Si PINフォトダイオード S2744/S3588-08, -09 大面積Si PINフォトダイオード 特長 用途 BGO、CsI(TI)シンチレータに適した感度 高量子効率 (未封止タイプ): QE=85 % (λ=540 nm) シンチレーション検出 低容量 TOFカウンタ ホドスコープ 高速応答 高安定性 高エネルギー分解能 構成／絶対最大定格 型名 S2744-08 S2744-09 S3588-08 S3588-09 窓材 受光面サイズ 空乏層厚 (mm) (mm) エポキシ樹脂 逆電圧 VR max. 絶対最大定格 許容損失 動作温度 P Topr (mW) (°C) 保存温度 Tstg (°C) 10 × 20 未封止 0.3 エポキシ樹脂 100 100 -20 ～ +60 -20 ～ +80 3 × 30 未封止 注) 絶対最大定格の範囲内で必ず使用してください。絶対最大定格を超えると、1項目だけで瞬時であっても製品の品質を損なう恐れが あります。 電気的および光学的特性 (指定のない場合はTyp. Ta=25 °C) 型名 S2744-08 S2744-09 S3588-08 S3588-09 感度波長 範囲 λ 最大感度 波長 λp (nm) (nm) 340 ～ 1100 960 受光感度 S LSO 420 nm (A/W) (A/W) 0.20 0.22 0.66 0.20 0.22 λ=λp BGO 480 nm (A/W) 0.30 0.33 0.30 0.33 暗電流 端子間 遮断 ID 短絡電流 暗電流の 容量 周波数 VR=70 V 温度係数 Isc Ct fc f= 1MHz TCID CsI(TI) 100 lx VR=70 V Typ. Max. VR=70 V 540 nm (MHz) (pF) (A/W) (μA) (nA) (nA) (倍/°C) 0.36 200 25 85 0.41 180 3 10 1.12 0.36 100 40 40 0.41 80 浜松ホトニクス株式会社 雑音等 価電力 VR=70 V (W/Hz1/2) 4.7 × 10 -14 1 S2744/S3588-08, -09 Si PINフォトダイオード 分光感度特性 感度の温度係数 !!" !!" KPINB0265JA 暗電流－逆電圧 KPINB0093JB 端子間容量－逆電圧 !!"#$"% KPINB0220JB &##"#$"% KPINB0222JA 2 S2744/S3588-08, -09 Si PINフォトダイオード 外形寸法図 (単位: mm) S2744-08 S2744-09 KPINA0108JA KPINA0039JB S3588-08 S3588-09 KPINA0109JA KPINA0042JB 3 Si PINフォトダイオード S2744/S3588-08, -09 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意 ・ 未封止製品／使用上の注意 技術情報 ・ Siフォトダイオード／技術資料 ・ Siフォトダイオード／用語の説明 ・ Siフォトダイオード／信頼性 ・ Siフォトダイオード／応用回路例 本資料の記載内容は、平成23年9月現在のものです。 Cat. No. KPIN1049J01 Sep. 2011 DN 4