elm13406ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM13406CA-S
■概要
■特点
ELM13406CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3.6A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 65mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 105mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
30
±20
3.6
2.9
15
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
1
Pd
1.4
0.9
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
70
100
63
90
125
80
℃/W
℃/W
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM13406CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
30
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
15
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Vgs=10V
Rds(on) Id=3.6A
Gfs
Vsd
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=2.8A
Vds=5V, Id=3.6A
Is=1A
1.9
50
65
74
100
75
7
0.79
105
Is
Ciss
288
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
57
39
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V, Id=3.6A
nA
V
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
3.0
μA
mΩ
1.00
S
V
2.5
A
375
pF
pF
pF
3
6
Ω
6.5
3.1
1.2
8.5
4.0
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
1.6
4.6
1.9
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
20.1
2.6
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=3.6A, dlf/dt=100A/μs
If=3.6A, dlf/dt=100A/μs
10.2
3.5
14.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM13406CA-S
■标准特性和热特性曲线
15
10
10V
4.5V
6V
8
4V
9
Id(A)
Id (A)
12
3.5V
6
Vds=5V
6
4
125°C
Vgs=3V
3
2
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
3
100
4
4.5
5
1.8
Normalized On-Resistance
90
Vgs=4.5V
80
70
60
50
Vgs=10V
40
Id=3.6A
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
200
Id=3.6A
1.0E+00
125°
150
1.0E-01
100
Is (A)
Rds(on) (m� )
3.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Rds(on) (m� )
2.5
125°C
1.0E-02
25°
1.0E-03
50
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM13406CA-S
10
Ciss
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
400
Vds=15V
Id=3.6A
6
4
2
300
200
Coss
0
0
1
2
3
4
5
6
0
7
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1ms
0.1s 10ms
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
5
10s
DC
0.1
1
10
0
0.001
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
1s
10
15
15
10�s
100�s
Power (W)
Id (Amps)
Rds(on)
limited
0.1
10
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
1.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
Crss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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