5 mm (T1 3/4) LED, Diffused Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH 5464 Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke Lötspieße ohne Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06713 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● colored, diffused package double heterojunction in GaAIAs technology especially high luminous intensity solder leads without stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LH 5464-MQ LH 5464-N LH 5464-P LH 5464-Q LH 5464-NR hyper-red red diffused 10 … 25 … 40 … 63 … 25 … Q62703-Q3829 Q62703-Q3830 Q62703-Q2753 Q62703-Q3831 Q62703-Q3832 125 50 80 125 200 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LH 5464 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 40 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 120 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 400 K/W Semiconductor Group 2 LH 5464 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 660 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 645 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 22 nm 2ϕ 35 Grad deg. Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 1.75 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 µA µA (typ.) C0 25 pF (typ.) tr (typ.) tf 140 110 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 LH 5464 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LH 5464 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LH 5464 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LH 5464 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06718 Maßzeichnung Package Outlines Anodenkennzeichnung: Anode mark: Semiconductor Group Kürzerer Lötspieß Short solder lead 7