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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
IHM-Bモジュールソフトスイッチング トレンチIGBT4内蔵
IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 1600A / ICRM = 3200A
一般応用
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
• 風力タービン
TypicalApplications
• HighPowerConverters
• MotorDrives
• WindTurbines
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
機械的特性
MechanicalFeatures
• 4kVAC1分 絶縁耐圧
• 4kVAC1minInsulation
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 高いパワー密度
• HighPowerDensity
• IHMBハウジング
• IHMBHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
1600
2400
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
3200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
9,40
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 1600 A, VGE = 15 V
IC = 1600 A, VGE = 15 V
IC = 1600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 60,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
2,00
2,10
2,05
V
V
V
VGEth
5,1
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
12,5
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,5
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
98,5
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
5,50
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,53
0,57
0,58
µs
µs
µs
tr
0,24
0,24
0,24
µs
µs
µs
td off
0,98
1,10
1,10
µs
µs
µs
tf
0,17
0,21
0,23
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 1600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1600 A, VCE = 600 V, LS = 54 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 5900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eon
175
250
260
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 1600 A, VCE = 600 V, LS = 54 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,3 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
285
370
385
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
9,75
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
6400
A
16,0 K/kW
K/kW
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1200
V
IF
1600
A
IFRM
3200
A
I²t
345
335
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,75
1,70
2,35
kA²s
kA²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 1600 A, VGE = 0 V
IF = 1600 A, VGE = 0 V
IF = 1600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1600 A, - diF/dt = 5900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
640
880
955
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 1600 A, - diF/dt = 5900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
140
275
325
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 1600 A, - diF/dt = 5900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
65,0
125
150
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
11,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
3
V
V
V
26,0 K/kW
K/kW
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
4,0
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
32,0
32,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
VISOL min.
typ.
max.
LsCE
9,0
nH
RCC'+EE'
0,15
mΩ
Tstg
-40
150
°C
4,25
-
5,75
Nm
1,7
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1300
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
3200
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2800
2800
2000
2000
IC [A]
2400
IC [A]
2400
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
VGE =19 V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=0.3Ω,VCE=600V
3200
1000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2800
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
900
800
2400
700
2000
IC [A]
E [mJ]
600
1600
500
400
1200
300
800
200
400
0
100
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
5
0
400
800
1200 1600 2000 2400 2800 3200
IC [A]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1600A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
2000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
1800
1600
ZthJC : IGBT
1400
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
1200
1000
800
10
600
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,1861 12,4793 1,7301 0,5972
τi[s]:
0,001 0,0362 0,1587 3,3483
200
0
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
1
0,001
16
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.3Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
3600
3200
Ic, Modul
IC, Chip
3200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2800
2800
2400
2400
2000
IF [A]
IC [A]
2000
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
6
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
VF [V]
1,5
1,8
2,1
2,4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.5Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1600A,VCE=600V
200
180
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
160
160
140
140
120
E [mJ]
E [mJ]
120
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
400
800
0
1200 1600 2000 2400 2800 3200
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC [K/kW]
ZthJC : Diode
10
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,1852 3,4602 18,8106 1,2263
τi[s]:
0,0004 0,0079 0,039
0,8169
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
7
0,0
2,0
4,0
6,0
8,0 10,0
RG [Ω]
12,0
14,0
16,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ1600R12HP4
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
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-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:PL
revision:2.3
9
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