PN2222A / 2N2222A PN2222A / 2N2222A General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz NPN NPN Version 2005-11-17 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) PN2222A / 2N2222A Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung E open VCB0 75 V Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCE0 40 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEB0 6V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 600 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom (tp < 5 ms) ICM 800 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -65...+150°C -65…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. ICB0 – – 10 nA VCEsat VCEsat – – – – 0.3 V 1V VBEsat VBEsat 0.6 V – – – 1.2 V 2V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 60 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung IC = 150 mA, IB = 15 mA 2) IC = 500 mA, IB = 50 mA 2) Base saturation-voltage – Basis-Sättigungsspannung IC = 150 mA, IB = 15 mA 2) IC = 500 mA, IB = 50 mA 2) 1 2 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PN2222A / 2N2222A Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE hFE hFE hFE 35 50 75 100 40 – – – – – – – – 300 – fT 250 MHz – – CCB0 – – 8 pF CEB0 – – 30 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis IC IC IC IC IC = = = = = 0.1 mA, VCE = 10 V 1 mA, VCE = 10 V 10 mA, VCE = 10 V 150 mA, VCE = 10 V 1) 500 mA, VCE = 10 V 1) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz IC = 20 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capaciance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC =ic = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft < 200 K/W 2) RthA Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren PN2907A / 2N2907A 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG