AN55659 Migrating from CY14B101L/STK14CA8 to CY14B101LA (Japanese).pdf

AN55659
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
作成者: Ravi Prakash
関連プロジェクト: なし
関連製品ファミリ: CY14B101L/STK14CA8、CY14B101LA
関連アプリケーションノート: なし
AN55659 に、nvSRAM デバイスの CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行について説明します。このアプリ
ケーション ノートでは、各製品間の相違点と、既存のアプリケーションを CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA へ移
行する際の設計上の注意点についても説明します。
表 2. 機能セット比較
はじめに
サイプレス CY14B101LA は 3V の 1M ビット (128K x 8)
nvSRAM であり、0.13 マイクロン プロセス技術を使って設計さ
れ て い ま す 。 こ の 製 品 の 機 能 は 、 CY14B101L/STK14CA8
(0.25µ) と同じで、これらを置き換え可能になるように設計されて
います(STK14CA8 は CY14B101L の Simtek 製品番号です)。
このアプリケーション ノートでは、CY14B101L/STK14CA8 と
CY14B101LA と移行する際に考慮しなければならないパラメー
タの相違点を強調しています。
機能セット
CY14B101L/
STK14CA8
CY14B101LA
AutoStore
ソフトウェア STORE
ハードウェア STORE
AutoStore イネーブル
/ディスエーブル
ソフトウェア RECALL
概要
下表では、機能と 2 つの製品のパラメータの比較を示します。表
1 に示しているように、1M ビット nvSRAM は x8 と x16 構成で
出荷されます。
20ns
25ns
35ns
45ns
45ns
200,000
1,000,000
55°C で 20 年
85°C で 20 年
速度
STORE サイクル
表 1. 製品番号の説明
データ保持
項目
元の
製品番号
交換用
製品番号
128 Kb x 8
CY14B101L/STK14CA8
CY14B101LA
1M ビット nvSRAM は、新しいアプリケーションでは x16 I/O
オプション (CY14B101NA)として使用可能です。
動作温度範囲
CY14B101L/STK14CA8 が商用および工業用温度範囲の両方
で使用可能ですが、CY14B101LA は工業用温度範囲のみで提
供されています。
表 3. 動作温度範囲の比較
機能セット
両製品は同じ機能セットを共有し、表 2 に示す動作速度レベル
で使用できます。
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25ns
動作温度範囲
CY14B101L/ST
K14CA8
CY14B101LA
商用 (0~70°C)
使用可能
使用不可
産業用 (–40~85 °C)
使用可能
使用可能
文書番号: 001-92725 Rev. **
1
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
44 ピン TSOPII
パッケージ
CY14B101LA が CY14B101L/STK14CA8 とピン互換であり、
CY14B101L/STK14CA8 と同じパッケージとピン配置があるの
みならず、他のパッケージで出荷されます。
表 4. パッケージの比較
CY14B101L/STK1
4CA8
CY14B101LA
32 ピン SOIC
使用可能
使用可能
48 ピン SSOP
使用可能
使用可能
パッケージ
使用不可
使用可能
パラメータ
CY14B101LA は、CY14B101L/STK14CA8 を置き換えること
ができ、ほとんどの用途では、アプリケーション基板の変更を必
要としません。しかし、パラメータの違い点は、デバイス交換する
際に考慮すべきです。表 5 では、CY14B101L/STK14CA8 と
CY14B101LA 間のパラメータの相違点を示します。
表 5. パラメータ比較
CY14B101L/STK14CA8
記号
項目
CY14B101LA
速度
単位
Min
Max
Min
最大値
DC パラメータ
ICC1
ICC2
平均 VCC 電流
20ns
-
-
-
70
25ns
-
70
-
70
35ns
-
60
-
-
45ns
-
55
-
52
-
-
3
-
10
mA
平均 VCC 電流
STORE の間
mA
ICC3
ICC4
ISB
VCAP
平均 VCC 電流
-
tRC = 200ns、3V、25°C
平均 VCAP 電流
10 (標準)
35 (標準)
-
-
3
-
5
mA
VCC スタンバイ電流
-
-
3
-
5
mA
ストレージ キャパシタ
-
AutoStore サイクルの間
17~120
uF
61~180
AC スイッチング パラメータ
読み出しと書き込みサイクル パラメータは同一
AutoStore/電源投入 RECALL パラメータ
tSTORE
tDELAY
STORE サイクル期間
SRAM 書き込みサイクルを完了するのに許容
される時間
-
-
12.5
-
8
20ns
-
-
-
20
25ns
1,000
70,000
-
25
35ns
1,000
70,000
-
-
45ns
1,000
70,000
-
25
ms
ns
VHDIS
HSB 出力ディセーブル電圧
-
未指定
-
1.9
V
tLZHSB
HSB 出力がアクティブになるまで
-
未指定
-
5
us
tHHHD
HSB HIGH アクティブ時間
-
未指定
-
500
ns
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文書番号: 001-92725 Rev. **
2
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
CY14B101L/STK14CA8
記号
項目
CY14B101LA
速度
単位
Min
Max
Min
最大値
ソフトウェア制御 STORE/RECALL サイクル パラメータ
tHA
tRECALL
tSS
アドレス ホールド時間
-
1
-
0
-
ns
RECALL 期間
-
-
120
-
200
us
ソフト シーケンス処理時間
-
-
70
-
100
us
ハードウェア STORE サイクル パラメータ
tDHSB
HSB HSB が LOW から STORE がビジーま
での時間
-
未指定
-
25 (tDELAY)
ns
HSB 書き込みラッチが設定されていない場合
に、出力がアクティブになるまでの時間
-
未指定
-
25
ns
重要な注意事項
既存のアプリケーションでの CY14B101L/STK14CA8 に関する
CY14B101LA の違い点の影響は、この節で説明します。システ
ム設計者は、新しいデバイスに移行する時に、詳細なデータ
シートを確認することをお勧めします。
DC パラメータ
ICC1(フルスピード時の平均電流) は、CY14B101LA では変わら
ないため、低速/スタンバイ状態での電流の値が
CY14B101L/STK14CI より高くなるにもかかわらず、nvSRAM
を CY14B101LA で置き換える際 CY14B101L/STK14CA8 を
使ったアプリケーションの電源設計には変更は不要になります。
考慮すべきな重要なパラメータは VCAP です。
VCAP
VCAP は、電源切断時に AutoStore が SRAM データの不揮発性
保存を完了するために、必要な電荷を提供するコンデンサです。
必要なコンデンサの範囲は、2 つの製品では異なります。
表 6. VCAP の比較
項目
CY14B101L/
STK14CA8
CY14B101LA
VCAP
17µF~120µF
61µF~180µF
定格電圧
6V
4V
そのため、新しいコンデンサに変更する時、重複範囲 (61μF~
120μF)以外のコンデンサの値を使用している既存のアプリケー
ションでのコンデンサの寸法の影響を検討しなければなりません。
VCAP 電圧が CY14B101L/STK14CA8 の場合のように VCC 電
圧を超えないため、CY14B101LA ではコンデンサ電圧定格要
件は CY14B101L/STK14CA8 より低いです。
注 コンデンサの範囲は、許容誤差を除いたコンデンサの絶対値
です。
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AC スイッチング パラメータ
速度レベルが同じ CY14B101LA と CY14B101L/STK14CA8
の場合、AC パラメータは同様です。CY14B101LA には 35ns
グレードがないため、25ns の製品を使用して 35ns の製品を置
き換えます
AutoStore/電源投入 RECALL パラメータ
The AutoStore / 電 源 投 入 RECALL パ ラ メ ー タ は 、
CY14B101L/STK14CA8 で 使 用 さ れ る 時 と 比 べ る と 、
CY14B101LA で使用される時はより優れるため、移行の際には
いかなる変更も不要になります。改善点は「改善の詳細」節に示
されます。
ソ フ ト ウ ェ ア 制 御 STORE/RECALL サ イ ク ル
パラメータ
ソフトウェア RECALL 時間 (tRECALL) とソフト シーケンス処理時
間 (tSS) は、表 7 に示しているように CY14B101LA ではより長
いです。
表 7. ソフトウェア制御 STORE/RECALL サイクル パラメータの
比較
項目
CY14B101L/
STK14CA8
CY14B101LA
tRECALL
120µs
200µs
tSS
70µs
100µs
この違いは、ソフトウェアのリコールまたは AutoStore がイネー
ブル/ディスエーブル サイクルが開始された時、コントローラの
待機状態の期間を延長するために、既存のアプリケーションの
ファームウェアを変更する必要があります。
注 CY14B101L/STK14CA8 では、読み出し/書き込みは tSS
の後、と STORE または RECALL コマンドが呼び出された後に
文書番号: 001-92725 Rev. **
3
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
のみ禁止されます。CY14B101LA では、読み出し/書き込みは
tDELAY の後に禁止され、ソフト コマンドの終わり (tSS 、または
tRECALL 、または tSTORE)まで無効になったままです。これは改善
ですが、読み出し/書き込みが、ソフトウェアのシーケンスを開
始した後に tSS 時間内で行われるアプリケーションはファーム
ウェアの変更を必要とします。
表 5 に示しているように、HSBピンの入出力に関連付けれた
CY14B101LA の い く つ か の タ イ ミ ン グ パ ラ メ ー タ は
CY14B101L/STK14CA8 とは違います。これら変更は全て元の
製品仕様から改善され、新しいの製品番号に移行している際に
追加の利点として検討する必要があります。
ソフトウェア シーケンス
書き込みラッチが設定され、HSBピンが LOW にプルされた場合、
書き込み動作は STORE 動作が開始し、読み出しと書き込みが
禁止される前に完了するために CY14B101L/STK14CA8 は、
1µs から 70µs まで有効にします。これにより、tDELAY の間データ
は nvSRAM に意外に書き込まれる可能性があります。
CY14B101LA は、ソフトウェア シーケンス モードで CY14B101L/
STK14CA8 と互換になるように設計されています。このため、
CY14B101L/STK14CA8 の同じソフトウェア STORE および
RECALL アドレス シーケンスは、ファームウェアの変更を必要と
せず、CY14B101LA で動作します。
ハードウェア STORE サイクル パラメータ
ハードウェア STORE パラメータは CY14B101LA では改善され
るため、アプリケーションは移行の時何の変更を必要としません。
改善点は「改善の詳細」節に示されます。アプリケーションでは
変更は不要です。
STORE サイクル
従来技術で設計され書き換え回数が 20 万 STORE サイクルま
で達成したデバイスに比べて、 CY14B101LA デバイスは NV
STORE 書き換え回数 (サイクル) が百万 STORE サイクルで 5
倍になります。
データ保持
CY14B101LA デバイスのデータ保持は従来技術で設計された
デバイスより改善されています。CY14B101L/STK14CA8 の
データ保持期間は 55℃で 20 年間ですが、CY14B101LA の
データ保持期間は 85℃で 20 年間です。これは、同じ温度で
データ保持は 20 倍以上改善されることを意味します。
改善の詳細
ハードウェア STORE 関連改善
HSB ピ ン ( ハ ー ド ウ ェ ア S T O R E ビ ジ ー 指 示 / ハ ー ド
ウェア STORE 開始)
nvSRAM のHSBピンは、STORE 処理を指示、開始するために
使用されるオープンドレイン I/O ピンです。STORE 処理が処理
中の場合、nvSRAM はHSBピンを LOW にプルして、デバイス
がビジーであり、読み出し/書き込みアクセスは不可であること
を示します。通常の動作では、ハードウェア STORE 動作を開始
するために、HSBピンは LOW にプルされます。
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tDELAY
注意 書き込みラッチ: 書き込み動作が完了した時、「書き込み
ラッチ」は内部で設定されます。HSBが LOW にプルされた場合、
nvSRAM は STORE を開始するまえにこの書き込みラッチを
チェックします。これは、不必要な書き換えによる、書き換え回数
の消耗を防止するために行われます。
CY14B101LA では、処理中の書き込み HSBピンが LOW にプ
ルされた後に終了するために tDELAY パラメータは 1 つのみの書
