elm16401ea

单 P 沟道 MOSFET
ELM16401EA-S
■概要
■特点
ELM16401EA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-5A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 49mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 64mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 119mΩ (Vgs=-2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
-30
±12
-5.0
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
-4.2
-30
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
V
V
2.00
1.44
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
t≦10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
47.5
74.0
最大值
62.5
110.0
单位
℃/W
℃/W
备注
37.0
50.0
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
1
5
2
1
4
3
引脚编号
1
引脚名称
DRAIN
2
3
4
DRAIN
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM16401EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Rds(on)
Ta=55℃
nA
-1.0
-1.3
V
A
42
49
74
64
Ta=125℃
mΩ
119
-0.75
-1.00
V
-3
A
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
Coss
Crss
Rg
±100
81
11
Gfs
输出电容
反馈电容
栅极电阻
-0.7
-25
μA
53
正向跨导
Ciss
-5
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-5A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
V
-1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-5A
漏极 - 源极导通电阻
-30
7
Is
S
943
pF
108
73
6
pF
pF
Ω
9.5
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-15V, Id=-5A
Qgd
td(on)
2.1
2.9
6
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=3Ω, Rgen=6Ω
tf
3
40
11
ns
ns
ns
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
21.2
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
12.8
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM16401EA-S
■标准特性和热特性曲线
10
25
Vds=-5V
-10V
20
-4.5V
8
15
-Id (A)
-Id (A)
-3V
-2.5V
10
2
0
0
0
1
2
3
4
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
120
1
1.5
2
2.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Normalized On-Resistance
Vgs=-2.5V
80
1.2
60
Vgs=-4.5V
40
Vgs=-10V
3
Id=-5A
Vgs=-4.5V
Vgs=-10V
1.4
Vgs=-2.5V
Id=-2A
1
0.8
20
0
2
4
6
8
0
10
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
190
170
1.0E+00
150
Id=-2A
1.0E-01
130
125°C
1.0E-02
110
90
-Is (A)
Rds(on) (m� )
0.5
1.6
100
Rds(on) (m� )
125°C
4
25°C
Vgs=-2V
5
6
125°C
70
1.0E-03
25°C
50
25°C
1.0E-04
.
1.0E-05
30
10
0
2
4
6
8
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM16401EA-S
5
1200
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
1400
Vds=-15V
Id=-5A
3
2
1
1000
600
400
Coss
Crss
200
0
2
6
8
10
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10.0
4
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
10ms
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
10
1s
10s
DC
0.1
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
15
20
25
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
100�s
0.1s
1
10
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
10
10�s
1ms
0.1
5
40
Rds(on)
limited
1.0
0
12
Power (W)
0
-Id (Amps)
Ciss
800
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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