单 N 沟道 MOSFET ELM13400CA-S ■概要 ■特点 ELM13400CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.8A (Vgs=10V) ·Rds(on) ＜ 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) ＜ 33mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) ＜ 52mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极电流（脉冲） Vds Vgs 30 ±12 V V Id 5.8 4.9 A 1 A 2 W 1 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 30 1.4 1.0 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 65 最大值 90 单位 ℃/W 85 43 125 60 ℃/W ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM13400CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 1 Ta=55℃ 1.4 V A Vgs=4.5V, Id=5A 22.8 32.0 27.3 28.0 39.0 33.0 43.3 15 52.0 0.71 1.00 V 2.5 A 1030 pF 99 77 1.2 3.6 pF pF Ω 9.7 12.0 nC 1.6 3.1 3.3 5.0 nC nC ns Vgs=10V Id=5.8A Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg 0.7 30 Ta=125℃ 10 Is Qg μA 1.1 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 5 nA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 100 Vgs=2.5V, Id=4A Vds=5V, Id=5A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 30 823 Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=15V, mΩ S 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=10V, Vds=15V RL=2.7Ω, Rgen=3Ω 4.8 26.3 4.1 7.0 40.0 6.0 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=5A, dlf/dt=100A/μs 16 20 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=5A, dlf/dt=100A/μs 8.9 12.0 nC Id=5.8A 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM13400CA-S ■标准特性和热特性曲线 25 20 10V 3V 2.5V 15 12 10 8 Vgs=2V 5 125°C 0 0 1 2 3 4 Vds(Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 60 0.5 1 1.5 2 2.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 3 Normalized On-Resistance 1.8 50 Vgs=2.5V 40 30 Vgs=4.5V 20 Vgs=10V 1.6 Vgs=4.5V 1.4 Vgs=10V 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 10 0 5 10 15 20 0 25 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 70 1.0E+01 60 1.0E+00 1.0E-01 50 Is (A) 125°C 40 30 75 100 125 150 175 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 25°C 20 50 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id=5A Rds(on) (m� ) 25°C 4 0 Rds(on) (m� ) Vds=5V 16 4.5V Id(A) Id (A) 20 1.0E-05 1.0E-06 10 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM13400CA-S 5 1200 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 1400 Vds=15V Id=5A 3 2 1 1000 Ciss 800 600 400 Coss 200 0 0 2 4 6 8 10 0 12 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 1ms 1.0 10ms 10s 0.1 DC 1 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 10 1s 0.1 15 30 100�s 0.1s 10 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C Rds(on) 10.0 limited 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000