CY14E256LA 256-Kbit (32 K × 8) nvSRAM Datasheet(Japanese).pdf

CY14E256LA
256K ビ ッ ト (32K × 8) nvSRAM
256K ビ ッ ト (32K × 8) nvSRAM
特長
機能の詳細
■
25ns および 45ns のア ク セス時間
■
回数制限のない読み出 し 、書き込み、および RECALL サイ クル
■
QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイ クル
サイ プ レ スの CY14E256LA は、 メ モ リ セルご と に不揮発性要
素 を 組み込んだ高速ス タ テ ィ ッ ク RAM で す。 こ の メ モ リ は
32KB で構成 さ れています。 組み込み型不揮発性素子には、 世
界最高級の信頼性 を 備 え た不揮発性 メ モ リ を 実現す る
QuantumTrap 技術を採用 し ています。回数に制限のない読み出
し と 書き込みを SRAM で可能にする一方、不揮発性デー タ を不
揮発性素子に独立 し て保持で き る よ う に し ています。 SRAM か
ら不揮発性要素へのデー タ 転送 (STORE 処理 ) は、 電源切断時
に自動的に実行 さ れます。 電源投入時には、 不揮発性 メ モ リ か
ら SRAM にデー タ が復元 さ れます (RECALL 処理 )。STORE と
RECALL 両方の処理はソ フ ト ウ ェ ア制御で も 実行する こ と がで
き ます。
■
32K × 8 の内部構成 (CY14E256LA)
■
小容量 コ ンデンサのみで電源切断時の自動 STORE を実行
■
QuantumTrap不揮発性要素へのSTORE処理は ソ フ ト ウ ェ ア、
デバイ ス ピ ン、 または電源切断時の AutoStore によ り 開始
■
SRAMへのRECALL 処理は ソ フ ト ウ ェ ア または電源投入によ
り 開始
■
20 年のデー タ 保持期間
すべての関連資料の一覧は、 こ こ を ク リ ッ ク し て く だ さ い。
■
5V + 10% の単一電源で動作
■
産業用温度範囲
■
44 ピ ン薄型小型パ ッ ケージ (TSOP) タ イ プ II および 32 ピ ン小
型集積回路 (SOIC) パ ッ ケージ
■
鉛フ リ ーおよび特定有害物質使用制限 (RoHS) に準拠
論理ブ ロ ッ ク図
VCC
QuantumTrap
512 X 512
ROW DECODER
A5
A6
A7
A8
A9
A 11
A 12
A 13
POWER
CONTROL
STORE
STATIC RAM
ARRAY
512 X 512
STORE/
RECALL
CONTROL
RECALL
A 14
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
SOFTWARE
DETECT
HSB
A13 - A 0
COLUMN I/O
INPUT BUFFERS
DQ 0
VCAP
COLUMN DEC
A 0 A 1 A 2 A 3 A 4 A 10
DQ 6
DQ 7
OE
CE
WE
Cypress Semiconductor Corporation
文書番号 : 001-95858 Rev. **
•
198 Champion Court
•
San Jose, CA 95134-1709
•
408-943-2600
改訂日 2015 年 5 月 14 日
CY14E256LA
目次
ピ ン配置 ............................................................................. 3
ピ ン機能 ............................................................................. 3
デバイ スの動作 .................................................................. 4
SRAM 読み出 し ........................................................... 4
SRAM 書き込み ........................................................... 4
AutoStore 処理 ............................................................ 4
ハー ド ウ ェ ア STORE 処理 ......................................... 4
ハー ド ウ ェ ア RECALL ( 電源投入 ) ............................ 5
ソ フ ト ウ ェ ア STORE ................................................. 5
ソ フ ト ウ ェ ア RECALL ................................................ 5
AutoStore の防止 ......................................................... 6
デー タ 保護 .................................................................. 6
最大定格 ............................................................................. 7
動作範囲 ............................................................................. 7
DC 電気的特性 ................................................................... 7
デー タ 保持期間お よびア ク セス可能回数 ........................... 8
静電容量 ............................................................................. 8
熱抵抗 ................................................................................. 8
AC テス ト 負荷 ................................................................... 9
AC テス ト 条件 ................................................................... 9
AC ス イ ッ チ ン グ特性 ....................................................... 10
SRAM 読み出 し サイ ク ル .......................................... 10
文書番号 : 001-95858 Rev. **
SRAM 書き込みサイ ク ル .......................................... 10
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 10
AutoStore ／電源投入 RECALL ...................................... 12
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 12
ソ フ ト ウ ェ ア制御 STORE/RECALL サイ ク ル ................. 13
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 13
ハー ド ウ ェ ア STORE サイ ク ル ....................................... 14
ス イ ッ チ ング波形 ............................................................. 14
SRAM の動作真理値表 ..................................................... 15
注文情報 ........................................................................... 15
注文コ ー ド の定義 ...................................................... 15
パ ッ ケージ図 .................................................................... 16
略語 .................................................................................. 17
本書の表記法 .................................................................... 17
測定単位 .................................................................... 17
改訂履歴 ........................................................................... 18
セールス、 ソ リ ュ ーシ ョ ン、 および法律情報 ................. 19
ワール ド ワ イ ド な販売 と 設計サポー ト ..................... 19
製品 ........................................................................... 19
PSoC ソ リ ュ ーシ ョ ン ............................................... 19
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CY14E256LA
ピ ン配置
図 1. 44 ピ ン TSOP II ／ 32 ピ ン SSOP ピ ン配置
NC
[5]
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9 44 ピ ン TSOP II
(x 8)
10
11
上面図
12
13 ( 正確な縮尺で
で )
はない
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
HSB
NC
[4]
NC
[3]
NC
[2]
NC
NC [1]
[1]
NC
OE
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
30
29
28
27
26
25
24
23
VCAP
A14
A13
32 ピ ン SOIC
(x 8)
上面図
( 正確な縮尺で
はない )
A12
A11
A10
NC
NC
ピ ン機能
ピ ン名
入出力
A0–A14
入力
DQ0 ～ DQ7
入力／出力
WE
入力
書き込みイ ネーブル入力、 ア ク テ ィ ブ LOW。 チ ッ プが有効で、 WE が LOW にな る と 、 I/O ピ ンのデー タ は
特定のア ド レ ス位置に書き込まれる
CE
入力
チ ッ プ イ ネーブル入力、 ア ク テ ィ ブ LOW。 LOW の場合は、 チ ッ プ を選択する。 HIGH の場合は、 チ ッ プの
選択を解除
OE
入力
出力イ ネーブル、 ア ク テ ィ ブ LOW。 ア ク テ ィ ブ LOW OE 入力は、 読み出 し サイ ク ル中にデー タ 出力バ ッ
フ ァ を有効にする。 OE が HIGH にデアサー ト する と 、 I/O ピ ンは ト ラ イ ス テー ト にな る
注
1.
