g6742 series kird1016j

PHOTODIODE
InGaAs PINフォトダイオード
G6742シリーズ
表面実装型
特長
用途
l 小型チップキャリアパッケージ
l 高信頼性
l 低価格
l レーザダイオードのモニタ
■ 一般定格
項目
パッケージ
受光面サイズ
G6742-01
単位
φ0.3
φ1.0
mm
G6742-003
20
G6742-01
10
G6742-003
セラミックベース
■ 絶対最大定格
項目
記号
逆電圧
VR Max.
動作温度
Topr
保存温度
Tstg
* 結露なきこと
単位
V
°C
°C
-40 ～ +85 *
-55 ～ +125 *
■ 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
感度波長範囲
最大感度波長
λ
λp
受光感度
S
暗電流
ID
遮断周波数
fc
端子間容量
Ct
並列抵抗
比検出能力
雑音等価電力
Rsh
D∗
NEP
条件
λ=1.3 µm
λ=1.55 µm
VR=5 V
VR=5 V, RL=50 Ω
-3 dB
f=1 MHz
VR=5 V
VR=10 mV
λ=λp
λ=λp
Min.
0.8
0.85
-
G6742-003
Typ.
0.9 ～ 1.7
1.55
0.9
0.95
0.3
Max.
1.5
Min.
0.8
0.85
-
G6742-01
Typ.
0.9 ～ 1.7
1.55
0.9
0.95
1
Max.
5
-
300
-
-
35
-
MHz
-
10
-
-
90
-
pF
-
1000
5 × 1012
4 × 10-15
-
-
100
5 × 1012
2 × 10-14
-
MΩ
cm･
Hz1/2/W
W/Hz1/2
単位
µm
µm
A/W
nA
InGaAs PINフォトダイオード
■ 分光感度特性
■ 感度の温度特性
(Typ. Ta=25 ˚C)
1
G6742シリーズ
■ 暗電流－逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C)
2
(Typ. Ta=25 ˚C)
1 µA
感度の温度係数 (%/˚C)
0.5
1
暗電流
受光感度 (A/W)
100 nA
10 nA
G6742-01
1 nA
0
100 pA
G6742-003
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-1
0.8
2.0
1.0
1.2
波 長 (µm)
1.4
1.6
10 pA
0.01
1.8
0.1
1
KIRDB0002JB
■ 端子間容量－逆電圧
10
100
逆電圧 (V)
波 長 (µm)
KIRDB0042JA
KIRDB0150JA
■ 並列抵抗－周囲温度
(Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz)
10 nF
100 GΩ
1 nF
10 GΩ
(Typ. VR=10 mV)
100 pF
並列抵抗
端子間容量
G6742-003
G6742-01
10 pF
1 GΩ
100 MΩ
G6742-01
G6742-003
1 pF
100 fF
0.01
10 MΩ
0.1
1
10
1 MΩ
-40
100
-20
20
0
40
60
80
100
周囲温度 (˚C)
逆電圧 (V)
KIRDB0209JA
KIRDB0210JA
■ 外形寸法図 (単位: mm, 公差: ±0.1)
G6742-003
G6742-01
0.6 MAX.
0.6 MAX.
2.0
0.2
2.6
4.0
1
0.3
2.0
受光部
0.2
0.2
0.5
2.6
0.3
0.2
4.0
0.3
0.3
0.15
0.3
2.0
受光部
1.7
0.5
0.15
0.2
0.5
0.15
1.7
0.5
0.15
アノード
カソード
金メッキ部
KIRDA0057JA
2.0
アノード
カソード
金メッキ部
KIRDA0058JA
InGaAs PINフォトダイオード
G6742シリーズ
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Oct. 2010 DN