ETC UNR5227

抵抗内蔵トランジスタ
UNR5225/5226/5227
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
(0.425)
Unit : mm
ミューティング用
0.3+0.1
–0.0
■ 特 長
0.15+0.10
–0.05
2.1±0.1
5˚
1.25±0.10
• UNR5225
• UNR5226
• UNR5227
0.9+0.2
–0.1
2
0.2±0.1
1
■ 品種別抵抗値
形名表示記号
FZ
FY
FW
0.9±0.1
3
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低く，ミューティ
ング回路に最適 • 高電流値で使用可能
(0.65) (0.65)
(R1)
10 kΩ
4.7 kΩ
6.8 kΩ
(R2)


6.8 kΩ
1.3±0.1
2.0±0.2
10˚
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
30
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
5
V
コレクタ電流
IC
600
mA
全許容損失
PT
150
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
0 to 0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
EIAJ : SC-70
SMini3-G1 Package
内部接続図
R1
C
B
R2
E
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース間電圧
（E開放時）
VCBO
IC = 1 µA, IE = 0
30
V
コレクタ・エミッタ間電圧（B 開放時）
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
20
V
エミッタ・ベース間電圧
（C開放時）
VEBO
IE = 1 µA, IC = 0
5
コレクタ・ベース間遮断電流（E 開放時）
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
エミッタ・ベース間遮断電流（C 開放時）
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
直流電流 UNR5227
hFE
VCE = 5 V, IC = 50 mA
増幅率
UNR5225/5226
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
入力抵抗 UNR5226
−30%
オン抵抗
UNR5226
mV
+30%
kΩ
1.2

10
R1/R2
Ron
0.8
VI = 7 V, RL = 1 kΩ, f = 1 kHz
UNR5227
1.0
0.95
Ω
1.1
UNR5225
トランジション周波数
4.7
80
6.8
UNR5225
*
µA
600
IC = 50 mA, IB = 2.5 mA
R1
1

100
VCE(sat)
µA
70
UNR5227
抵抗比率 UNR5227
V
1
1.5
fT
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
200
MHz
注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : R on 測定回路参照
発行年月 : 2004年1月
SJH00043BJD
1
UNR5225/5226/5227
■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C
• Ron 測定回路
RL
R1
f = 1 kHz
V = 0.3 V
R2
VI
VB VV
VA
Ron =
VB
× RL (Ω)
VA−VB
共通特性図
PT  Ta
250
全許容損失 PT (mW)
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR5225 特性図
VCE(sat)  IC
IB = 1.0 mA
300
0.9 mA
0.8 mA
200
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
100
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
2
103
hFE  IC
250
IC / IB = 10
VCE = 10 V
200
Ta = 75°C
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV)
IC  VCE
400
102
150
Ta = 75°C
25°C
−25°C
100
10
25°C
−25°C
50
0
1
1
10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00043BJD
102
1
10
102
103
コレクタ電流 IC (mA)
104
UNR5225/5226/5227
Cob  VCB
IO  VIN
102
f = 1 MHz
VIN  IO
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
5
入力電圧 VIN (V)
10
出力電流 IO (mA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
14
1
10 −1
10
1
10 −2
1
10 −3
0.25
102
10
1
0.75
10 −1
10 −3
1.25
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
UNR5226 特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
400
IB = 1.0 mA
0.9 mA
300
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
200
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
100
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
500
102
Ta = 75°C
300
25°C
25°C
−25°C
200
−25°C
10
100
1
1
10
102
0
103
1
IO  VIN
102
f = 1 MHz
102
10
103
104
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
VIN  IO
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
5
入力電圧 VIN (V)
10
出力電流 IO (mA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
VCE = 10 V
400
Ta = 75°C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
14
hFE  IC
103 I / I = 10
C
B
直流電流増幅率 hFE
VCE = 10 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV)
IC  VCE
500
1
10 −1
10
1
10 −2
1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
10 −3
0.25
0.75
1.25
入力電圧 VIN (V)
SJH00043BJD
10 −1
10 −3
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
3
UNR5225/5226/5227
UNR5227 特性図
IB = 1.0 mA
300
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
200
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
100
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2
4
6
10
IC / IB = 10
200
102
Ta = 75°C
−25°C
10
1
10
102
0
103
1
コレクタ電流 IC (mA)
f = 1 MHz
102
10
103
104
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
VIN  IO
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
16
出力電流 IO (mA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
−25°C
25°C
102
12
8
1
10 −1
10
1
10 −2
4
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
4
25°C
100
Cob  VCB
0
VCE = 10 V
Ta = 75°C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
20
hFE  IC
300
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
103
入力電圧 VIN (V)
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV)
IC  VCE
400
10 −3
0.25
0.75
1.25
入力電圧 VIN (V)
SJH00043BJD
10 −1
10 −3
10 −2
10 −1
1
10
出力電流 IO (mA)
102
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
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ドをご考慮の上、
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延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
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存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP