s3590-08 etc kpin1052j

Si PINフォトダイオード
S3590-08/-09/-18/-19
大面積Si PINフォトダイオード
特長
用途
BGO、CsI(TI)シンチレータに適した感度 (S3590-08/-09)
青色シンチレータ (LSO、GSOなど)に適した感度 (S3590-18/-19)
シンチレーション検出
S3590-09/-19: ベアチップタイプ (未封止)
TOFカウンタ
放射線検出
高量子効率: S3590-09 (λ=540 nm)
S3590-19 (λ=400 nm)
低容量
ホドスコープ
X線検出
高速応答
高安定性
高エネルギー分解能
構成/絶対最大定格
型名
S3590-08
S3590-09
S3590-18
S3590-19
窓材
受光面サイズ
空乏層厚
(mm)
(mm)
10 × 10
0.3
逆電圧
VR max.
絶対最大定格
許容損失
動作温度
P
Topr
(mW)
(°C)
保存温度
Tstg
(°C)
エポキシ樹脂
未封止
エポキシ樹脂
100
100
-20 ~ +60
-20 ~ +80
未封止
注 ) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性
型名
S3590-08
S3590-09
S3590-18
S3590-19
感度波長 最大感度
波長
範囲
λp
λ
(nm)
(nm)
340 ~ 1100
960
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
0.66
0.65
0.58
LSO
420 nm
(A/W)
0.20
0.22
0.28
0.33
BGO
480 nm
(A/W)
0.30
0.33
0.34
0.37
暗電流
端子間
暗電流の 遮断
ID
短絡電流
容量
温度係数 周波数
VR=70 V
Isc
Ct
fc
TCID
f= 1MHz
CsI(TI) 100 lx
Typ. Max. VR=70 V VR=70 V
VR=70 V
540 nm
(MHz)
(pF)
(A/W)
(μA) (nA) (nA) (倍/°C)
0.36
100
2
6
0.41
90
1.12
40
40
0.38
100
4 10
0.4
86
浜松ホトニクス株式会社
雑音等
価電力
VR=70 V
(W/Hz1/2)
3.8 × 10 -14
7.6 × 10 -14
1
S3590-08/-09/-18/-19
Si PINフォトダイオード
分光感度特性
S3590-08
S3590-09
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
QE=100 %
0.6
0.5
਋࢕ۜഽ (A/W)
਋࢕ۜഽ (A/W)
QE=100 %
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.4
0.3
0.2
0.1
0
300
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
0.1
400
500
600
700
800
900
0
300
1000 1100
400
500
600
෨ಿ (nm)
700
800
900
1000 1100
෨ಿ (nm)
KPINB0231JA
KPINB0263JA
S3590-18
S3590-19 (ベアチップタイプ)
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
QE=100 %
0.6
0.5
0.5
਋࢕ۜഽ (A/W)
਋࢕ۜഽ (A/W)
QE=100 %
0.6
0.4
0.3
0.4
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100
0
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KPINB0223JB
KPINB0224JB
2
S3590-08/-09/-18/-19
Si PINフォトダイオード
感度の温度特性
暗電流-逆電圧
(Typ.)
+1.5
(Typ. Ta=25 °C)
100 nA
10 nA
ճഩၠ
‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
+1.0
+0.5
S3590-18/-19
1 nA
0
-0.5
300
S3590-08/-09
400
500
600
700
800
900
1000 1100
100 pA
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
෨ಿ (nm)
KPINB0093JB
KPINB0232JB
端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
10 nF
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
1 nF
S3590-18/-19
S3590-08/-09
100 pF
10 pF
0.1
10
1
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KPINB0234JB
3
Si PINフォトダイオード
S3590-08/-09/-18/-19
外形寸法図 (単位: mm)
S3590-08/-18
S3590-09/-19
+0
+0
14.5 - 0.5
14.5 - 0.5
1.4
0.45
ςȜΡ
1.78 ± 0.2
ฒΓρηΛ·
਋࢕࿂
10
0.45
ςȜΡ
0.7
ฒΓρηΛ·
਋࢕࿂
1.78 ± 0.2
ਏড
਋࢕໐
10 × 10
10
0.7
਋࢕໐
10 × 10
+0
+0
12.7 - 0.5
12.7 - 0.5
1.4
1.25
5.0 ± 0.2
1.25
5.0 ± 0.2
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KPINA0098JB
KPINA0014JB
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
・ 未封止製品/使用上の注意
技術情報 ・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成24年4月現在のものです。
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Cat. No. KPIN1052J02 Apr. 2012 DN
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