elm13400ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM13400CA-S
■概要
■特点
ELM13400CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=5.8A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 33mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
漏极电流(脉冲)
Vds
Vgs
30
±12
V
V
Id
5.8
4.9
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
30
1.4
1.0
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
65
最大值
90
单位
℃/W
85
43
125
60
℃/W
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM13400CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
1
Ta=55℃
1.4
V
A
Vgs=4.5V, Id=5A
22.8
32.0
27.3
28.0
39.0
33.0
43.3
15
52.0
0.71
1.00
V
2.5
A
1030
pF
99
77
1.2
3.6
pF
pF
Ω
9.7
12.0
nC
1.6
3.1
3.3
5.0
nC
nC
ns
Vgs=10V
Id=5.8A
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
0.7
30
Ta=125℃
10
Is
Qg
μA
1.1
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
5
nA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
100
Vgs=2.5V, Id=4A
Vds=5V, Id=5A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
30
823
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V,
mΩ
S
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=10V, Vds=15V
RL=2.7Ω, Rgen=3Ω
4.8
26.3
4.1
7.0
40.0
6.0
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
16
20
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
8.9
12.0
nC
Id=5.8A
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM13400CA-S
■标准特性和热特性曲线
25
20
10V
3V
2.5V
15
12
10
8
Vgs=2V
5
125°C
0
0
1
2
3
4
Vds(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
60
0.5
1
1.5
2
2.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
3
Normalized On-Resistance
1.8
50
Vgs=2.5V
40
30
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
10
0
5
10
15
20
0
25
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
70
1.0E+01
60
1.0E+00
1.0E-01
50
Is (A)
125°C
40
30
75
100
125
150
175
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
20
50
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
Id=5A
Rds(on) (m� )
25°C
4
0
Rds(on) (m� )
Vds=5V
16
4.5V
Id(A)
Id (A)
20
1.0E-05
1.0E-06
10
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM13400CA-S
5
1200
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
1400
Vds=15V
Id=5A
3
2
1
1000
Ciss
800
600
400
Coss
200
0
0
2
4
6
8
10
0
12
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1ms
1.0
10ms
10s
0.1
DC
1
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
10
1s
0.1
15
30
100�s
0.1s
10
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
10.0 limited
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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