Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values ITRMSM 200 400 600 200 400 600 250 450 650 4900 Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM,VRRM Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage VDSM ElektrischeT Eigenschaften = -40°C... T vj Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage vj max Tvj = +25°C... Tvj max VRSM Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current V V V V V V V V V A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85 °C ITAVM 2510 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM 3410 A ITRMS 5350 A Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current 1) Stossstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms ITSM 46000 A 42000 A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 10580 10³ A²s 8820 10³ A²s Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr 200 A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F (dvD/dt)cr 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 6 kA Tvj = Tvj max , iT = 2,5 kA vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Durchlasskennlinie 600 A ≤ iT ≤ 12600 A on-state characteristic Tvj = Tvj max v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅ max. max. 0,75 V 0,072 mΩ A= B= C= D= iT 1,22 V 0,96 V 8,549E-01 4,318E-05 -3,346E-02 5,182E-03 Zündstrom gate trigger current Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 1,5 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 mA 5 mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20 µs IL max. 1200 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM i D, i R max. 150 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd max. 4 µs 1) 600V auf Anfrage / 600V on request prepared by: H.Sandmann date of publication: revision: approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 2008-09-15 3.0 Seite/page 1/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM = 100 V, v = 0,67 V ThermischevdvEigenschaften /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs / 4 letter O Mechanische4.Kennbuchstabe Eigenschaften RM D Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink DM tq typ. 200 µs DRM T th Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC RthJC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides RthCH max. max. max. max. max. max. 0,0184 0,0170 0,0344 0,0330 0,0364 0,0350 max. max. 0,0025 °C/W 0,0050 °C/W 140 °C °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+140 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force F Steueranschlüsse control terminals Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode Gewicht weight G 24...56 kN A 2,8x0,5 Ø 1,5 A 4,8x0,5 typ. 600 Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann mm mm mm g 20 mm f = 50 Hz A 44/08 50 m/s² Seite/page 2/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N Massbild 1: Anode / Anode 4 5 2: Kathode / Cathode 1 2 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 3/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor R,t – Werte Diagramme Kühlung / Diagramme Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided T2510N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 0,00022 0,00110 0,00102 0,00283 0,00608 0,00575 - τn [s] 0,00136 0,00306 0,01390 0,06620 0,51200 1,49000 - Rthn [°C/W] 0,00065 0,0019 0,00239 0,00381 0,00425 0,02 - τn [s] 0,00160 0,0091 0,07910 0,26000 1,73600 7,21 - Rthn [°C/W] 0,00055 0,00206 0,00604 0,00551 0,02084 - - τn [s] 0,00140 0,00857 0,15400 2,58000 7,00700 - - Rthn [°C/W] Trans. Wärmewid. beidseitig ZthJC = Analytische Funktion / Analytical function: nmax ΣR n=1 thn 1− e -t τn 0,04 c a Z thJC [°C/W] 0,03 0,02 b 0,01 0,00 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 4/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Durchlasskennlinie Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00188 0,00316 0,00413 0,00547 0,00745 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00135 0,00198 0,00282 0,00416 0,00646 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00185 0,00302 0,00393 0,00523 0,00727 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00131 0,00187 0,00263 0,00388 0,00622 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00185 0,00302 0,00390 0,00517 0,00724 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00132 0,00186 0,00259 0,00381 0,00614 Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin 14.000 Tvj = Tvj max 12.000 iT [A] 10.000 8.000 6.000 4.000 2.000 0 0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 VT [V] 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 5/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N 5000 Durchlassverluste 180° 4000 120° 0° 0 180° 90° PTAV [W] 60° 3000 θ = 30° 2000 1000 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 ITAV [A] Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 0° 180° 0 T C [°C] 100 80 60 40 θ = 30° 60° 90° 120° 180° 20 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 I TAV [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 6/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N 6000 Tc 5000 0° 180° 0 180° 120° 4000 PTAV [W] DC 90° 60° θ = 30° 3000 2000 1000 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 ITAV [A] Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 140 120 0° 0 180° T C [°C] 100 80 60 40 θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC 20 0 1000 2000 3000 I TAV [A] 4000 5000 6000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 7/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N 100 Steuerkennlinie vG [V] 10 c d Tvj = -40 °C Tvj = +140°C 1 Tvj = +25°C a b 0,1 10 100 1000 iG [mA] 10000 100000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : c - 100W / 0,5ms Zündverzug a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms d – 150W / 0,1ms 10000 Qr [µAs] iTM = 1000A - 4000A 500A 200A 100A 50A 1000 1 10 -di/dt [A/µs] 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 8/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N 50 IT(OV)M [kA] 40 30 0-50V 20 0,33 VRRM 0,67 VRRM 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 9/10 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T2510N Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 44/08 Seite/page 10/10