单 N 沟道 MOSFET ELM13406CA-S ■概要 ■特点 ELM13406CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3.6A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 65mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 105mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 30 ±20 3.6 2.9 15 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A 1 A 2 1 Pd 1.4 0.9 W Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 70 100 63 90 125 80 ℃/W ℃/W ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM13406CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 30 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 15 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Vgs=10V Rds(on) Id=3.6A Gfs Vsd V Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=2.8A Vds=5V, Id=3.6A Is=1A 1.9 50 65 74 100 75 7 0.79 105 Is Ciss 288 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 57 39 Rg 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V, Id=3.6A nA V A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 栅极电阻 开关特性 3.0 μA mΩ 1.00 S V 2.5 A 375 pF pF pF 3 6 Ω 6.5 3.1 1.2 8.5 4.0 nC nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 1.6 4.6 1.9 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf 20.1 2.6 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=3.6A, dlf/dt=100A/μs If=3.6A, dlf/dt=100A/μs 10.2 3.5 14.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM13406CA-S ■标准特性和热特性曲线 15 10 10V 4.5V 6V 8 4V 9 Id(A) Id (A) 12 3.5V 6 Vds=5V 6 4 125°C Vgs=3V 3 2 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 1.5 2 3 100 4 4.5 5 1.8 Normalized On-Resistance 90 Vgs=4.5V 80 70 60 50 Vgs=10V 40 Id=3.6A 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 Id=3.6A 1.0E+00 125° 150 1.0E-01 100 Is (A) Rds(on) (m� ) 3.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Rds(on) (m� ) 2.5 125°C 1.0E-02 25° 1.0E-03 50 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM13406CA-S 10 Ciss Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 400 Vds=15V Id=3.6A 6 4 2 300 200 Coss 0 0 1 2 3 4 5 6 0 7 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 1ms 0.1s 10ms 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 5 10s DC 0.1 1 10 0 0.001 100 Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 1s 10 15 15 10�s 100�s Power (W) Id (Amps) Rds(on) limited 0.1 10 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 1.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 10.0 Crss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000