き込みサイクルに対応できます。この改善により意図しない書き
込みが発生することを防止する機能を改善します。
また、CY14B101LA では、HSBピンが最少の tPHSB の間外部論
理により LOW にプルされた場合、それ以降 20~25ns (tDELAY)
以内にHSBピンの出力ドライバは、ピンを LOW にプルして、
STORE 動作が進行中であることだけを示します。HSBが LOW
になってから STORE がビジーになるまでのこのパレメータは
CY14B101L/STK14CA8 で指定されません。(図 1 および図 2
を参照してください)
HSB 書 き 込 み ラ ッ チ が 設 定 され な い 場 合 、 H S B ピ ン は
LOW になる
最後の STORE/RECALL 動作の時から書き込みが実行されな
い場合、STORE 動作はHSBが LOW にプルされた時に開始さ
れません。しかし、HSBは CY14B101L/ STK14CA8 デバイスで
は 1µs~70µs (tDELAY) の間依然として内部で LOW にプルされ
ます。
書き込みラッチが設定されない場合、CY14B101LA デバイスは
内部でHSBピンを LOW にプルしません。この改善は、両方の
nvSRAM デバイスのHSBピンがグループ化された時に無限
ループに陥ることを防止します。
文書番号: 001-92725 Rev. **
4
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
図 1. CY14B101L/STK14CA8: HSB ピンに対応する AC パラメータ HSB
図 2. CY14B101LA: HSB ピンに対応する AC パラメータ HSB
書き込みラッチが設定された
書き込みラッチが設定されない
電源投入時のリコール関連改善
システム設計に有用なHSB出力ディスエーブル電圧 (VHDIS)、
HSB か ら 出 力 ま で の ア ク テ ィ ブ 時 間 (tLZHSB) 、 お よ び
HSBHIGH アクティブ時間 (tHHHD) など追加のパラメータは
CY14B101LA で示されています。電源投入時の追加仕様の
定義については、図 3 と図 4 を参照してください。また、HSB
が新しいデバイスに電源投入し終わるまで LOW になったまま
です。これは、システムはチップ起動が実際に完成する前にも
う終わったと間違って認識しないように保護します。
図 3. CY14B101L/STK14CA8: 電源投入リコール
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文書番号: 001-92725 Rev. **
5
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
図 4. CY14B101LA: 電源投入リコール
要約
このアプリケーション ノートでは、最新の 0.13micron 技術の
CY14B101LA と 0.25micron 技術の CY14B101L/STK14CA8
の相違点について説明します。HSBと電源投入に関連するいくつ
かのパラメータは新しいデバイスでは改善されました。これにより、
デバイスの応答がより高速になり、データ保護がより優れており、
設計ももっと容易になります。
japan.cypress.com
CY14B101LA は、CY14B101L/STK14CA8 とピン互換であり、こ
れらデバイスを置き換えることが可能で、ほとんどの用途では、ア
プリケーション基板の変更を必要としません。既存の設計の VCAP
値とソフトウェア RECALL、AutoStore イネーブル/ディスエーブ
ル サイクル中のコントローラ待機状態は移行の時に考慮しなけば
なりません。
文書番号: 001-92725 Rev. **
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CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
ドキュメントの変更履歴
文書名: CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行 – AN55659
文書番号: 001-92725
版
ECN
改版者
発行日
**
4395695
HZEN
06/19/2014
japan.cypress.com
変更内容
これは英語版 001-55659 Rev. *D を翻訳した日本語版 Rev. **です。
文書番号: 001-92725 Rev. **
7
CY14B101L/STK14CA8 から CY14B101LA への移行
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