AK6440BH

ASAHI KASEI
[AK6440B]
AK6440B
4Kbit シリアル EEPROM
特







長
先進の CMOS EEPROM テクノロジ
電気的書換え可能な、不揮発性メモリ
単一電源動作(動作電源電圧:1.8V~5.5V)
4096bit 256 ワード×16 ビット構成
ワンチップマイコン シリアルインタフェースに直接接続が可能
低消費電力
動作時
0.75 mA
max.(Read 動作時)
待機時
0.8 A
max.
5
書き換え回数:10 回
データ保持 :10 年
優れた機能
低電圧での高速動作が可能(VCC=2.5V で、1MHz 動作が可能)
読み出し時のアドレスオートインクリメント機能
自動 消去/書き込みサイクル
ソフトとハードによる誤書き込み防止機能
小容量のデータ記憶に最適
低コストで実装効率の優れた 8 ピンパッケージ(MSOP,SON)
DO
DATA
REGISTER
DI
INSTRUCTION
REGISTER
INSTRUCTION
DECODE,
CONTROL
AND
CLOCK
GENERATION
16
ADD.
BUFFERS
R/W AMPS
AND
AUTO ERASE
16
DECODER
EEPROM
4096bit
256 ×16
CS
VPP SW
SK
RESET
VREF
VPP
GENERATOR
ブロック図
DAS03J-02
2012/09
- 1 -
ASAHI KASEI
[AK6440B]
機
能
概
要
AK6440B は、256 ワード×16 ビット構成の、4096 ビット不揮発性メモリです。それぞれのワード
ごとに独立に、読み出し、書き込みの操作ができます。
AK6440B は、単一電源(1.8V~5.5V)で動作し、書き込み動作に必要な高電圧は、デバイス内部で
発生させています。
AK6440B のシリアルインタフェースは、一般の汎用ワンチップマイコンのシリアルポート(3 線負
論理クロック同期式)に直接接続でき、シリアルクロック SK に同期し、読み込みデータは立ち上が
りエッジで DI ピンから取り込まれ、また、読み出されたデータは立ち下がりエッジに同期して DO ピ
ンから出力されます。
命令には、読み出し(READ)、書き込み(WRITE)、書き込み許可(WREN)、書き込み禁止(WRDS)
の 4 種類があり、それぞれ 8 ビット単位で構成されるオペコード、アドレスおよびデータ(8 ビット×2)
によって構成されます。各命令は、SK ピンがハイレベルの状態で、CS ピンをハイレベルからローレ
ベルにすることにより受け付けられます。
AK6440B は、85℃にて 10 年間のデータ保持と、10 万回までデータの書き換えが可能です。
・ 誤書き込み防止機能
AK6440B は、誤書き込み防止機能として書き込み禁止状態と書き込み許可状態の 2 つの状態を持っ
ています。書き込み禁止状態では、書き込み命令(WRITE)は無効となり実行されません。電源投入
時、または書き込み禁止命令(WRDS)の実行後は、書き込み禁止状態であり、書き込み命令(WRITE)
は無効となり実行されません。この状態は、書き込み許可命令(WREN)が実行されるまで保持され
ます。又、読み出し(READ)命令は状態に関わらず実行することができます。
AK6440B は RESET ピンを備えています。RESET ピンは、WRITE 命令を実行するときにローレベル
でなければなりません。RESET ピンをハイレベルに固定すると、WRITE 命令は実行されず、誤書き
込みを防ぐことができます。
・ READY/BUSY 信号出力機能
AK6440B は DO ピンから Ready/Busy 状態を確認することができます。WRITE 命令実行後に SK が
ローレベルの状態で CS がハイレベルからローレベルに遷移すると、AK6440B はステータス出力モー
ドとなり、DO ピンから Ready/Busy 状態を出力します。DO ピンからの Ready/Busy 信号は、CS をハ
イレベルにするか、次の命令のオペコードの最初の 1 ビット("1")が入力 されるま で出力さ れます 。
ステータス出力モードから次の命令を入力する場合、いったん CS をハイレベルにした後に新たな
命令を入力してください。
AK6440B の書き込みに必要な時間は自動プログラミング時間に示されていますが、内部状態を確認
することにより、より速い書き込みサイクルを実行することができます。
■
製品の種類
製品名
電源電圧
動作温度範囲
パッケージ
AK6440BH
AK6440BL
1.8V~5.5V
1.8V~5.5V
-40℃~+85℃
-40℃~+85℃
8 ピン MSOP
8 ピン SON
DAS03J-02
2012/09
- 2 -
ASAHI KASEI
■
[AK6440B]
ピン配置
AK6440BH
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
AK6440BL
8
7
6
5
VCC
NC
RESET
GND
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8pin MSOP
8
7
6
5
VCC
NC
RESET
GND
8pin SON
ピン名称
機能
CS
SK
チップセレクト入力
シリアルクロック入力
DI
シリアルデータ入力
DO
シリアルデータ出力
RESET
リセット入力
VCC
電源
GND
グランド
NC
無接続
(注)NC ピンは、オープンとして下さい。
図 1.ピン配置図
DAS03J-02
2012/09
- 3 -
ASAHI KASEI
[AK6440B]
ピ

