GSME GM1015

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM1015
■FEATURES
特點
Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好
:HFE(0.1mA)/HFE(2mA)=0.95(Typ.)
Low Noise 低噪声:NF=1dB(Typ.),10db(Max.).
Complementary to GM1815
■MAXIMUM
TA=25
RATINGS(T
RATINGS
=25℃)最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
-50
Vdc
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
-50
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
-5.0
Vdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
-150
mAdc
Base Current
基極電流
IB
-30
mAdc
Collector Power Dissipation
集電耗散功率
PC
225
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
■DEVICE
MARKING 打標
GM1015=BA
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GM1015
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min
符號
測試條件
最小值
TYP
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=-50V,
IE=0
—
—
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=-5V,
IC=0
—
—
-0.1
μA
V(BR)CBO
IC=-100μA
-50
—
—
V
V(BR)CEO
IC=-1.0mA
-50
—
—
V
V(BR)EBO
IE=-100μA
-5
—
—
V
hFE
VCE=-6V,
IC=-2mA
70
—
400
—
VCE(sat)
IC=-100mA,
IB=-10mA
—
—
-0.3
V
Base-Emitter Voltage
基極-發射極電壓
VBE
VCE=-5.0V,
IC=-10mA
—
—
-0.82
V
Transition Frequency
特徵頻率
fT
VCE=-5.0V,
IC=-10mA
100
180
—
MHz
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
VCB=-10V,
IE=0,f=1MHz
——
4.0
7.0
pF
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
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GM1015
■DIMENSION
外形封裝尺寸