16
28@30
0.65
3
12
0.4
2
SuperSpeed
+3.3
±15
8@16
11@30
0.2
3
8.5
0.35
4
TSLP-9-1
ESD3V3XU1US
SuperSpeed
+3.3
±15
8@16
11@30
0.2
3
8.5
0.35
1
TSSLP-2-1
ESD5V5U5ULC
USB2.0-HS,
Vcc
+5.5
±25
8.9@16
11.5@30
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
USB2.0-FS,
Vcc
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
-
-
5
1
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
ESD5V3U4U-HDMI
SuperSpeed
+5.3
ESD5V3U1U
SuperSpeed
USB2.0-HS
+5.3
ESD5V3U2U
SuperSpeed
USB2.0-HS
ESD3V3U4ULC
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导
通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒/20微秒）； 6)
在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查询备选器件。
48
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
TSLP-3-7
TSFP-3
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
缩写
缩写
术语
缩写
术语
Amp
放大器
NFC
近场通信（13.56 MHz）
AN
应用笔记
OoB
带外
ANT
天线
P2P
点到点
ASIC
专用集成电路
PA
功率放大器
BB
基带
PCS
个人通信服务
BPF
带通滤波器
PLL
锁相环
BW
带宽
PND
个人导航设备
CMMB
中国移动多媒体广播
RF
无线频率
COMPASS
中国北斗卫星导航系统
RFFE
射频前端控制接口
DPDT
双刀双掷
RoHS
有害物质限制
DSDS
双卡双待
RPD
射频与保护器件
DVB-H
数字视频广播——手持
RPP
反极性保护
DVB-T
数字视频广播——陆地
Rx
接收
EDGE
用于 GSM 演进的增强数字速率
SAR
搜索和救援
EMI
电磁干扰
SAW
表面声波
ESD
静电释放
SD Card
安全数码卡
FEM
前端模块
SOT
小外形晶体管封装
FM
调频（76 MHz –108 MHz）
SPDT
单刀双掷
FWLP
微脚距晶圆级封装
SPI
服务电源接口
GLONASS
全球轨道卫星导航系统
SW
开关
GNSS
全球卫星导航系统
SWP
热插拔
GPIO
通用输入/输出
T-DMB
陆地数字多媒体广播
GPS
全球定位系统（1575.42 MHz）
TDS-CDMA
时分同步码分多址
GSM
全球移动通信系统
TDS-LTE
时分同步长期演进
HDMI
高清多媒体接口
TLP
传输线脉冲（测量）
HG
高增益
TR
技术报告
HSMM
高速多媒体
TRX
收发器
I²C
内置集成电路（总线）
TSFP
薄小扁平封装
I/F
接口
T(S)SLP
薄（超级）小型无引脚封装
IMT
国际移动通信
TSNP
薄小型无引脚封装
ISDB-T
地面综合服务数字广播
TVS
瞬态电压抑制
LDO
低压降稳压器
Tx
发射
LG
低增益
UHF
超高频（470 MHz–860MHz）
LNA
低噪放大器
UMTS
通用移动通信系统
LO
本振
USB
通用串行总线
LPF
低通滤波器
VCO
压控晶振
49
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
LTE
长期演进
VHF
极高频率（30 MHz–300MHz）
Mbps
每秒百万比特
VQFN
极薄四方扁平无引脚封装
MG
调频（76 MHz –108 MHz）
W-CDMA
宽带——码分多址
MHL
微脚距晶圆级封装
WiMAX
全球微波接入互操作性
MIPI
全球轨道卫星导航系统
WLAN
无线局域网
MMIC
全球卫星导航系统
µSD
微型安全数码存储器
MOSFET
通用输入/输出
50
射频与保护器件应用指南
第一部分: 移动通信
按字母顺序的符号列表
符号
术语
单位
CT
总二极管电容
[pF]
ESD
ESD脉冲电压
[kV]
IF
正向电流
[mA]
IR
反向电流
[µA]
IPP
最大峰值脉冲电流
[A]
IIP3
输入第三截断点
[dBm]
IL
插入损耗
[dB]
IMD2
二阶互调失真
[dBm]
IP-1dB
1dB输入压缩点
[dBm]
LDO
低压降
[V]
NF
噪声系数
[dB]
OIP3
输出第三截断点
[dBm]
OP-1dB
1dB输出压缩点
[dBm]
P-0.1dB
0.1dB压缩点
[dBm]
Pin,max
最大输入功率
[dBm]
Rdyn
动态电阻
[Ω]
rF
差分正向电阻
[Ω]
VCL
箝位电压
[V]
Vctrl
数控电压
[V]
Vdd
直流电源电压
[V]
VF
正向电压
[mV]
VR
反向电压
[V]
VRWM
反向工作电压
[V]
τL
存放时间
[ns]
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封装信息
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辅助资料
数据表/应用笔记/ 技术报告
www.infineon.com/rfandprotectiondevices
产品：

射频CMOS开关
www.infineon.com/rfswitches

射频MMIC
www.infineon.com/rfmmics

射频晶体管
www.infineon.com/rftransistors

射频二极管
www.infineon.com/rfdiodes

PIN二极管
www.infineon.com/pindiodes

肖特基二极管
www.infineon.com/schottkydiodes

变容二极管
www.infineon.com/varactordiodes

ESD/EMI保护器件
www.infineon.com/tvsdiodes
手册：

《选型指南》
www.infineon.com/rpd_selectionguide

《保护应用指南》
www.infineon.com/rpd_appguide_protection

《消费类电子产品应用指南》
www.infineon.com/rpd_appguide_consumer

《工业产品应用指南》
www.infineon.com/rpd_appguide_industrial

《ESD防护解决方案——消费类电子产
品和无线通信》
www.infineon.com/tvs.brochure

www.infineon.com/gps
《用于移动和无线应用的GPS前端组
件》
样品套件
www.infineon.com/rpdkits
评估板
更多信息请联系当地英飞凌销售代表。
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