单 P 沟道 MOSFET ELM16405EA-S ■概要 ■特点 ELM16405EA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-5A (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 52mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 87mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） -30 ±20 -5.0 -4.2 -20 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A 1 A 2 1 Pd 2.0 1.4 W Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl 典型值 最大值 单位 47.5 74.0 37.0 62.5 110.0 50.0 ℃/W ℃/W ℃/W ■引脚配置图 1 5 2 1 3 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 备注 4 3 引脚编号 1 2 引脚名称 DRAIN DRAIN 3 4 5 GATE SOURCE DRAIN 6 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM16405EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 -30 -1 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) Vgs=-10V, Id=-5A -5 -1.0 -20 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-4A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Gfs Vsd V Vds=-5V, Id=-5A Is=-1A, Vgs=0V 6.0 ±100 nA -1.8 -3.0 V A 39 54 67 52 70 87 8.6 -0.77 Is Ciss Coss Crss Rg Qg Qg μA mΩ -1.00 S V -2.8 A 840 pF pF Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 700 120 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 75 10 15 pF Ω 14.7 7.6 18.0 9.5 nC nC Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω tf 2.0 3.8 8.3 nC nC ns 5.0 29.0 14.0 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 23.5 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 13.4 3.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM16405EA-S ■标准特性和热特性曲线 20 -10V -6V -4.5V 15 -4V 10 -3.5V Vgs=-3V 5 0 0.00 2.00 3.00 4.00 6 4 125°C 2 -2.5V 1.00 Vds=-5V 8 -Id (A) -Id (A) 10 -5V 25°C 0 5.00 0 1 3 4 1.60E+00 80 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 100 Vgs=-4.5V 60 Vgs=-10V 40 20 1 3 5 7 Vgs=-4.5V 1.40E+00 Vgs=-10V 1.20E+00 Id=-5A 1.00E+00 8.00E-01 9 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 160 140 1E+00 Id=-5A 120 1E-01 100 1E-02 -Is (A) Rds(on) (m� ) 2 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Figure 1: On-Region Characteristics 125°C 80 125°C 1E-03 25°C 1E-04 60 1E-05 25°C 40 1E-06 FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 20 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM16405EA-S 10 1000 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 1200 Vds=-15V Id=-5A 6 4 2 Ciss 800 600 400 Coss 200 0 0 2 4 6 8 10 12 14 Crss 0 16 0 5 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 30 100�s 1ms 0.1s 1 10ms 10s 0.1 DC 1 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 20 0 0.001 -Vds (Volts) 10 25 10 1s 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Rds(on) limited 10 15 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000