UF4001GP ... UF4007GP UF4001GP ... UF4007GP Glass Passivated Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes Glaspassivierte Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2014-06-24 Nominal current Nennstrom ±0.1 5.1 -0.1 Type +0.5 62.5 -4.5 Ø 2.6 Ø 0.77±0.07 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~DO-41 ~DO-204AC Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] UF4001GP 50 50 UF4002GP 100 100 UF4003GP 200 200 UF4004GP 400 400 UF4005GP 600 600 UF4006GP 800 800 UF4007GP 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 1 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/33 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 UF4001GP ... UF4007GP Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns]1) VF [V] UF4001GP ... UF4003GP < 50 < 1.0 1 UF4004GP < 50 < 1.25 1 UF4005GP ... UF4007GP < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM at / bei IR IR IF = [A] < 5 µA < 50 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 10 120 [%] [A] 100 UF4001GP...3GP 1 80 UF4004GP 60 UF4005GP...7GP 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 10 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 2 Tj = 25°C -3 0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG