抵抗内蔵トランジスタ UNR111x シリーズ (UN111xシリーズ) シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形 Unit : mm デジタル回路用 (1.0) 4.1±0.2 2.0±0.2 2.4±0.2 (0.85) (R1) 47 kΩ 10 kΩ 22 kΩ 47 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 4.7 kΩ 22 kΩ 0.51 kΩ 1 kΩ 47 kΩ 47 kΩ 4.7 kΩ 2.2 kΩ 4.7 kΩ 0.45±0.05 0.55±0.1 (R2) 10 kΩ 22 kΩ 47 kΩ 47 kΩ 5.1 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 22 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 4.7 kΩ 3 2 (2.5) (2.5) 1.25±0.05 (UN1110) (UN1111) (UN1112) (UN1113) (UN1114) (UN1115) (UN1116) (UN1117) (UN1118) (UN1119) (UN111D) (UN111E) (UN111F) (UN111H) (UN111L) 4.5±0.1 R 0.9 R 0.7 ■ 品種別抵抗値 UNR1110 UNR1111 UNR1112 UNR1113 UNR1114 UNR1115 UNR1116 UNR1117 UNR1118 UNR1119 UNR111D UNR111E UNR111F UNR111H UNR111L 3.5±0.1 (0.4) (1.5) 1.0±0.1 • 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能 • M 型パッケージで自動挿入 , 手挿入が容易 , P 板に自立固定 が可能 (1.0) (1.5) ■ 特 長 • • • • • • • • • • • • • • • 2.5±0.1 6.9±0.1 1 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter M-A1 Package 内部接続図 R1 B C R2 E ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO −50 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO −50 V コレクタ電流 IC −100 mA 全許容損失 PT 400 mW 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C 注) 形名の( )内は , 従来品番です 発行年月 : 2003年10月 SJH00001BJD 1 UNR111x シリーズ ■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C 項目 記号 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO IC = −10 µA, IE = 0 条件 最小 −50 コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO IC = −2 mA, IB = 0 −50 コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = −50 V, IE = 0 − 0.1 コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時) ICEO VCE = −50 V, IB = 0 − 0.5 µA エミッタ UNR1111 IEBO VEB = −6 V, IC = 0 − 0.5 mA ・ベース間 UNR1112/1114/111D/111E − 0.2 遮断電流 UNR1113 − 0.1 (C 開放時) UNR1110/1115/1116/1117 − 0.01 V UNR1119 −1.5 UNR1118/111L −2.0 UNR1111 増幅率 UNR1112/111E hFE VCE = −10 V, IC = −5 mA µA 35 60 UNR1113/1114 80 UNR1110 */1115 */1116 */ 1117 * 160 UNR1118/111L 20 UNR1119/111D/111F/111H 460 30 VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA 出力電圧ハイレベル VOH VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ 出力電圧ローレベル VOL VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ UNR1113 VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 1 kΩ UNR111D VCC = −5 V, VB = −10 V, RL = 1 kΩ − 0.25 V − 0.2 V −4.9 V VCC = −5 V, VB = −6 V, RL = 1 kΩ UNR111E トランジション周波数 fT 入力抵抗 R1 UNR1111/1114/1115 VCB = −10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz 80 −30% UNR1112/1117 10 MHz +30% kΩ 1.2 22 UNR1110/1113/111D/111E 47 UNR1116/111F/111L 4.7 UNR1118 0.51 UNR1119 1 UNR111H 2.2 UNR1111/1112/1113/111L 0.8 1.0 UNR1114 0.17 0.21 0.25 UNR1118/1119 0.08 0.1 0.12 R1/R2 UNR111D 4.7 UNR111E 2.14 UNR111F 0.47 UNR111H 0.17 注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. * : ランク分類 (UNR1110/1115/1116/1117) ランク Q R S hFE 単位 V −1.0 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 2 最大 UNR111F/111H 直流電流 抵抗比率 標準 160 ∼ 260 210 ∼ 340 290 ∼ 460 SJH00001BJD 0.22 0.27 UNR111x シリーズ 共通特性図 PT Ta 500 全許容損失 PT (mW) 400 300 200 100 0 0 40 80 120 160 周囲温度 Ta (°C) UNR1110 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −60 − 0.2 mA −40 − 0.1 mA −20 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 200 −25°C − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 −104 −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C −25°C 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 100 Cob VCB 5 VCE = –10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE コレクタ電流 IC (mA) Ta = 25°C IB = −1.0 mA − 0.9 mA −100 − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −120 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00001BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 3 UNR111x シリーズ UNR1111 特性図 IC VCE VCE(sat) IC − 0.9 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 120 −1 − 0.1 80 40 −1 −10 0 −1 −100 IO VIN VO = −5 V Ta = 25°C −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO −104 −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) −25°C −25°C Cob VCB 5 Ta = 75°C 25°C − 0.01 − 0.1 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C VCE = −10 V 25°C −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C IB = −1.0 mA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 −160 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR1112 特性図 VCE(sat) IC Ta = 25°C IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 4 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 hFE IC −10 VCE = −10 V 300 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 400 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE IC VCE −160 Ta = 75°C 200 25°C −25°C 100 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00001BJD −100 0 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) −1 000 UNR111x シリーズ Cob VCB IO VIN 5 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR1113 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −120 コレクタ電流 IC (mA) Ta = 25°C − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −80 − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −10 − 0.1 25°C 200 −25°C 100 − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 コレクタ電流 IC (mA) −104 −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C −25°C 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 25°C Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE IB = −1.0 mA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 −160 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00001BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 5 UNR111x シリーズ UNR1114 特性図 IC VCE VCE(sat) IC Ta = 25°C IB = −1.0 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 25°C −25°C 100 −1 −10 0 −1 −100 IO VIN VO = −5 V Ta = 25°C −103 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −100 −102 3 −1 000 入力電圧 VIN (V) 4 −100 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 200 −25°C − 0.01 − 0.1 Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE −160 −10 −10 −1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.1 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR1115 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −120 Ta = 25°C − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −80 − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC −10 VCE = −10 V 300 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 −0.1 400 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE IB = −1.0 mA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 −160 Ta = 75°C 200 25°C −25°C 100 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00001BJD −100 0 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) −1 000 UNR111x シリーズ Cob VCB IO VIN 5 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = −5 V Ta = 25˚C −100 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −103 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR1116 特性図 IC VCE VCE(sat) IC Ta = 25°C IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 200 −25°C − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 コレクタ電流 IC (mA) −104 −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C 100 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C −25°C Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE −160 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00001BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 7 UNR111x シリーズ UNR1117 特性図 IC VCE VCE(sat) IC IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA コレクタ電流 IC (mA) −100 −80 −60 − 0.3 mA −40 − 0.2 mA −20 0 − 0.1 mA 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 2 −100 −100 VO = −5 V Ta = 25°C −102 3 −10 VIN IO −104 −103 4 −25°C コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 25°C −25°C − 0.01 − 0.1 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C 200 100 Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −120 −10 −1 − 0.1 1 0 −0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR1118 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = − 1.0 mA − 0.9 mA −160 − 0.8 mA − 0.7 mA −120 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA − 0.3 mA −80 −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 8 hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = −10 V 120 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 160 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 Ta = 75°C 80 25°C −25°C 40 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00001BJD −100 0 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) −1 000 UNR111x シリーズ Cob VCB IO VIN 5 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR1119 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −160 −120 −80 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA − 0.1 mA −40 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 80 − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 −104 −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = −0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C −25°C −25°C 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 40 Cob VCB 5 VCE = −10 V 120 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00001BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 9 UNR111x シリーズ UNR111D 特性図 IC VCE コレクタ電流 IC (mA) −50 Ta = 25˚C −40 − 0.3 mA −30 − 0.2 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −20 − 0.1 mA −10 0 −2 0 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 VO = −5 V Ta = 25°C −1 000 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) −102 2 −100 VIN IO −104 −103 3 −10 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN 4 −25°C 40 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 25°C 80 コレクタ電流 IC (mA) f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C −25°C − 0.01 − 0.1 Cob VCB 5 VCE = −10 V 120 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 直流電流増幅率 hFE IB = − 1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA VCE(sat) IC −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −60 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 −1.5 −100 −2.0 −2.5 −3.0 −3.5 −4.0 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR111E 特性図 IC VCE −40 − 0.3 mA −30 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −20 − 0.2 mA − 0.1 mA −10 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 10 hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = −10 V 300 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 400 直流電流増幅率 hFE IB = −1.0 mA Ta = 25°C − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −50 コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −60 200 Ta = 75°C 100 25°C −25°C −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00001BJD −100 0 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) −1 000 UNR111x シリーズ Cob VCB IO VIN 5 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 −1.5 −100 −2.0 −2.5 −3.0 −3.5 −4.0 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR111F 特性図 IC VCE IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA −160 −120 − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 − 0.2 mA 0 0 −2 −4 −6 − 0.1 mA −10 −12 −8 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 25°C 80 − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 コレクタ電流 IC (mA) −104 −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −25°C −25°C 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 40 Cob VCB 5 VCE = −10 V 120 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −200 コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00001BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 11 UNR111x シリーズ UNR111H 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −100 −80 IB = − 0.5 mA − 0.4 mA −60 − 0.3 mA −40 − 0.2 mA −20 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −1 Ta = 75°C 25°C 160 Ta = 75°C 120 25°C 80 −25°C −0.1 40 −25°C −0.01 −1 −10 −100 0 −0.1 −1 000 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) VIN IO −100 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) VCE = −10 V 200 Cob VCB 5 IC / IB = 10 −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 240 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −120 4 3 2 −1 − 0.1 1 0 −1 −10 −100 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR111L 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 −160 IB = −1.0 mA −120 − 0.8 mA − 0.6 mA −80 − 0.4 mA −40 − 0.2 mA 0 0 –2 –4 –6 –8 –10 –12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 12 hFE IC 240 IC / IB = 10 VCE = −10 V 200 −10 −1 Ta = 75°C 25°C −25°C − 0.1 − 0.01 −1 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 160 120 80 Ta = 75°C 25°C −25°C 40 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) SJH00001BJD −1 000 0 −1 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) −1 000 UNR111x シリーズ Cob VCB VIN IO f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 4 3 2 −1 − 0.1 1 0 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) SJH00001BJD 13 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術情報のうちで、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸 出する時、または、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社も しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ りません。 (3) 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はそ の責を負うものではありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、標準用途 ¾ 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家 電製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ す恐れのある用途 ¾ 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前 に弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合が ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に 最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた だきますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥に ついては弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー ドをご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを 生じさせない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます ようお願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保 存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断 り致します。 2003 SEP