桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
2SC2411
■FEATURES
特點
NPN Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大
■最大額定值(Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
40
Vdc
Collect-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
32
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current
集電極電流
Ic
500
mAdc
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
225
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
■DEVICE
MARKING 打標
2SC2411
P
Q
R
MARK
CP
CQ
CR
HFE
82~180
120~270
180~390
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Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
2SC2411
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=20V,IE=0
—
—
1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=4V,IC=0
—
—
1
μA
V(BR)CBO
IC=100μA
40
—
—
V
V(BR)CEO
IC=1mA
32
—
—
V
V(BR)EBO
IE=100μA
5
—
—
V
HFE
VCE=3V,
IC=100mA
82
—
390
—
VCE(sat)
IC=500mA,
IB=50mA
—
—
0.4
V
VBE(sat)
IC=500mA,
IB=50mA
—
—
1.2
V
Transition Frequency
特徵頻率
fT
VCE=5V,
IC=20mA
—
250
—
MHz
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
VCB=10V,IE=0,
f=1MHz
—
6
—
pF
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
Min.
Typ.
Max. Unit
最小值 典型值 最大值 單位