2.
3.
4.
5.
説明
ア ド レ ス入力 : nvSRAM の 32,768 バイ ト か ら 1 つ を選択するのに使用
双方向デー タ I/O ラ イ ン。 動作に応 じ て入力または出力ラ イ ン と し て使用
VSS
グラン ド
VCC
電源
HSB
入力／出力
ハー ド ウ ェ ア STORE ビ ジー (HSB)。 こ の出力は LOW であ る時にハー ド ウ ェ ア STORE が進行中であ る こ
と を示す。 外部で LOW にする場合、 不揮発性 STORE 処理を開始する。 各ハー ド ウ ェ ア と ソ フ ト ウ ェ ア
STORE 処理の後、 HSB は標準の出力 HIGH 電流で短期間 (tHHHD) HIGH に駆動 さ れてから 、 内部の弱プル
ア ッ プ抵抗に よ り HIGH 状態を維持 ( 外部プルア ッ プ抵抗接続は任意 )
VCAP
電源
AutoStore コ ンデンサ。 電力不足の際、 SRAM か ら 不揮発性素子にデー タ を格納する ため、 nvSRAM へ電源
を供給
NC
接続な し
デバイ ス用のグ ラ ン ド 。 シ ス テムのグ ラ ン ド に接続する必要があ る
デバイ スへの電源入力。
接続な し こ のピ ンはダ イ に接続 さ れていない
1M ビ ッ ト のア ド レ ス拡張に対応 し ています。 NC ピ ンはダ イ に接続 さ れていません。
2M ビ ッ ト のア ド レ ス拡張に対応 し ています。 NC ピ ンはダ イ に接続 さ れていません。
4M ビ ッ ト のア ド レ ス拡張に対応 し ています。 NC ピ ンはダ イ に接続 さ れていません。
8M ビ ッ ト のア ド レ ス拡張に対応 し ています。 NC ピ ンはダ イ に接続 さ れていません。
16M ビ ッ ト のア ド レ ス拡張に対応 し ています。 NC ピ ンはダ イ に接続 さ れていません。
文書番号 : 001-95858 Rev. **
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CY14E256LA
CY14E256LAnvSRAM は、同 じ 物理セル内で対にな っ た 2 個の
機能 コ ンポーネ ン ト で構成 さ れています。それら は SRAM メ モ
リ セルおよび不揮発性 QuantumTrap セルです。 SRAM メ モ リ
セルは標準の高速ス タ テ ィ ッ ク RAM と し て動作 し ます。SRAM
内のデー タ は不揮発性セルに転送 さ れる (STORE 処理 )、 また
は不揮発性セルか ら SRAM に転送 さ れます (RECALL 処理 )。こ
の独特のアーキテ ク チ ャ を使 っ て、 全てのセルは並行 し てス ト
ア さ れ リ コ ール さ れま す。 STORE 処理 と RECALL 処理中、
SRAM
の 読 み 出 し と 書 き 込 み 処 理 は 禁 止 さ れ て い ま す。
CY14E256LA は一般的な SRAM と 同様に、 回数無制限の読み
出 し と 書き込みに対応 し ています。 さ ら に、 不揮発性セルから
回数無制限の RECALL 処理および最大 100 万回ま での STORE
処理が可能です。 読み出 し モー ド と 書き込みモー ド の詳細につ
いては、 15 ページの 「SRAM の動作真理値表」 を参照 し て く だ
さ い。
SRAM 読み出 し
CY14E256LA は、 CE と OE が LOW、 WE と HSB が HIGH の
場合、 読み出 し サイ クルを実行 し ます。 ピ ン A0 ～ 14 で指定 さ
れたア ド レ スは、32,768 デー タ バイ ト のどれがア ク セス さ れる
かを決定 し ます。 ア ド レ ス遷移によ っ て読み出 し が開始 さ れた
場合、 出力は tAA ( 読み出 し サイ クル 1) の遅延後に有効にな り
ます。 CE または OE によ っ て読み出 し が開始 さ れた場合、 出
力は tACE と tDOE のど ち らか遅い方 ( 読み出 し サイ ク ル 2) の終
了時点で有効にな り ます。 デー タ 出力は、 制御入力ピ ン での変
化を必要 と し ないで tAA ア ク セス時間内に繰 り 返 し てア ド レ ス
変更に応答 し ます。 こ れは、 別のア ド レ ス変更が発生す るか、
または CE か OE が HIGH にな るか、 あるいは WE か HSB が
LOW にな る ま で有効な状態が続き ます。
SRAM 書き込み
書き込みサイ クルは、CE と WE が LOW、および HSB が HIGH
の場合に実行 さ れます。 ア ド レ ス入力が安定な状態にな っ てか
ら書き込みサイ クルに入 ら なければいけません。 また、 サイ ク
ルの終わ り に CE か WE が HIGH にな る ま で安定な状態を保つ
必要があ り ます。WE で制御する書き込み終了前に、 または CE
で制御する書き込み終了前にデー タ が tSD の間有効であれば、
共通 I/O ピ ン である DQ0 ～ 7 のデー タ は メ モ リ に書き込まれま
す。 共通 I/O ラ イ ン でのデー タ バスの競合を避ける ために、 書
き込みサイ クル中は終始 OE を HIGH に維持 し て く だ さ い。OE
が LOW のま ま である と 、WE が LOW にな っ た後に内部回路は
tHZWE の間出力バ ッ フ ァ を停止 し ます。
AutoStore 処理
CY14E256LA は、次の 3 つのス ト レージ動作のいずれかを使っ
て nvSRAM にデー タ を格納 し ます : HSB によ っ て有効に さ れ
たハー ド ウ ェ ア STORE ； ア ド レ スのシーケ ン スによ っ て有効
に さ れ た ソ フ ト ウ ェ ア STORE ； デ バ イ ス の 電 源切断時の
AutoStore。 AutoStore 処理は QuantumTrap 技術固有の機能で
あ り 、 CY14E256LA の初期設定では有効にな っ ています。
通常動作中にデバイ スは、 VCAP ピ ン に接続 さ れた コ ンデンサ
を充電するのに VCC か ら電流を引き込みます。充電 さ れた電荷
はチ ッ プが一回 STORE 処理を実行するのに使用 さ れます。VCC
ピ ンの電圧が VSWITCH を下回る と 、デバイ スは VCC と VCAP ピ
ンの接続を自動的に切 り ます。 STORE 処理は、 VCAP コ ンデン
サから供給 さ れる電力で起動 さ れます。
注 : コ ンデンサが VCAP ピ ンに接続 さ れていない場合、 6 ページ
の 「AutoStore の防止」 に指定 し た ソ フ ト シーケ ン ス を使っ て
AutoStore を無効にする必要があ り ます。 VCAP ピ ンに接続 し て
文書番号 : 001-95858 Rev. **
い る コ ンデンサがない状態で AutoStore が有効にな っ た場合、
STORE 処理を完了する ために、 デバイ スは十分な充電量がな
い ま ま AutoStore 処理 を 実行 し よ う と し ま す。 こ れに よ り 、
nvSRAM 内にス ト ア さ れたデー タ が破壊 さ れます。
図 2 に、 自動的 な STORE 処理用の ス ト レ ー ジ コ ン デ ン サ
（VCAP） の適切な接続方法を示 し ます。 VCAP の容量について
は、 7 ページの 「DC 電気的特性」 を参照 し て く だ さ い。 VCAP
ピ ンの電圧は、チ ッ プ上のレギ ュ レー タ によ っ て VCC に駆動 さ
れます。電源投入時にア ク テ ィ ブにな ら ないよ う にする ために、
WE を プルア ッ プ抵抗に接続 し ます。こ のプルア ッ プ抵抗は、電
源投入時に WE 信号が ト ラ イ ス テー ト 状態にある場合のみ有効
です。多 く の MPU が電源投入時にそれら の制御を ト ラ イ ス テー
ト し ます。 プルア ッ プ抵抗を使用する場合には確認 し て く だ さ
い。 nvSRAM が電源投入時の RECALL から 復帰する時、 MPU
がア ク テ ィ ブ であるか、MPU の リ セ ッ ト が終了する ま で WE を
ア ク テ ィ ブ でない状態に保つ必要があ り ます。
不要な不揮発性の STORE を避ける ため、AutoStore およびハー
ド ウ ェ ア STORE 処理は、 一番最後に STORE または RECALL
サイ ク ルが実行 さ れてから 少な く と も 1 回の書き込み処理が行
われ る ま では無視 さ れま す。 ソ フ ト ウ ェ ア に よ り 起動 さ れた
STORE サイ ク ルは、 書き込み処理が行われたかど う かに関係
な く 実行 さ れます。 HSB 信号は、 AutoStore サイ ク ルが処理中
かど う か を 検出す る ために シ ス テ ムに よ っ て監視 さ れて い ま
す。
図 2. AutoStore モー ド
VCC
0.1 uF
10 kOhm
デバイ スの動作
VCC
WE
VCAP
VSS
VCAP
ハー ド ウ ェ ア STORE 処理
CY14E256LA には、STORE 処理を制御 し 応答する ための HSB
ピ ンがあ り ます。 HSB ピ ンは、 ハー ド ウ ェ ア STORE サイ ク ル
の要求に使用 し て く だ さ い。HSB ピ ンが LOW に駆動 さ れる と 、
CY14E256LA は tDELAY 後に条件に従っ て STORE 処理を開始
し ます。 実際の STORE サイ ク ルは、 最後の STORE ま たは
RECALL サイ ク ル以降、SRAM への書き込みが実行 さ れた場合
にのみ開始 し ます。 HSB ピ ンは、 STORE 処理 ( 任意の手段で
開始 ) 中にはビ ジー状態を示すために内部で LOW に駆動 さ れ
る オープ ン ド レ イ ン ド ラ イバ ( チ ッ プ内部に 100k の弱いプ
ルア ッ プ抵抗 ) と し て も 動作 し ます。
注 : ハー ド ウ ェ アおよび ソ フ ト ウ ェ ア STORE 処理の後、 HSB
は標準出力 HIGH 電流で短時間 (tHHHD) HIGH に駆動 さ れ、 そ
の後 100k の内部プルア ッ プ抵抗によ り HIGH 状態を継続 し ま
す。
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CY14E256LA
SRAM 書き込み処理は HSB が LOW に さ れた時に実行中であれ
ば、 STORE 処理が開始 さ れる前に tDELAY 以内に終了 し ます。
し か し HSB が LOW にな っ た後に要求 さ れた SRAM 書き込み
サイ クルは、 HSB が HIGH に戻る ま で禁止 さ れます。 書き込み
ラ ッ チがセ ッ ト さ れていない場合、HSB は CY14E256LA によ っ
て LOW に駆動 さ れる こ と はあ り ません。 し か し 全ての SRAM
読み出 し と 書き込みサイ クルは、MPU または他の外部ソ ースに
よ り HSB が HIGH に戻る ま で禁止 さ れます。
STORE 処理がどのよ う に起動 さ れたかに関わ ら ず、 その処理
中には、 CY14E256LA は HSB ピ ン を LOW に駆動 し 続け、
STORE 処理が完了 し た時にのみ解除 し ます。STORE 処理が完
了する と 、 HSB ピ ンが HIGH 状態に戻 っ た後に nvSRAM メ モ
リ ア ク セスは tLZHSB 間禁止 さ れます。 HSB ピ ンは使用 し ない
場合、 開放に し て く だ さ い。
ハー ド ウ ェ ア RECALL ( 電源投入 )
電源投入時または低電圧状態 (VCC< VSWITCH) の後は、 内部的
に RECALL 要求がラ ッ チ さ れます。 VCC が再度 VSWITCH の検
知電圧を超えた場合、 RECALL サイ ク ルが自動的に開始 さ れ、
完了するのに tHRECALL かか り ます。 こ の間、 HSB は HSB ド ラ
イバーによ っ て LOW に駆動 さ れます。
ソ フ ト ウ ェ ア STORE
デー タ は、 ソ フ ト ウ ェ ア ア ド レ ス シーケ ン スによ っ て SRAM
か ら 不揮発性 メ モ リ に転送 さ れま す。 CY14E256LA の ソ フ ト
ウ ェ ア STORE サイ ク ルは、 CE または OE に制御 さ れた読み
出 し 処理を、 6 つの特定のア ド レ スか ら正 し い順番で実行する
こ と によ り 開始 さ れます。 STORE サイ ク ルの間、 まず前の不
揮発性デー タ が消去 さ れてか ら、 不揮発性素子がプ ログ ラ ム さ
れます。 STORE サイ ク ルが開始 さ れる と 、 それ以降の入出力
は STORE サイ クルが完了する ま で無効にな り ます。
特定のア ド レ スか らの READ のシーケ ン スが STORE の開始に
使われる ため、 シーケ ン ス中に他の読み書き ア ク セスが干渉 し
ない こ と が重要です。 そ う し ない と 、 シーケ ン スがアボー ト さ
れ、 STORE や RECALL が実行 さ れません。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し － 有効な READ
ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し － 有効な READ
ア ド レ ス 0x03E0 の読み出 し － 有効な READ
ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し － 有効な READ
ア ド レ ス 0x303F の読み出 し － 有効な READ
ア ド レ ス 0x0FC0 の読み出 し － STORE サイ クルの開始
ソ フ ト ウ ェ ア シーケ ン スは CE に制御 さ れた読み出 し または
OE に制御 さ れた読み出 し を伴い ク ロ ッ ク供給 さ れ、全ての 6 つ
の READ シーケ ン スの間 WE を HIGH 状態を維持する こ と が必
要です。シーケ ン スの6番目のア ド レ スが入力 さ れた後、STORE
サイ ク ルが開始 さ れ、 チ ッ プが無効にな り ます。 HSB は LOW
に駆動 さ れます。 tSTORE サイ クル時間が経過 し た後、 SRAM は
読み書き処理を再び実行 し ます。
ソ フ ト ウ ェ ア RECALL
デー タ は、 ソ フ ト ウ ェ ア ア ド レ ス シーケ ン スに よ っ て不揮発
性 メ モ リ から SRAM に転送 さ れます。 ソ フ ト ウ ェ ア RECALL
サイ ク ルは、 ソ フ ト ウ ェ ア STORE 開始 と 同様の方法で、 読み
込み処理のシーケ ン スによ っ て開始 さ れます。 RECALL サイ ク
ルを開始する ためには、 以下の CE または OE に制御 さ れた読
み出 し 処理のシーケ ン ス を行 う 必要があ り ます。
1. ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し － 有効な READ
2. ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し － 有効な READ
3. ア ド レ ス 0x03E0 の読み出 し － 有効な READ
4. ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し － 有効な READ
5. ア ド レ ス 0x303F の読み出 し － 有効な READ
6. ア ド レ ス 0x0C63 の読み出 し － RECALL サイ クルの開始
内部的に、 RECALL は 2 段階の手順を踏みます。 まず、 SRAM
デー タ がク リ ア さ れます。 次に、 不揮発性情報が SRAM セルに
転送 さ れます。 tRECALL サイ クル時間が経過 し た後、 SRAM は
再度読み書き処理が有効にな り ます。 RECALL 処理では、 不揮
発性要素内のデー タ が変更 さ れません。
ソ フ ト ウ ェ ア STORE サイ クルを開始する ために、 次の読み出
し シーケ ン ス を実行 し て く だ さ い。
表 1. モー ド 選択
CE
WE
OE
A14 ～ A0[6]
モー ド
I/O
電源
H
X
X
X
未選択
出力 High Z
ス タ ンバイ
L
H
L
X
SRAM 読み出 し
出力デー タ
アクテ ィ ブ
L
L
X
X
SRAM 書き込み
入力デー タ
アクテ ィ ブ
L
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0B45
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
AutoStore デ ィ スエーブル
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
ア ク テ ィ ブ [7]
注
6. CY14E256LA にア ド レ ス ラ イ ンが 15 本あ り ますが、 その下の 14 本のみが ソ フ ト ウ ェ ア モー ド の制御に使われます。
7. 6 つの連続ア ド レ ス位置は指定 さ れた順番でなければな り ません。 WE は不揮発性サイ ク ルを可能にする ため、 全ての 6 つのサイ ク ル中は HIGH で なければな り
ません。
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CY14E256LA
表 1. モー ド 選択 ( 続き )
CE
WE
OE
A14 ～ A0[6]
モー ド
I/O
電源
L
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0B46
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
AutoStore イ ネーブル
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
ア ク テ ィ ブ [8]
L
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0FC0
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
不揮発性 STORE
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力 High-Z
アクテ ィ ブ
ICC2[8]
L
H
L
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0C63
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
SRAM 読み出 し
不揮発性 RECALL
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力デー タ
出力 High-Z
ア ク テ ィ ブ [8]
AutoStore の防止
AutoStore 機能は AutoStore デ ィ スエーブル シーケ ン ス を開始
する こ と で無効に さ れます。 読み出 し 処理のシーケ ン スは、 ソ
フ ト ウ ェ ア STORE の 開 始 と 同 様 の 方 法 で 実 行 さ れ ま す。
AutoStore デ ィ ス エーブル シーケ ン ス を開始する ために、CE ま
たは OE に制御 さ れた読み出 し 処理を以下の順番で実行 し て く
だ さ い。
1. ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し － 有効な READ
2. ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し － 有効な READ
3. ア ド レ ス 0x03E0 の読み出 し － 有効な READ
4. ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し － 有効な READ
5. ア ド レ ス 0x303F の読み出 し － 有効な READ
6. ア ド レ ス 0x8B45 の読み出 し － AutoStore の無効化
AutoStore 機能は AutoStore 有効シーケ ン スの起動によ っ て再
度有効化 さ れます。 読み出 し 処理のシーケ ン スは、 ソ フ ト ウ ェ
ア RECALL の開始 と 同様の方法で実行 さ れます。 AutoStore イ
ネーブル シーケ ン ス を開始する ために、 CE または OE に制御
さ れた読み出 し 処理を以下の順番で実行 し て く だ さ い。
1. ア ド レ ス 0x0E38 の読み出 し － 有効な READ
2. ア ド レ ス 0x31C7 の読み出 し － 有効な READ
3. ア ド レ ス 0x03E0 の読み出 し － 有効な READ
4. ア ド レ ス 0x3C1F の読み出 し － 有効な READ
5. ア ド レ ス 0x303F の読み出 し － 有効な READ
6. ア ド レ ス 0x0B46 の読み出 し － AutoStore の有効化
AutoStore 機能が無効に さ れた、 または再度有効に さ れた場合、
その後に電源切断サイ ク ルを経過 し て も AutoStore 状態を保持
する ために STORE 処理 ( ハー ド ウ ェ ア または ソ フ ト ウ ェ ア )
を手動で実行する必要があ り ます。 工場出荷時 AutoStore は有
効にな っ てお り 、 全てのセルに 0x00 と 書き込まれています。
デー タ 保護
CY14E256LA は、 外部から実行 さ れる STORE および書き込み
処理をすべて禁止する こ と で、 低電圧状態の間に破損から デー
タ を保護 し ます。 低電圧状態は VCC が VSWITCH を下回る と 検
出 さ れます。 電源投入時に CY14E256LA が書き込みモー ド に
ある (CE と WE の両方が LOW) 場合、RECALL または STORE
後、 tLZHSB (HSB から出力有効ま での時間 ) が経過 し て SRAM
が有効にな る ま では、 書き込みは禁止 さ れます。 こ れは電源投
入時や電圧低下状態の間に不注意に よ る 書 き 込み を 保護 し ま
す。
注
8. 6 つの連続ア ド レ ス位置は指定 さ れた順番でなければな り ません。 WE は不揮発性サイ ク ルを可能にする ため、 すべての 6 つのサイ ク ル中は HIGH でなければな
り ません。
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CY14E256LA
最大定格
最大定格を超え る と デバイ スの寿命が短 く な る可能性があ り ま
す。 これ らのユーザー ガ イ ド ラ イ ンはテス ト さ れていません。
保存温度 .................................................... –65°C ～ +150°C
最大累積保存時間 :
任意のピ ンの過渡電圧、 グ ラ ン ド 基準
(20ns 以下 ) ........................................... –2.0V ～ VCC+2.0V
パ ッ ケージ許容電力損失 (TA=25°C) ............................. 1.0W
表面実装のハン ダ付け温度 (3 秒 ) ............................ +260°C
DC 出力電流 ( 一度に 1 出力、 1 秒間 ) ....................... 15mA
周囲温度 150°C 時...................................... 1000 時間
静電放電時の電圧
(MIL-STD-883、 メ ソ ッ ド 3015 によ る ) ................. >2001V
周囲温度 85°C 時................................................ 20 年
ラ ッ チア ッ プ電流 .................................................... >200mA
最大接合部温度 1 ........................................................ 150°C
VSS を基準 と し た VCC の電源電圧 ................. –0.5V ～ 7.0V
High-Z 状態の出力に印加 さ れる電圧 .....–0.5V ～ VCC+ 0.5V
入力電圧 ..................................................–0.5V ～ VCC+0.5V
動作範囲
範囲
産業用
周囲温度
VCC
–40°C ～ +85°C
4.5V ～ 5.5V
DC 電気的特性
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
VCC
説明
テ ス ト 条件
Min
Typ[9]
Max
単位
4.5
5.0
5.5
V
平均 VCC 電流
tRC = 25ns
tRC = 45ns
出力負荷な し で得られた値
(IOUT = 0mA)
–
–
70
52
mA
mA
ICC2
STORE 中の平均 VCC 電流
全ての入力は 「 ド ン ト ケア」、
VCC=Max
tSTORE 期間の平均電流
–
–
10
mA
ICC3
すべての入力は CMOS レ ベルで動作。
tRC= 200ns 時の平均 VCC 電流、 出力負荷な し で得られた値 (IOUT = 0mA)
VCC(Typ)、 25 °C
–
35
–
mA
ICC4
AutoStore サイ クル中の平均
VCAP 電流
全ての入力は 「 ド ン ト ケア」 である。
tSTORE 期間の平均電流
–
–
8
mA
ISB
VCC ス タ ンバイ電流
CE > (VCC – 0.2V)
VIN<0.2V または > (VCC – 0.2V)。
不揮発性のサイ クルが完了 し た後のス タ
ンバイ電流レ ベル。
入力はス タ テ ィ ッ ク。 f = 0MHz
–
–
8
mA
IIX[10]
入力 リ ー ク 電流 (HSB を除 く )
VCC = Max、 VSS < VIN < VCC
–1
–
+1
μA
入力 リ ー ク 電流 (HSB 用 )
VCC = Max、 VSS < VIN < VCC
–100
–
+1
μA
IOZ
オ フ 状態の出力 リ ー ク 電流
VCC = Max、
VSS < VOUT < VCC、
CE または OE > VIH または WE < VIL
–1
–
+1
μA
VIH
入力 HIGH 電圧
2.0
–
VCC+0.5
V
VIL
入力 LOW 電圧
VSS–0.5
–
0.8
V
VOH
出力 HIGH 電圧
IOUT = –2mA
2.4
–
–
V
VOL
出力 LOW 電圧
IOUT = 4mA
–
–
0.4
V
ICC1
電源
注
9. 標準値は 25°C、 VCC = VCC(Typ) での も のです。 100% のテ ス ト は行われていません。
10. HSB ピ ンは、 ア ク テ ィ ブ HIGH と LOW ド ラ イバーの両方が無効にな っ てい る場合に、 VOH=2.4V に対 し て、 IOUT が –2µA です。 それ ら の ド ラ イバーがイ ネーブ
ルの場合、 標準の VOH と VOL が有効にな り ます。 こ のパ ラ メ ー タ ーは特性付け さ れていますが、 テ ス ト さ れていません。
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DC 電気的特性 ( 続き )
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
説明
テ ス ト 条件
Min
Typ[9]
Max
単位
68
180
μF
–
VCC–0.5
V
VCAP[11]
ス ト レージ コ ンデンサ
VCAP ピ ン と VSS の間
61
VVCAP[12、 13]
デバイ スで VCAP ピ ン上に駆動
さ れた最大電圧
VCC = Max
–
デー タ 保持期間およびア ク セス可能回数
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
説明
Min
単位
20
年
1,000
K
Max
単位
7
pF
入力容量 (HSB)
8
pF
出力容量 (HSB を除 く )
7
pF
出力容量 (HSB)
8
pF
DATAR
デー タ 保持期間
NVC
不揮発性 STORE オペ レーシ ョ ン回数
静電容量
パラ メ ー タ ー [13]
CIN
COUT
説明
入力容量 (HSB を除 く )
テ ス ト 条件
TA = 25C、 f = 1MHz、 VCC = VCC(Typ)
熱抵抗
パラ メ ー タ ー [13]
JA
JC
説明
熱抵抗
( 接合部か ら周囲 )
熱抵抗
( 接合部か ら ケース )
テ ス ト 条件
テ ス ト 条件は、 EIA/JESD51 に記載 さ れ
ている熱イ ン ピーダ ン ス を測定する た
めの標準的な テ ス ト 方法 と 手順に従 う
44 ピ ン TSOP II 32 ピ ン SOIC
単位
41.74
41.55
°C/W
11.90
24.43
°C/W
注
11. VCAP 最小値は、 AutoStore 処理を完了するのに十分な電荷があ る こ と を保証する も のです。 VCAP 最大値は、 即時の電源切断が発生 し て も AutoStore 処理が正常
に完了する よ う に電源投入 RECALL サイ ク ルの間に VCAP の コ ンデンサが必要な最小電圧ま で充電 さ れる こ と を保証する も のです。 し たが っ て、 指定 し た最小値
と 最大値の範囲内の コ ンデンサを使用する こ と を常にお勧め し ます。 VCAP オ プ シ ョ ンの詳細については、 ア プ リ ケーシ ョ ン ノ ー ト AN43593 を参照 し て く だ さ
い。
12. VCAP ピ ン (VVCAP) の最大電圧は、 VCAP コ ンデンサを選択する際に指針 と し て提供 さ れています。 動作温度範囲内においての VCAP コ ンデンサの定格電圧は、
VVCAP 電圧よ り 高 く なければな り ません。
13. こ れ ら のパ ラ メ ー タ ーは設計保証 さ れますが、 テ ス ト さ れていません。
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AC テ ス ト 負荷
図 3. AC テ ス ト 負荷
963
5.0V
963
5.0V
R1
ト ラ イ ス テー ト 仕様
の場合
R1
出力
出力
30pF
R2
512
5pF
R2
512
AC テ ス ト 条件
入力パルス レ ベル................................................... 0V ～ 3V
入力の立ち上が り ／立ち下が り 時間 (10% ～ 90%) .... < 3ns
入力 と 出力 タ イ ミ ングの基準レ ベル .............................. 1.5V
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AC ス イ ッ チ ング特性
動作範囲において
パ ラ メ ー タ ー [14]
サイ プ レ ス
代替のパラ
パラ メ ー タ ー
メーター
25ns
説明
45ns
Min
Max
Min
Max
単位
SRAM 読み出 し サイ クル
tACE
tACS
tRC
チ ッ プ イ ネーブル ア ク セス時間
読み出 し サイ ク ル時間
–
25
25
–
–
45
45
–
ns
ns
tAA
ア ド レ ス ア ク セス時間
–
25
–
45
ns
tDOE
tOE
出力イ ネーブルから デー タ 有効ま での時間
–
12
–
20
ns
tOHA[16]
tLZCE[17、 18]
tHZCE[17、 18]
tLZOE[17、 18]
tHZOE[17、 18]
tPU[17]
tPD[17]
tOH
ア ド レ ス変更後の出力ホール ド 時間
3
–
3
–
ns
tLZ
tRC[15]
tAA[16]
チ ッ プ イ ネーブルか ら出力ア ク テ ィ ブ ま での時間
3
–
3
–
ns
tHZ
チ ッ プ デ ィ ス エーブルから出力非ア ク テ ィ ブ ま での時間
–
10
–
15
ns
tOLZ
出力イ ネーブルから 出力ア ク テ ィ ブ ま での時間
0
–
0
–
ns
tOHZ
出力デ ィ ス エーブルから 出力非ア ク テ ィ ブ ま での時間
–
10
–
15
ns
tPA
チ ッ プ イ ネーブルか ら電源ア ク テ ィ ブ ま での時間
0
–
0
–
ns
tPS
チ ッ プ デ ィ スエーブルから電源ス タ ンバイ ま での時間
–
25
–
45
ns
書き込みサイ ク ル時間
書き込みパルス幅
チ ッ プ イ ネーブルか ら書き込み終了ま での時間
デー タ セ ッ ト ア ッ プから書き込み終了ま での時間
書き込み終了後のデー タ ホール ド 時間
ア ド レ ス セ ッ ト ア ッ プから書き込み終了ま での時間
ア ド レ ス セ ッ ト ア ッ プから書き込み開始ま での時間
書き込み終了後のア ド レ ス ホール ド 時間
書き込みイ ネーブルから 出力デ ィ ス エーブルま での時間
25
20
20
10
0
20
0
0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
10
45
30
30
15
0
30
0
0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
書き込み終了後の出力ア ク テ ィ ブ時間
3
–
3
–
ns
SRAM 書き込みサイ クル
tWC
tPWE
tSCE
tSD
tHD
tAW
tSA
tHA
tWC
tWP
tCW
tDW
tDH
tAW
tAS
tWR
[17、 18、 19] tWZ
tHZWE
tLZWE[17、 18]
tOW
ス イ ッ チ ング波形
図 4. SRAM 読み出 し サイ クル 1 ( ア ド レ ス制御 ) [15、 16、 20]
tRC
Address
Address Valid
tAA
Data Output
Previous Data Valid
Output Data Valid
tOHA
注
14. テ ス ト 条件は、 信号遷移時間が 3ns 以下で、 タ イ ミ ン グ参照レ ベルが VCC/2 で 、 入力パルス レ ベル 0 が VCC (typ) で、 IOL/IOH の出力負荷 と 負荷容量が図 3 に示
さ れる通 り であ る こ と を前提に し ています。
15. WE は SRAM 読み出 し サイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
16. CE と OE が LOW であれば、 デバイ スは連続的に選択 さ れます。
17. こ れ ら のパ ラ メ ー タ ーは設計保証 さ れますが、 テ ス ト さ れていません。
18. 定常状態の出力電圧か ら ±200mV で測定 さ れま し た。
19. CE が LOW の時に WE が LOW であれば、 出力は高イ ン ピーダ ン スのま ま です。
20. HSB は読み出 し と 書き込みサイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
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ス イ ッ チ ン グ波形 ( 続き )
図 5. SRAM 読み出 し サイ クル 2 (CE および OE 制御 ) [21、 22]
Address
Address Valid
tRC
tHZCE
tACE
CE
tAA
tLZCE
tHZOE
tDOE
OE
tLZOE
Data Output
High Impedance
Output Data Valid
tPU
ICC
tPD
Active
Standby
図 6. SRAM 書き込みサイ ク ル 1 (WE 制御 ) [22、 23、 24]
tWC
Address
Address Valid
tSCE
tHA
CE
tAW
tPWE
WE
tSA
tHD
tSD
Data Input
Input Data Valid
tLZWE
tHZWE
Data Output
High Impedance
Previous Data
図 7. SRAM 書き込みサイ ク ル 2 (CE 制御 ) [22、 23、 24]
tWC
Address Valid
Address
tSA
tSCE
tHA
CE
tPWE
WE
tSD
Input Data Valid
Data Input
Data Output
tHD
High Impedance
注
21. WE は SRAM 読み出 し サイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
22. HSB は読み出 し と 書き込みサイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
23. CE が LOW の時に WE が LOW であれば、 出力は高イ ン ピーダ ン スのま ま です。
24. CE ま たは WE はア ド レ スの遷移中は VIH よ り 高 く なければな り ません。
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CY14E256LA
AutoStore ／電源投入 RECALL
動作範囲において
パラ メ ー タ ー
CY14E256LA
Min
Max
–
20
説明
単位
ms
tHRECALL[25]
電源投入 RECALL 期間
tSTORE[26]
tDELAY[27]
STORE サイ ク ル期間
–
8
ms
SRAM 書き込みサイ クルを完了する時間
–
25
ns
VSWITCH
低電圧 ト リ ガー レ ベル
–
4.4
V
150
–
µs
HSB 出力デ ィ スエーブル電圧
–
1.9
V
HSB か ら出力ア ク テ ィ ブ ま での時間
HSB HIGH ア ク テ ィ ブ時間
–
–
5
500
µs
ns
tVCCRISE
[28]
VHDIS[28]
tLZHSB[28]
tHHHD[28]
VCC 立ち上が り 時間
ス イ ッ チ ング波形
図 8. AutoStore または電源投入 RECALL[29]
VCC
VSWITCH
VHDIS
t VCCRISE
26
tHHHD
Note
Note 26
tSTORE
tHHHD
Note30
tSTORE
30
Note
HSB OUT
tDELAY
tLZHSB
AutoStore
tLZHSB
tDELAY
POWERUP
RECALL
tHRECALL
tHRECALL
Read & Write
Inhibited
(RWI)
POWER-UP
RECALL
Read & Write
BROWN
OUT
AutoStore
POWER-UP
RECALL
Read & Write
POWER
DOWN
AutoStore
注
25. tHRECALL は、 VCC が VSWITCH を超えた時か ら 始ま り ます。
26. SRAM の書き込みが最後の不揮発性サイ ク ル以降に実施 さ れていない場合、 AutoStore ま たはハー ド ウ ェ ア STORE は実行 さ れません。
27. ハー ド ウ ェ ア STORE と AutoStore の開始時に、 SRAM の書き込み処理は tDELAY の間有効にな っ たま ま です。
28. こ れ ら のパ ラ メ ー タ ーは設計保証 さ れますが、 テ ス ト さ れていません。
29. STORE、 RECALL サイ ク ルの間、 および VCC が VSWITCH を下回 っ てい る時に、 読み出 し と 書き込みサイ ク ルは無視 さ れます。
30. 電源投入お よび電源切断中に、 HSB ピ ンが外部抵抗を介 し て プルア ッ プ さ れている場合、 HSB ピ ン にグ リ ッ チが発生 し ます。
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CY14E256LA
ソ フ ト ウ ェ ア制御 STORE/RECALL サイ ク ル
動作範囲において
パラ メ ー タ ー [31、 32]
tRC
tSA
tCW
tHA
tRECALL
25ns
説明
Min
25
0
20
0
–
STORE ／ RECALL 開始のサイ クル期間
ア ド レ ス セ ッ ト ア ッ プ時間
ク ロ ッ ク パルス幅
ア ド レ ス ホール ド 時間
RECALL 期間
45ns
Max
–
–
–
–
200
Min
45
0
30
0
–
最大値
–
–
–
–
200
単位
ns
ns
ns
ns
µs
ス イ ッ チ ング波形
図 9. CE と OE 制御によ る ソ フ ト ウ ェ ア STORE/RECALL サイ ク ル [32]
tRC
Address
tRC
Address #1
tSA
Address #6
tCW
tCW
CE
tHA
tSA
tHA
tHA
tHA
OE
tHHHD
HSB (STORE only)
tHZCE
tLZCE
t DELAY
33
Note
tLZHSB
High Impedance
tSTORE/tRECALL
DQ (DATA)
RWI
図 10. AutoStore イ ネーブル／デ ィ ス エーブル サイ ク ル [32]
Address
tSA
CE
tRC
tRC
Address #1
Address #6
tCW
tCW
tHA
tSA
tHA
tHA
tHA
OE
tLZCE
tSS
tHZCE
33
Note
t DELAY
DQ (DATA)
RWI
注
31. ソ フ ト ウ ェ アのシーケ ン スは、 CE ま たは OE を制御する読み込み処理を伴い ク ロ ッ ク 供給 さ れます。
32. 6 つの連続ア ド レ スは 5 ページの表 1 に指定 さ れた順番で読み出す必要があ り ます。 WE は、 全 6 連続サイ ク ル中は HIGH で なければな り ません。
33. 出力が tDELAY 期間中に無効に さ れる ため、 6 番目に読み出 さ れた DQ 出力デー タ は無効 と な る こ と があ り ます。
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CY14E256LA
ハー ド ウ ェ ア STORE サイ ク ル
動作範囲において
記号
CY14E256LA
説明
Min
Max
25
単位
tDHSB
書き込みラ ッ チがセ ッ ト さ れていない場合に、 HSB から 出力がア ク テ ィ ブにな る ま での時間
–
tPHSB
ハー ド ウ ェ ア STORE パルス幅
15
–
ns
–
100
s
tSS [34、 35] ソ フ ト シーケ ン ス処理時間
ns
ス イ ッ チ ング波形
図 11. ハー ド ウ ェ ア STORE サイ クル [36]
Write Latch set
~
~
tPHSB
HSB (IN)
tSTORE
tHHHD
~
~
~
~
tDELAY
HSB (OUT)
SO
tLZHSB
RWI
Write Latch not set
~
~
tPHSB
HSB (IN)
HSB (OUT)
tDHSB
tDHSB
~
~
tDELAY
HSB pin is driven high to VCCQ only by Internal
100 K: resistor, HSB driver is disabled
SRAM is disabled as long as HSB (IN) is driven LOW.
RWI
図 12. ソ フ ト シーケ ン ス処理時間 [34、 35]
Soft Sequence
Command
Address
Address #1
tSA
Address #6
tCW
tSS
Soft Sequence
Command
Address #1
tSS
Address #6
tCW
CE
VCC
注
34. こ れは ソ フ ト シーケ ン ス コ マ ン ド を処理するのに必要な時間です。 効果的に コ マ ン ド を登録する には、 Vcc 電圧は HIGH でなければな り ません。
35. STORE や RECALL な どの コ マ ン ド は、 その処理が完了する ま で I/O を ロ ッ ク し 、 こ の時間を更に増加 さ せます。 詳 し く は個々の コ マ ン ド を参照 し て く だ さ い。
36. SRAM の書き込みが最後の不揮発性サイ ク ル以降に実施 さ れていない場合、 AutoStore ま たはハー ド ウ ェ ア STORE は実行 さ れません。
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CY14E256LA
SRAM の動作真理値表
HSB は SRAM 動作では HIGH 状態を維持する必要があ り ます。
表 2. 真理値表
入力／出力
モー ド
電源
CE
WE
OE
H
X
X
High Z
選択解除／電源切断
ス タ ンバイ
L
H
L
デー タ 出力 (DQ0 ～ DQ7)
読み出 し
アクテ ィ ブ
L
H
H
High Z
出力が無効
アクテ ィ ブ
L
–
X
デー タ 入力 (DQ0 ～ DQ7)
書き込み
アクテ ィ ブ
注文情報
速度
(ns)
25
注文 コ ー ド
CY14E256LA-SZ25XIT
パ ッ ケージ図
51-85127
パ ッ ケージ タ イ プ
動作範囲
32 ピ ン SOIC
産業用
CY14E256LA-SZ25XI
45
CY14E256LA-SZ45XIT
CY14E256LA-SZ45XI
上記のすべての製品は鉛 フ リ ーです。
注文 コ ー ド の定義
CY 14 E 256 L A - ZS 25 X I T
オプ シ ョ ン :
T – テープ & リ ール
ブ ラ ン ク - 標準
温度 :
I - 産業用 (-40°C ～ 85°C)
鉛フ リ ー
ダ イ改訂 :
ブ ラ ン ク - 改訂な し
A – 改訂第 1 版
電圧 :
E – 5.0V
速度 :
25 – 25ns
45 – 45ns
パ ッ ケージ :
ZS – 44 ピ ン TSOP II
SZ – 32 ピ ン SOIC
デー タ バス :
L–×8
容量 :
256 – 256Kb
14 – nvSRAM
サイ プ レ ス
文書番号 : 001-95858 Rev. **
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CY14E256LA
パ ッ ケージ図
図 13. 44 ピ ン TSOP II パ ッ ケージ図、 51-85087
51-85087 *E
図 14. 32 ピ ン SOIC (300Mil) パ ッ ケージ図、 51-85127
51-85127 *D
文書番号 : 001-95858 Rev. **
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CY14E256LA
略語
本書の表記法
略語
説明
CE
CMOS
chip enable ( チ ッ プ イ ネーブル )
complementary metal oxide semiconductor
( 相補型金属酸化膜半導体 )
EIA
electronic industries alliance ( 米国電子工業会 )
hardware store busy
( ハー ド ウ ェ ア ス ト ア ビ ジー )
HSB
I/O
JEDEC
nvSRAM
OE
RoHS
RWI
SOIC
SRAM
測定単位
記号
測定単位
°C
摂氏温度
k
キロオーム
MHz
メ ガヘルツ
A
マ イ ク ロ ア ンペア
F
マイ クロフ ァ ラ ッ ド
s
マ イ ク ロ秒
mA
ミ リ ア ンペア
non-volatile static random access memory ( 不揮
発性ス タ テ ィ ッ ク ラ ン ダム ア ク セス メ モ リ )
ms
ミ リ秒
mV
output enable ( 出力イ ネーブル )
restriction of hazardous substances
( 特定有害物質使用制限指令 )
read and write inhibited
( 読み出 し および書き込み禁止 )
small outline integrated circuit
( 小型外形集積回路 )
static random access memory
( ス タ テ ィ ッ ク ラ ン ダム ア ク セス メ モ リ )
ミ リ ボル ト
ns
ナノ秒

オーム
%
パーセ ン ト
pF
ピコフ ァ ラ ッ ド
input/output ( 入力／出力 )
joint electron devices engineering council
( 半導体技術協会 )
TSOP
thin small outline package ( 薄型小型パ ッ ケージ )
WE
write enable ( 書き込みイ ネーブル )
文書番号 : 001-95858 Rev. **
ps
ピ コ秒
V
ボル ト
W
ワッ ト
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CY14E256LA
改訂履歴
文書名 : CY14E256LA、 256K ビ ッ ト (32K × 8) nvSRAM
文書番号 : 001-95858
版
ECN 番号
変更者
発行日
変更内容
**
4722790
HZEN
05/14/2015
こ れは英語版 001-54952 Rev. *K を翻訳 し た日本語版 001-95858 Rev. ** です。
文書番号 : 001-95858 Rev. **
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CY14E256LA
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持シ ス テムの重要な コ ンポーネ ン ト と し てサイ プ レ ス製品を使用する こ と を許可 し ていません。 生命維持シ ス テムの用途にサイ プ レ ス製品を供する こ と は、 製造者がそのよ う な使用におけるあ ら
ゆる リ ス ク を負 う こ と を意味 し 、 その結果サイ プ レ スはあ ら ゆる責任を免除 さ れる こ と を意味 し ます。
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果サイ プ レ スはあ ら ゆる責任を免除 さ れる こ と を意味 し ます。
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文書番号 : 001-95858 Rev. **
改訂日 2015 年 5 月 14 日
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