PN2907A / 2N2907A PN2907A / 2N2907A General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2005-11-21 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) PN2907A / 2N2907A Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung E open - VCB0 60 V Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCE0 60 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open - VEB0 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC 600 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -65...+150°C -65…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. - ICB0 – – 10 nA - VCEsat - VCEsat – – – – 0.3 V 1V - VBEsat - VBEsat 0.6 V – – – 1.2 V 2V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 50 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung - IC = 150 mA, - IB = 15 mA 2) - IC = 500 mA, - IB = 50 mA 2) Base saturation-voltage – Basis-Sättigungsspannung - IC = 150 mA, - IB = 15 mA 2) - IC = 500 mA, - IB = 50 mA 2) 1 2 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PN2907A / 2N2907A Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE hFE hFE hFE 35 50 75 100 40 – – – – – – – – 300 – fT 250 MHz – – CCB0 – – 8 pF CEB0 – – 30 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis - IC IC IC IC IC = = = = = 0.1 mA, - VCE = 10 V 1 mA, - VCE = 10 V 10 mA, - VCE = 10 V 150 mA, - VCE = 10 V 1) 500 mA, - VCE = 10 V 1) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - IC = 20 mA, - VCE = 20 V, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capaciance – Emitter-Basis-Kapazität - VEB = 0.5 V, IC =ic = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 200 K/W 1) RthA Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren PN2222A / 2N2222A 120 [%] 100 80 60 40 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 1 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG