English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
PrimePACK™2モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール4diode内蔵and
NTCサーミスタ
PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 900A / ICRM = 1800A
一般応用
• モーター駆動
• 共振型インバータアプリケーション
• 電鉄駆動
• UPSシステム
• 風力タービン
TypicalApplications
• MotorDrives
• ResonantInverterAppliccations
• TractionDrives
• UPSSystems
• WindTurbines
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
• 高いDC電圧での安定性
• 高い短絡電流耐量、自己抑制型短絡電流
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• HighDCStability
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
• LowSwitchingLosses
• UnbeatableRobustness
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• 低スイッチング損失
• 優れたロバスト性
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
機械的特性
MechanicalFeatures
• 4kVAC1分 絶縁耐圧
• 4kVAC1minInsulation
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 長い縁面/空間距離
• HighCreepageandClearanceDistances
• 高いパワー/サーマルサイクル耐量
• HighPowerandThermalCyclingCapability
• 高いパワー密度
• HighPowerDensity
• 低熱インピーダンスのDCB
• SubstrateforLowThermalResistance
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom 900
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1800
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
5,10
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 900 A, VGE = 15 V
IC = 900 A, VGE = 15 V
IC = 900 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
typ.
max.
1,75
2,05
2,10
2,05
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
6,40
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,2
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
54,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
3,00
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,20
0,22
0,22
µs
µs
µs
tr
0,11
0,12
0,13
µs
µs
µs
td off
0,66
0,75
0,79
µs
µs
µs
tf
0,09
0,14
0,15
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 900 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 5700 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,3 Ω
Tvj = 150°C
Eon
55,0
70,0
80,0
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
85,0
120
130
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
14,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
3600
A
29,5 K/kW
K/kW
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1200
V
IF
900
A
IFRM
1800
A
I²t
91,0
88,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,90
1,85
1,80
2,30
kA²s
kA²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 900 A, VGE = 0 V
IF = 900 A, VGE = 0 V
IF = 900 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 900 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
500
660
710
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 900 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
90,0
150
195
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 900 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
40,0
80,0
90,0
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
25,5
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
53,5 K/kW
K/kW
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 4,0
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
33,0
33,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
RthCH
4,50
LsCE
18
nH
RCC'+EE'
0,30
mΩ
Tstg
-40
150
°C
3,00
-
6,00
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
825
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
4
max.
K/kW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
1800
1800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1600
1200
1200
1000
1000
IC [A]
1400
IC [A]
1400
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1600
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.3Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=600V
1800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1600
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
250
1400
200
1200
E [mJ]
IC [A]
1000
800
150
100
600
400
50
200
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
5
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
IC [A]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=900A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
450
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
400
ZthJC : IGBT
350
10
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
300
250
200
150
1
100
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,2
6
20
2,3
τi[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
50
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
0,1
0,001
8,0
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2000
1800
IC, Modul
IC, Chip
1800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1600
1600
1400
1400
1200
1200
IF [A]
IC [A]
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.3Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=900A,VCE=600V
120
120
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
110
100
100
90
90
80
70
70
E [mJ]
E [mJ]
80
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
110
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
8,0
140
160
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
R[Ω]
ZthJC [K/kW]
10
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,5
12,7 35,4 0,9
τi[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
7
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.4
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF900R12IE4
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
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preparedby:AC
dateofpublication:2013-11-05
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