elm13418ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM13418CA-S
■概要
■特点
ELM13418CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=3.8A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) <155mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±12
3.8
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
3.1
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
V
15
1.4
0.9
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
70
100
63
90
125
80
℃/W
℃/W
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM13418CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
0.001
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
15
Rds(on)
1.000
5.000
100
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
1.4
1.8
μA
nA
V
A
43
60
64
85
Vgs=4.5V, Id=3.5A
Vgs=2.5V, Id=1A
Vds=5V, Id=3.8A
52
101
11.7
70
155
Is=1A, Vgs=0V
0.81
1.00
2.5
V
A
270
pF
pF
Vgs=10V
Id=3.8A
Ta=125℃
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
226
39
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
29
1.4
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.8A
3.00
1.40
mΩ
S
1.7
3.60
pF
Ω
nC
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
0.55
2.6
3.2
4.0
5.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=3.9Ω, Rgen=6Ω
tf
14.5
2.1
22.0
3.0
ns
ns
10.2
3.8
13.0
5.0
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=3.8A, dlf/dt=100A/μs
If=3.8A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM13418CA-S
■标准特性和热特性曲线
10
15
10V
3.5V
4V
6V
6
9
6
4
Vgs=2.5V
125°C
3
2
0
25°C
0
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
200
1
1.5
2
2.5
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Normalized On-Resistance
Vgs=2.5V
125
Vgs=4.5V
Id=3.5A
1.7
Vgs=10V
1.4
100
75
50
Vgs=10V
25
3.6 Id=3.8A
1.2
Vgs=4.5V
0
Vgs=2.5V
Id=1A
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
100
25
50
75
100
125
13
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
Id=3.8A
90
3.5
270
1.6
150
1.0E+00
80
125°C
1.0E-01
70
Is (A)
Rds(on) (m� )
0.5
1.8
175
Rds(on) (m� )
Vds=5V
8
3V
Id(A)
Id (A)
12
125°C
1.0E-02
60
25°C
50
1.0E-03
40
1.0E-04
30
0
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
25°C
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM13418CA-S
5
350
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
400
Vds=15V
Id=3.8A
3
2
1
300
Ciss
250
200
150
Coss
Crss
100
50
0
0
1
3
4
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
1ms
100�s
1.7
3.6
10
1s
5
10s
DC
0.1
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
1.0
10
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
270
0.1s 10ms
0.1
10
20
10�s
Rds(on)
limited
5
Power (W)
10.0
0
5
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100.0
Id (Amps)
2
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
100
0
0.001
13
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
1
10
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
4-4
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100
1000
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