D650S14T QR Data Sheet (146 KB, EN/DE)

S
Datenblatt / Data sheet
Schnelle Diode
Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Kenndaten
Periodische
Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
D650S
Tvj = -40°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
VRRM
1200 V
1400 V
IFRMSM
1400 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C
IFAVM
620 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
960 A
IFRMS
1510 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
IFSM
12200 A
10100 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
I²t
744,2 A²s
510,05 A²s
Tvj = Tvj max , iF = 2700 A
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
IEC 747-2
Tvj = Tvj max, iFM = 2700 A,
diF/dt = 50 A/µs
VFRM
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / Method II
iFM = diF/dt · tfr = 2700 A
Tvj = Tvj max, diF/dt = 50 A/µs
tfr
Sperrstrom
reverse current
Tvj = +25°C
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 900A, -diF/dt = 50 A/µs
vR ≈ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
IRM
122 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 900 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR ≈ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
Qr
370 µAs
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 900 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR ≈ 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
trr
5,3 µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
prepared by: H.Sandmann
date of publication:
revision:
approved by: M.Leifeld
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max.
2,25 V
1,0 V
0,45 mΩ
2,9 V
5 µs
max.
20 mA
200 mA
2009-03-16
1.0
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Datenblatt / Data sheet
Schnelle Diode
Fast Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
D650S
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,048
0,045
0,085
0,082
0,103
0,100
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
RthCH
150 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+150
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150
Mechanische Eigenschaften
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
G
Schwingfestigkeit
vibration resistance
6…14,5
typ.
270
kN
g
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
Schnelle Diode
Fast Diode
D650S
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Datenblatt / Data sheet
D650S
Schnelle Diode
Fast Diode
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
R,T – Werte
R,Tau-Glieder
des Elements
Kühlung
/
Pos. n
1
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,001080
0,00420
0,00596
0,0183
0,01546
-
-
τn [s]
0,000378
0,00189
0,01850
0,1470
1,22000
-
-
Rthn [°C/W]
0,001060
0,00407
0,00519
0,0167
0,00698
0,048
-
τn [s]
0,000377
0,00182
0,01560
0,1210
0,57100
7,210
-
Rthn [°C/W]
0,001090
0,00423
0,00616
0,0186
0,01340
0,05652
-
τn [s]
0,000379
0,00190
0,01920
0,1520
2,54000
9,90000
-
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
Transienter Wärmewiderstand
Z
thJC [°C/W]
0,12
0,10
c
0,08
a
0,06
b
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
D650S
Schnelle Diode
Fast Diode
4.000
3.500
Sperrverzögerungsladung
3.000
iF [A]
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
vF [V]
Rückstromspitze Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
Schnelle Diode
Fast Diode
D650S
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