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BAV19WS...BAV21WS
BAV19WS...BAV21WS
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-09-27
±0.1
Type
Code
1.25
0.3
±0.1
1±0.1
1.7±0.1
2.5±0.2
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
120...250 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
~ SOD-323
Weight approx. – Gewicht ca.
0.005 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25° C)
Grenzwerte (TA = 25° C)
BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
200 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
200 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
625 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
0.5 A
2.5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
VRRM
VRRM
VRRM
120 V
200 V
250 V
Continuous reverse voltage
Sperrspannung
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
VR
VR
VR
100 V
150 V
200 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
+150° C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
- 55…+150° C
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com
1
BAV19WS...BAV21WS
Characteristics (Tj = 25° C)
Kennwerte (Tj = 25° C)
Forward voltage )
Durchlass-Spannung
IF = 100 mA
IF = 200 mA
VF
VF
<1V
< 1.25 V
VR = 100 V
VR = 150 V
VR = 200 V
IR
< 100 nA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
< 5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 30 mA über/ through IR = 30 mA bis / to IR = 1 mA
trr
< 50 ns
1
Leakage current 1)
Sperrstrom
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
Tj = 25° C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Marking – Stempelung
RthA
< 625 K/W
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
2
WO
1
120
[%]
[A]
100
10
-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycles ≤ 2 %
gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2 %
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com
© Diotec Semiconductor AG
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