ETC UNR2224(UN2224)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR222x シリーズ (UN222xシリーズ)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
デジタル回路用
0.40+0.10
–0.05
0.16+0.10
–0.06
(0.95) (0.95)
1.9±0.1
■ 品種別抵抗値
(R2)
2.2 kΩ
4.7 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
0.4±0.2
10˚
1.1+0.3
–0.1
形名表示記号 (R1)
(UN2221)
9A
2.2 kΩ
(UN2222)
9B
4.7 kΩ
(UN2223)
9C
10 kΩ
(UN2224)
9D
2.2 kΩ
1.1+0.2
–0.1
UNR2221
UNR2222
UNR2223
UNR2224
2.90+0.20
–0.05
0 to 0.1
•
•
•
•
2
1
(0.65)
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
• ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による
自動挿入が可能
5˚
1.50+0.25
–0.05
■ 特 長
2.8+0.2
–0.3
3
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
50
V
コレクタ電流
IC
500
mA
全許容損失
PT
200
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
EIAJ : SC-59
Mini3-G1 Package
内部接続図
R1
C
B
R2
E
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
条件
最小
50
標準
最大
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
1
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
1
µA
エミッタ・ベース UNR2221
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
5
mA
V
V
間遮断電流
UNR2222
2
(C 開放時)
UNR2223/2224
1
直流電流
UNR2221
増幅率
UNR2222
hFE
VCE = 10 V, IC = 100 mA
µA

40
50
UNR2223/2224
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
単位
60
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB =5 mA
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 500 Ω
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 500 Ω
0.25
V
0.2
V
4.9
V
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00012CJD
1
UNR222x シリーズ
■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C
記号
条件
トランジション周波数
項目
fT
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
入力抵抗
R1
UNR2221/2224
最小
標準
最大
単位
200
−30%
UNR2222
2.2
MHz
+30%
kΩ

4.7
UNR2223
10
抵抗比率
R1/R2
UNR2224
0.8
1.0
1.2
0.17
0.22
0.27
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT  Ta
250
全許容損失 PT (mW)
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR2221 特性図
Ta = 25°C
250
コレクタ電流 IC (mA)
0.9 mA
0.8 mA
200
0.7 mA
0.6 mA
150
0.5 mA
100
0.4 mA
0.3 mA
50
0.2 mA
0
0
2
4
6
8
0.1 mA
10
12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
2
100
hFE  IC
400
IC / IB = 10
VCE = 10 V
10
300
直流電流増幅率 hFE
IB = 1.0 mA
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
300
1
Ta = 75°C
25°C
0.1
Ta = 75°C
200
25°C
100
−25°C
0.01
1
10
−25°C
100
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00012CJD
1 000
0
1
10
100
コレクタ電流 IC (mA)
1 000
UNR222x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
20
VIN  IO
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
100
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
16
15
8
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
24
102
1
0.1
10
4
0
0.1
1
10
1
0.4
100
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1.4
1
10
100
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR2222 特性図
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
200
0.7 mA
0.6 mA
150
0.5 mA
100
0.4 mA
0.3 mA
50
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
100
Ta = 75°C
150
1
Ta = 75°C
25°C
0.1
−25°C
100
−25°C
0.01
1
10
100
0
1 000
1
コレクタ電流 IC (mA)
4
1 000
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
6
100
VIN  IO
100
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
8
10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
25°C
50
Cob  VCB
10
VCE = 10 V
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
12
hFE  IC
200
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
250
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
300
102
1
0.1
10
2
0
0.1
1
10
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00012CJD
1.4
0.01
0.1
1
10
100
出力電流 IO (mA)
3
UNR222x シリーズ
UNR2223 特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
200
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
160
120
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
80
0.4 mA
0.3 mA
40
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
100
IC / IB = 10
Ta = 75°C
1
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−25°C
0.01
10
1
100
0
1 000
10
1
コレクタ電流 IC (mA)
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
4
1 000
VIN  IO
100
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
6
100
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
100
50
0.1
12
8
25°C
150
Cob  VCB
10
VCE = 10 V
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
12
hFE  IC
200
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
240
102
10
1
0.1
2
0
0.1
1
10
1
0.4
100
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1.4
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
10
100
出力電流 IO (mA)
UNR2224 特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
250
IB = 1.0 mA
200
150
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
100
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
50
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
4
100
hFE  IC
200
IC / IB = 10
VCE = 10 V
Ta = 75°C
25°C
150
10
1
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
300
Ta = 75°C
25°C
−25°C
100
50
0.1
−25°C
0.01
0
1
10
100
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00012CJD
1 000
1
10
100
コレクタ電流 IC (mA)
1 000
UNR222x シリーズ
Cob  VCB
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
10
VIN  IO
1 000
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
8
5
4
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
12
102
10
10
1
2
0
0.1
1
10
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00012CJD
1.4
0.1
0.1
1
10
100
出力電流 IO (mA)
5
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
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出する時、または、
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(2)
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弊社も
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りません。
(3)
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(4)
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事
前に弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
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改良などのために予告なく変更する場合が
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、
事前に
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(6)
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動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
だきますようお願い致します。
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その後に発生した機器の欠陥に
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ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
生じさせない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP