Japanese/English

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
EasyPACKモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール4diode内蔵and
PressFIT/NTCサーミスタ
EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC
暫定データ/PreliminaryData
J
VCES = 1200V
IC nom = 25A / ICRM = 50A
一般応用
• 3レベル アプリケーション
• ソーラーアプリケーション
TypicalApplications
• 3-level-applications
• Solarapplications
電気的特性
• 高速IGBTH3
• 低インダクタンスデザイン
• 低スイッチング損失
ElectricalFeatures
• HighspeedIGBTH3
• Lowinductivedesign
• Lowswitchinglosses
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
• 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
25
40
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
50
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
175
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,05
2,50
2,60
2,40
V
V
V
5,80
6,35
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,85 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,13
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,45
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,075
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1050 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 20 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,25
0,055
0,055
0,055
µs
µs
µs
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
0,185
0,23
0,24
µs
µs
µs
0,025
0,05
0,055
µs
µs
µs
Eon
0,67
1,00
1,05
mJ
mJ
mJ
IC = 25 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 20 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,60
0,95
1,00
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
80
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
0,750 0,850 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,700
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
2
-40
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
15
A
IFRM
50
A
I²t
40,0
34,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,75
1,75
1,75
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
36,0
38,0
38,0
A
A
A
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,05
2,10
2,40
µC
µC
µC
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,40
0,66
0,70
mJ
mJ
mJ
順電圧
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
1,30
1,45 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,05
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
3
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
コレクタ電流
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
30
A
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
15
25
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
150
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,20
1,25
1,25
1,45
V
V
V
5,80
6,45
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
4,95
0,035
0,035
0,035
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,013
µs
µs
µs
0,34
0,38
0,39
µs
µs
µs
0,045
0,07
0,075
µs
µs
µs
Eon
0,19
0,26
0,28
mJ
mJ
mJ
IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,47
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210
150
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
4
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,900 1,00 K/W
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
0,850
Tvj op
-40
K/W
150
°C
ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
40,0
50,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,65
1,60
1,55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
13,0
15,0
16,0
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,85
1,45
1,60
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,15
0,26
0,30
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
1,95
2,15 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
順電圧
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
V
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
5
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
LsCE
保存温度
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
質量
Weight
G
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
6
kV
2,5
typ.
max.
25
39
nH
125
°C
80
N
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
45
IC [A]
IC [A]
45
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
VCE [V]
伝達特性IGBT,T1/T4(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=350V
50
4,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
40
3,0
35
2,5
E [mJ]
IC [A]
30
25
20
2,0
1,5
15
1,0
10
0,5
5
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
7
0
5
10
15
20
25 30
IC [A]
35
40
45
50
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=350V
過渡熱インピーダンスIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJH=f(t)
8,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
7,0
ZthJH : IGBT
6,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]
5,0
4,0
1
3,0
2,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1,0
0,0
0
20
40
60
80
0,1
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT,T1/T4(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=20Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性ダイオード,D1/D4(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
60
30
IC, Modul
IC, Chip
55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
50
24
45
21
40
18
IF [A]
IC [A]
35
30
25
15
12
20
9
15
6
10
3
5
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
8
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=350V
スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=350V
1,0
1,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
5
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,9
E [mJ]
E [mJ]
0,9
15
IF [A]
20
25
0,0
30
過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
0
15
30
45
60
75 90
RG [Ω]
105 120 135 150
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
30,0
ZthJH: Diode
27,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
25,0
22,5
17,5
IC [A]
ZthJH [K/W]
20,0
1
15,0
12,5
10,0
7,5
5,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,312 0,512 0,904 0,622
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
2,5
0,0
0,00
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
9
0,25
0,50
0,75
1,00 1,25
VCE [V]
1,50
1,75
2,00
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
伝達特性IGBT,T2/T3(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
30
30
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
25
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
25
20
IC [A]
IC [A]
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=350V
5
6
7
8
VGE [V]
9
10
11
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V
1,2
2,00
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,75
1,50
0,8
E [mJ]
E [mJ]
1,25
0,6
1,00
0,75
0,4
0,50
0,2
0,25
0,0
0
5
10
15
IC [A]
20
25
0,00
30
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
10
0
15
30
45
60
75 90
RG [Ω]
105 120 135 150
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
逆バイアス安全動作領域IGBT,T2/T3(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
10
40
ZthJH: IGBT
IC, Modul
IC, Chip
35
30
IC [A]
ZthJH [K/W]
25
1
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
順電圧特性ダイオード,D2/D3(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=350V
50
0,40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,35
40
0,30
35
0,25
E [mJ]
IF [A]
30
25
20
0,20
0,15
15
0,10
10
0,05
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0,00
2,5
VF [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
11
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
50
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=350V
過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
0,35
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH: Diode
0,30
0,25
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,20
0,15
1
0,10
0,05
0,00
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,3
0,7
1,39 0,91
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80
0,1
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
12
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
回路図/Circuitdiagram
J
パッケージ概要/Packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
13
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FS3L25R12W2H3_B11
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価
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Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2015-10-01
approvedby:AKDA
revision:V2.0
14