2sa1493 ds jp

2SA1493
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3857とコンプリメンタリ)
V
ICBO
VCEO
−200
V
VEBO
−6
V
IC
−15
A
hFE
VCE=−4V, IC=−5A
IB
−5
A
VCE(sat)
IC=−10A, IB=−1A
IEBO
VEB=−6V
−100max
μA
V(BR)CEO
IC=−50mA
−200min
V
24.4±0.2
W
fT
VCE=−12V, IE=0.5A
20typ
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
400typ
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
MHz
pF
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
–10
5
–500
500
0.3typ
0.9typ
0.2typ
I C – V CE 特性(代表 例 )
(V C E = – 4V)
I B =–5 0m A
–5
–1
–10
–5
I C =–15A
12
–10A
–5A
–3
0
–4
0
–1
h FE – I C 特性(代表 例 )
Typ
50
–1
200
25 ˚C
50
20
–0.02
–5 –10 –15
–0.1
–0.5
–5
–10 –15
Typ
D
1
10
3m
m
C
s
10
0m
s 10ms
120
s
板
80
付
–10
熱
–2
放
放熱板なし
自然空冷
大
–1
40
–0.1
10
2000
P c – Ta定 格
–5
–0.5
1000
限
10
100
時間 t(ms)
無
コレクタ電流 I C (A)
–10
20
1
0.1
160
20
エミッタ電流 I E (A)
0.5
–50
30
遮断周波数 f T (MH Z )
–1
1
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE = – 12V)
–2
2
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代表例 )
0.1
–1
θ j-a – t特 性
– 30 ˚C
コレクタ電流 I C (A)
0
0.02
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
125 ˚C
100
100
–0.5
0
–4
(V C E = – 4V)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
300
–0.1
–3
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
10
–0.02
–2
ベース電流 I B (A)
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
–2
最大許容損失 P C (W)
–1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
度)
–1 00 mA
–2
(ケ
ース
温度
)
(ケー
ス温度
)
A
5˚C
–200m
0
E
mA
–10
0
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
コレクタ電流 I C (A)
–400
0.65 +0.2
-0.1
–15
–3
A
2
3
製品質量 約18.4g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
5A
–1.
コレクタ電流 I C (A)
–6
m
00
ロ
B
RL
(Ω)
A
イ
5.45±0.1
VCC
(V)
–1
9
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
–15
2.1
2-ø3.2±0.1
50min※
− 3.0max
6.0±0.2
36.4±0.3
ース温
−55∼+150
Tstg
μA
˚C ( ケ
150
Tj
−100max
−30
PC
VCB=−200V
2 5 ˚C
150(Tc=25℃)
単位
7
−200
規格値
21.4±0.3
VCBO
試 験 条 件
記 号
外形図 MT-200
(Ta=25℃)
単 位
4.0max
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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