ン
機
能
CS (チップセレクト入力)
SK ピンがハイレベルのときに、CS ピンをハイレベルからローレベルにすると、各
命令が受け付けられ ます 。オペコード、アドレ ス 入力中およびデータ入 出 力中、 CS
ピンは常にローレベルでなければなりません。この間に CS ピンがハイレベルになる
と、その命令は中断されます。
SK ピンがローレベルのときに、CS ピンがハイレベルからローレベルになると、デ
バイスはステータス出力モードになります。
内部プログラミング実行中(BUSY 中)、CS ピンはローレベルである必要はありま
せん。

SK(シリアルクロック入力)
入出力データの同期クロックです。オペコード、アドレス、書き込みデータは、シ
リアルクロック SK の立ち上がりエッジで DI ピンから取り込まれ、読み出しデータ
は立ち下がりエッジに同期して DO ピンから出力されます。内部プログラミング動作
中やステータス出力時及びデバイスが非選択のとき、SK ピンにクロックを入力する
必要はありません。

DI(データ インプット入力)
オペコード、アドレス、書き込みデータを入力します。

DO (データ アウト出力)
読み出しデータとステータス信号を出力します。それ以外の時はハイ・インピーダ
ンス状態になります。

RESET(リセット入力)
書き込み命令の実行を中断します。WRITE 命令入力中および、内部プログラミン
グ実行中(BUSY 中)は、RESET ピンは常にローレベルでなければなりません。内
部プログラミング実行中に RESET="H"になると、その時点でそのプログラミング動
作は中断され、デバイスは READY 状態に戻ります。このときアクセスされていたワ
ードのデータは不定になります。RESET 後、あらたに次の命令を入力するときは、
いったん CS ピンをハイレベルにしてください。
READ 命令、WREN 命令、WRDS 命令は、RESET ピンの状態に関係なく実行でき
ます。

VCC (電源)

