2sa1216 ds jp

2SA1216
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC2922とコンプリメンタリ)
−180
V
記 号
ICBO
試 験 条 件
単位
VCB＝−180V
−100max
μA
−180
V
IEBO
VEB＝−5V
−100max
μA
VEBO
−5
V
V(BR)CEO
IC＝−25mA
−180min
V
IC
−17
A
hFE
VCE＝−4V, IC＝−8A
IB
−5
A
VCE(sat)
IC＝−8A, IB＝−0.8A
W
fT
VCE＝−12V, IE＝2A
40typ
MHz
℃
COB
VCB＝−10V, f＝1MHz
500typ
pF
℃
※ランク O(30∼60), Y(50∼100), P(70∼140), G(90∼180)
200(Tc＝25℃)
150
Tj
−55∼＋150
Tstg
24.4±0.2
V
IC
(A)
VB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
4
–10
5
–1
1
0.3typ
0.7typ
0.2typ
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
–50mA
–1
–1
–2
–3
–5A
0
–4
0
–0.2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
50
–0.5
0
–1.0
–1
–5
0
–10 –17
–1
–2
–2.4
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
200
2
125 ˚C
100
Typ
–0.1
–0.8
(V C E = – 4V)
直流電流増幅率 h F E
300
10
–0.02
–0.6
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE = – 4V)
25 ˚C
– 30 ˚C
50
10
–0.02
–0.1
–0.5 –1
–5
–10 –17
1
0.5
0.1
1
10
100
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表 例 ）
1000
2000
時間 t(ms)
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
200
–50
60
10
m
160
エミッタ電流 I E (A)
10
–0.2
–2
最大許容損失 P C (W)
80
40
放熱板なし
自然空冷
–10
付
1
板
0.1
熱
0
0.02
120
放
–0.5
大
–1
限
20
–5
無
遮断周波数 f T (MH Z )
s
T
40
DC
–10
yp
コレクタ電流 I C (A)
直流電流増幅率 h F E
–0.4
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
100
–5
I C =–10A
I B =–20mA
0
–10
（ケ
ース
温度
ケー
）
ス温
度）
–30
˚C（
ケー
ス温
度）
–5
–2
5˚C
–150mA
–100mA
0
(V C E = – 4V)
12
–2 00 mA
–10
E
–15
A
コレクタ電流 I C (A)
–3 00 m
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
–17
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
5A
–1
A
00
m
A
–5
–1.
–7
0.65 +0.2
-0.1
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–3
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
–15
2
3
製品質量 約18.4g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
0
–40
ロ
B
RL
(Ω)
A
イ
5.45±0.1
VCC
(V)
m
00
9
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
–17
2.1
2-ø3.2±0.1
30min※
−2.0max
6.0±0.2
36.4±0.3
7
VCEO
PC
外形図 MT-200
(Ta＝25℃)
規格値
˚C（
単 位
21.4±0.3
VCBO
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
4.0max
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
25
LAPT
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
13