等価回路 (7 0 Ω ) E 2SB1648 ダーリントン シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2561とコンプリメンタリ) ■電気的特性 VCBO −150 V VCEO −150 V VEBO −5 V IC −17 A hFE VCE＝−4V, IC＝−10A IB −1 A VCE(sat) IC＝−10A, IB＝−10mA − 2.5max V W VBE(sat) IC＝−10A, IB＝−10mA − 3.0max V ℃ fT 200(Tc＝25℃) PC 150 Tj −55∼＋150 Tstg 試 験 条 件 規格値 単位 VCB＝−150V −100max μA 36.4±0.3 IEBO VEB＝−5V −100max μA 24.4±0.2 V(BR)CEO IC＝−30mA −150min V COB 2-ø3.2±0.1 5000min※ VCE＝−12V, IE＝2A 45typ VCB＝−10V, f＝1MHz 320typ 9 MHz pF イ ロ 2 3 ※ランク O(5000∼12000)、P(6500∼20000)、Y(15000∼30000) 5.45±0.1 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –40 4 –10 –10 5 –10 10 0.7typ 1.6typ 1.1typ 3.0 +0.3 -0.1 5.45±0.1 B VCC (V) 0.65 +0.2 -0.1 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） C E 製品質量 約18.4g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE ( sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） –2mA 0 0 –2 –4 0 –0.2 –6 –0.5 –1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –10 10000 5000 –5 –10 –17 25 ˚C – 30 ˚C 10000 5000 1000 –0.2 f T – I E 特性（代表 例 ） –0.5 –1 –5 –10 –17 ス温 ケー C（ 0.1 1 ） 温度 ース （ケ 10 100 1000 2000 時間 t(ms) P c – Ta定 格 200 –50 DC 0m m s 160 s 120 放 熱 板 付 放熱板なし 自然空冷 大 –1 –0.5 限 –5 無 Typ 10 最大許容損失 P C (W) 10 –10 コレクタ電流 I C (A ) 度） 0.5 ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） 20 −3 1 (V CE = – 12V) 40 –3 2 コレクタ電流 I C (A) 60 –2 125 ˚C コレクタ電流 I C (A) 遮断周波数 f T (MH Z ) –1 θ j-a – t特 性 (V C E = – 4V) 直流電流増幅率 h F E Typ –1 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 50000 –0.5 0 –50 –100 –200 (V CE = – 4V) 50000 直流電流増幅率 h F E –5 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性（代表 例 ） 1000 –0.2 5 0˚C I C =–5A –1 10 ス温 I C =–1 0A 5˚ I C =–15A 12 I B =–0.3mA –5 –2 25 –0.5mA コレクタ電流 I C (A) –0.8 mA –10 過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W) コレクタ電流 I C (A) –1.0 mA 度） 15 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –50 –15 (V C E = – 4V) 17 –3 –1 .5 m A ケー –3mA mA –17 ˚C（ –1 0m A I C – V CE 特性 （代表 例 ） 6.0±0.2 2.1 7 ICBO 21.4±0.3 記 号 ℃ 外形図 MT-200 (Ta＝25℃) 単 位 4.0max (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 C 用途：オーディオ、シリーズレギュータ、一般用 20.0min ■絶対最大定格 B 80 40 –0.1 0 0.02 0.05 0.1 0.5 1 エミッタ電流 I E (A) 5 10 –0.05 –3 –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 53