GND(グランド)
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- 4 -
ASAHI KASEI
[AK6440B]
命
令
説
明
命令には、READ 命令、WRITE 命令、WREN 命令、WRDS 命令の 4 種類があり、それぞれ 8 ビット
単位で構成されるオペコード、アドレスおよびデータ(8 ビット×2)によって構成されます。命令一覧
を表 1.に示します。各命令は、SK ピンが"H"の状態で、CS ピンを"H"から"L"にすることにより受け付
けられます。
命令を連続して実行するとき、その間、CS ピンを少なくとも tCS 間ハイレベルにして下さい。
命 令
WRITE
READ
WREN
WRDS
(WRAL)
オペコード
10100100
10101000
10100011
10100000
10101111
アドレス
データ
A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 1 5 ~D 0 (IN)
A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 1 5 ~D 0 (OUT)
× × × × × × × ×
× × × × × × × ×
× × × × × × × × D 1 5 ~D 0 (IN)
内容
書き込み
読み出し
書き込み許可
書き込み禁止
全書き込み
×:ドント・ケア
(注) 全書き込み:この命令はテスト用です。ユーザーは使用できません。
表 1.AK6440B 命令一覧表
 WRITE 命令
指定したアドレスにデータ(16 ビット)を書き込みます。D0 を読み込む SK(32 発目)の立ち上が
りから内部プログラミング動作が起動します。
WRITE 命令を入力する間および内部プログラミング動作をしている BUSY 中(tE/W 間)は、RESET
ピンはローレベルでなければなりません。内部プログラミング動作中に RESET ピンがハイレベルに
なると内部プログラミング動作は中断され、デバイスは READY 状態に戻ります。またこのときアク
セスされていたワードのデータは不定となります。
RESET ピンで命令を中断したとき、いったん CS をハイレベルにして新たな命令を入力してくださ
い。RESET ピンをハイレベルに固定すると、WRITE 命令は一切実行されず、誤書き込みを防止する
ことができます。
内部プログラミング動作がいったん起動すると、CS ピンはハイレベルである必要はありませんが、
次の命令を入力する場合は、いったん CS をハイレベルにした後に新たな命令を入力してください。
RESET
CS
SK
DI
DO
1
2
1
3
0
4
1
5
0
6
0
7
1
8
0
9
0
10
A7
15
A6
A1
16
A0
17
18
D15 D14
30
D2
31
D1
32
D0
Hi-Z
tE/W
WRITE 命令
DAS03J-02
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- 5 -
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[AK6440B]
 READ 命令
指定したアドレスのデータ(16bit)を DO ピンから出力します。17 発目の SK の立ち下がりエッジで
DO ピンはハイ・インピーダンス状態を脱し、指定アドレスのデータの D15 より順次シリアル出力し
ます。
アドレスオートインクリメント機能
指定アドレスのデータが読み出された後、さらにクロックを加えると次のアドレスのデータが出
力されます。アドレス(A7~A0):1111 1111 を読み出した後にさらにクロックを加えた場合は、アド
レス:0000 0000 のデータが読み出されます。
CS
SK
1
DI
2
1
3
0
4
1
5
0
6
1
7
0
8
0
9
0
10
A7
15
A6
A1
16
18
32
33
34
48
A0
Hi-Z
DO
17
D15 D14
D0
D15 D14
[A7~A0]のデータ
D0
[A7~A0]+1 のデータ
READ 命令
 WREN/WRDS 命令
AK6440B は、書き込み禁止状態と書き込み許可状態の 2 つの状態を持っています。書き込み禁止状
態では WRITE 命令は無効となり実行されません。
WREN 命令は AK6440B を書き込み許可状態にし、WRDS 命令は AK6440B を書き込み禁止状態にし
ます。電源投入時、または WRDS 命令の実行後は、AK6440B は書き込み禁止状態であり、WRITE 命
令は無効になり実行されません。この状態は、WREN 命令が実行されるまで保持されます。
READ 命令は、WREN 命令や WRDS 命令に関係なく実行出来ます。
CS
SK
DI
DO
1
2
1
3
0
4
1
5
0
6
0
7
8
9
0
10
X
WREN=11
WRDS=00
11
X
X
12
X
13
14
X
X
15
X
16
17
18
X
Hi-Z
※ 17 発目以降の SK パルスは無視されます。
WREN/WRDS 命令
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ASAHI KASEI
[AK6440B]
絶
項 目
電源電圧
入力電圧
保存温度
記 号
VCC
VIO
Tst
最
大
定
条 件
対 GND
対 GND
推
項 目
電源電圧
動作周囲温度
対
記 号
VCC
Ta
奨
格
定 格 値
-0.6~+7.0
-0.6~VCC+0.6
-65~+150
動
作
Min.
1.8
-40
DAS03J-02
条
単 位
V
V
℃
件
Max.
5.5
+85
単 位
V
℃
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ASAHI KASEI
[AK6440B]
電
気
的
特
性
(1)DC特性
(特に記載のない限り
項
目
WRITE 動作時
電源電流
READ/WREN/WRDS
動作時電源電流
待機時電源電流
ハイレベル入力電圧 1
CS,SK,RESETピン
ハイレベル入力電圧 2
DI ピン
ローレベル入力電圧 1
CS,SK,RESETピン
ローレベル入力電圧 2
DI ピン
ハイレベル出力電圧
Min.
Max.
4.0
2.5
2.0
0.75
0.3
0.15
0.8
単位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
1.8V≦VCC≦5.5V
0.8×VCC
VCC+0.5
V
VIH2
VIH3
2.5V≦VCC≦5.5V
1.8V≦VCC<2.5V
0.7×VCC
0.8×VCC
VCC+0.5
VCC+0.5
V
V
VIL1
1.8V≦VCC≦5.5V
0
0.2×VCC
V
VIL2
VIL3
VOH1
2.5V≦VCC≦5.5V
1.8V≦VCC<2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
IOH=-50A
1.8V≦VCC<2.5V
IOH=-50A
2.5V≦VCC≦5.5V
IOL=1.0mA
1.8V≦VCC<2.5V
IOL=0.1mA
VCC=5.5V,VIN=5.5V
0
0
VCC-0.3
0.3×VCC
0.2×VCC
V
V
V
記号
ICC1
ICC2
ICC3
ICC4
ICC5
ICC6
ICCS
条
件
VCC=5.5V,tSKP=500ns
VCC=2.5V,tSKP=500ns
VCC=1.8V,tSKP=1.5s
VCC=5.5V,tSKP=500ns
VCC=2.5V,tSKP=500ns
VCC=1.8V,tSKP=1.5s
VCC=5.5V
VIH1
VOH2
ローレベル出力電圧
VOL1
VOL2
入力リーク電流
CS,SK,DI,RESET ピン
出力リーク電流
DO ピン
-40℃≦Ta≦85℃、1.8V≦VCC≦5.5V)
ILI
ILO
*1
*1
*1
*1
*1
*1
*2
VCC=5.5V,VOUT=5.5V
CS=VCC
VCC-0.3
V
0.4
V
0.4
V
±1.0
A
±1.0
A
*1:VIN=VIH/VIL, DO=オープン
*2:CS=VCC,SK/DI/RESET=VCC/GND,DO=オープン
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ASAHI KASEI
[AK6440B]
(2)AC特性
(特に記載のない限り
項
目
SK 周期
SK パルス幅
SK パルスハイレベル幅
*3
SK 立ち下がり前の
CS セットアップ時間
SK 立ち上がり後の
CS ホールド時間
CS 立ち下がり前の
SK セットアップ時間
CS 立ち下がり前の
RESET セットアップ時間
データセットアップ時間
データホールド時間
DO ピン
出力遅延時間
自動プログラミング時間 *4
CS ハイレベル最小時間
DO ピン ハイインピーダンス時間
記 号
tSKP1
tSKP2
tSKW1
tSKW2
tSKH1
tSKH2
tSKH3
-40℃≦Ta≦85℃,1.8V≦VCC≦5.5V)
条 件
2.5V≦VCC≦5.5V
1.8V≦VCC<2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
1.8V≦VCC<2.5V
4.5V≦VCC≦5.5V
2.5V≦VCC<4.5V
1.8V≦VCC<2.5V
Min.
500
1.5
250
750
250
500
750
Max.
単位
ns
s
ns
ns
tCSS
100
ns
tCSH
100
ns
100
ns
0
ns
100
200
100
200
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
tSKSH
/tSKSL
tRESS
tDIS1
tDIS2
tDIH1
tDIH2
tPD1
tPD2
tPD3
tE/W
tCS
tOZ
4.5V≦VCC≦5.5V
1.8V≦VCC<4.5V
4.5V≦VCC≦5.5V
1.8V≦VCC<4.5V
4.5V≦VCC≦5.5V,*5
2.5V≦VCC<4.5V,*5
1.8V≦VCC<2.5V,*5
150
300
500
10
250
500
*3:READ 命令実行時の 16 発目の SK のハイレベル幅に適用されます。又、アドレスオートインクリ
メント機能を用いる場合には、32 発目、48 発目(16 の倍数)の SK のハイレベル幅にも
適用されます。他の SK のハイレベル幅は tSKW を適用して下さい。
*4:AK6440B の規定された自動プログラミング時間を、ソフトウェア遅延ループによってつくるこ
ともできますが、かわりに、Ready/Busy 信号を参照し、より速い書き込みサイクルを
実施することもできます。
*5:CL=100pF
DAS03J-02
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- 9 -
ASAHI KASEI
[AK6440B]
タ
イ
ミ
ン
グ
波
形
tRESS
RESET
tCS
tCSS
CS
tSKP
tSKSH
tSKW
SK
1
tSKW
2
3
tDIS
DI
1
tDIH
0
1
Hi-Z
DO
命令入力時タイミング
CS
"H"
tSKP
"L"
tSKW
SK
tSKW
15
16
tDIS
DI
tSKH
17
18
tDIH
A1
A0
tPD
DO
Hi-Z
tPD
D15
D14
READ時データ出力タイミング
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- 10 -
ASAHI KASEI
[AK6440B]
CS
SK
31
32
DI
tOZ
DO
D1
D0
READ時データ出力終了時タイミング
RESET
CS
tCSH
SK
DI
DO
30
31
D2
32
D1
D0
Hi-Z
WRITE時データ入力終了時タイミング
DAS03J-02
2012/09
- 11 -
ASAHI KASEI
[AK6440B]
tCS
CS
tSKSL
SK
DI
32
D0
tPD
DO
tOZ
BUSY
READY
tE/W
DOピンからのステータス出力
DAS03J-02
2012/09
- 12 -
重要な注意事項
 本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告なく変
更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した情報が最新の
ものであることを弊社営業担当、あるいは弊社特約店営業担当にご確認下さい。
 本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導
体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記載された
周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される場合は、お客
様の責任において行ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアお
よびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生じた損害に対し、弊社
はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因する、工業所有権その他の第
三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。
 本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資(役務を含む)に該当
する場合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です。
 医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機器の故障や動
作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常
予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず
事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取り下さい。
 この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用から生ず
る損害等の責任を一切負うものではありませんのでご了承下さい。
 お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、その
使用から損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承
下さい。
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