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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
IHM-Bモジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール4diode内蔵
IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
一般応用
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
TypicalApplications
• HighPowerConverters
• MotorDrives
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
• 低スイッチング損失
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• LowSwitchingLosses
機械的特性
MechanicalFeatures
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 高いパワー密度
• HighPowerDensity
• IHMBハウジング
• IHMBHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
1200
1825
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
2400
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
7,15
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 45,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,75
2,00
2,05
2,10
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
9,25
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,6
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
74,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
4,10
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,41
0,46
0,46
µs
µs
µs
tr
0,20
0,20
0,20
µs
µs
µs
td off
0,82
0,93
0,96
µs
µs
µs
tf
0,11
0,14
0,17
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,62 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,62 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 54 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 5900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 150°C
Eon
115
155
175
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 54 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,62 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
145
180
195
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
13,5
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
4800
A
21,0 K/kW
K/kW
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1200
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
195
190
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,75
1,70
2,35
kA²s
kA²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 5900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
535
755
805
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 5900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
110
220
250
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 5900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
50,0
105
120
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
14,5
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
3
V
V
V
35,0 K/kW
K/kW
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
32,0
32,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
VISOL min.
typ.
max.
LsCE
9,0
nH
RCC'+EE'
0,17
mΩ
Tstg
-40
150
°C
4,25
-
5,75
Nm
1,7
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1300
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2100
2100
1500
1500
IC [A]
1800
IC [A]
1800
1200
1200
900
900
600
600
300
300
0
VGE =19 V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.6Ω,RGoff=0.62Ω,VCE=600V
2400
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
550
500
1800
450
400
1500
IC [A]
E [mJ]
350
1200
300
250
900
200
600
150
100
300
50
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
5
0
400
800
1200
IC [A]
1600
2000
2400
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1200A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
1400
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
1300
1200
ZthJC : IGBT
1100
1000
900
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
800
700
600
10
500
400
300
200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,5828 16,88475 1,65525 0,7245
τi[s]:
0,001 0,0365
0,2667 4,0162
100
0
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
1
0,001
16
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)=f(dI/dtmax‚LS+LSCE)(VCE=1200V-LSCE*dI/dtmax)
VGE=±15V,RGoff=0.62Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2600
2400
Ic, Chip
IC, Modul dI/dt=6kA/us
IC, Modul dI/dt=9kA/us
IC, Modul dI/dt=12kA/us
2400
2200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2100
2000
1800
1800
1500
1600
IF [A]
IC [A]
1400
1200
1200
1000
900
800
600
600
400
300
200
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
6
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
VF [V]
1,5
1,8
2,1
2,4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.6Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=600V
160
140
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
140
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
130
120
110
120
100
90
100
E [mJ]
E [mJ]
80
80
70
60
60
50
40
40
30
20
20
10
0
0
400
800
1200
IF [A]
1600
2000
0
2400
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC [K/kW]
ZthJC : Diode
10
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,90835 4,69065 25,59 1,4145
τi[s]:
0,0004 0,0078 0,0389 1,1775
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
7
0,0
2,0
4,0
6,0
8,0 10,0
RG [Ω]
12,0
14,0
16,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1200R12HE4
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
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お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
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製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
9
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