elm16405ea

单 P 沟道 MOSFET
ELM16405EA-S
■概要
■特点
ELM16405EA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-5A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 87mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
-30
±20
-5.0
-4.2
-20
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
1
Pd
2.0
1.4
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
典型值
最大值
单位
47.5
74.0
37.0
62.5
110.0
50.0
℃/W
℃/W
℃/W
■引脚配置图
1
5
2
1
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
备注
4
3
引脚编号
1
2
引脚名称
DRAIN
DRAIN
3
4
5
GATE
SOURCE
DRAIN
6
DRAIN
4-1
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D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM16405EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
-30
-1
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-5A
-5
-1.0
-20
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Gfs
Vsd
V
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
6.0
±100
nA
-1.8
-3.0
V
A
39
54
67
52
70
87
8.6
-0.77
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
mΩ
-1.00
S
V
-2.8
A
840
pF
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
700
120
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
75
10
15
pF
Ω
14.7
7.6
18.0
9.5
nC
nC
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
2.0
3.8
8.3
nC
nC
ns
5.0
29.0
14.0
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
23.5
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
13.4
3.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 P 沟道 MOSFET
ELM16405EA-S
■标准特性和热特性曲线
20
-10V
-6V
-4.5V
15
-4V
10
-3.5V
Vgs=-3V
5
0
0.00
2.00
3.00
4.00
6
4
125°C
2
-2.5V
1.00
Vds=-5V
8
-Id (A)
-Id (A)
10
-5V
25°C
0
5.00
0
1
3
4
1.60E+00
80
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
100
Vgs=-4.5V
60
Vgs=-10V
40
20
1
3
5
7
Vgs=-4.5V
1.40E+00
Vgs=-10V
1.20E+00
Id=-5A
1.00E+00
8.00E-01
9
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E+01
160
140
1E+00
Id=-5A
120
1E-01
100
1E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
2
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
125°C
80
125°C
1E-03
25°C
1E-04
60
1E-05
25°C
40
1E-06
FUNCTIONS
AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
20
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM16405EA-S
10
1000
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1200
Vds=-15V
Id=-5A
6
4
2
Ciss
800
600
400
Coss
200
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Crss
0
16
0
5
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
30
100�s
1ms
0.1s
1
10ms
10s
0.1
DC
1
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
20
0
0.001
-Vds (Volts)
10
25
10
1s
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
Rds(on)
limited
10
15
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT
NOTICE.
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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