ETC UNR2227(UN2227)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR2225 (UN2225), UNR2226 (UN2226),
UNR2227 (UN2227)
Unit : mm
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
0.40+0.10
–0.05
0.16+0.10
–0.06
(0.95) (0.95)
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
• ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による
自動挿入が可能
0.4±0.2
(0.65)
2
1
■ 特 長
5˚
1.50+0.25
–0.05
ミューティング用
2.8+0.2
–0.3
3
1.9±0.1
2.90+0.20
–0.05
(R2)


6.8 kΩ
0 to 0.1
形名表示記号 (R1)
• UNR2225 (UN2225)
FZ
10 kΩ
• UNR2226 (UN2226)
FY
4.7 kΩ
• UNR2227 (UN2227)
FW
6.8 kΩ
1.1+0.2
–0.1
■ 品種別抵抗値
1.1+0.3
–0.1
10˚
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
EIAJ : SC-59
Mini3-G1 Package
内部接続図
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
30
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
5
V
コレクタ電流
IC
600
mA
全許容損失
PT
200
mW
R1
C
B
R2
E
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = 1 µA, IE = 0
30
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
IE = 1 µA, IC = 0
5
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
直流電流
UNR2227
hFE
VCE = 10 V, IC = 100 mA
増幅率
UNR2225/2226
VCE(sat)
IC = 50 mA, IB = 2.5 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
入力抵抗
UNR2226
条件
最小
−30%
1
µA
1
µA

600
4.7
80
mV
+30%
kΩ
1.2

6.8
UNR2225
UNR2227
単位
V
100
R1
最大
70
UNR2227
抵抗比率
標準
10
R1/R2
0.8
1.0
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00040CJD
1
UNR2225/2226/2227
■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C
項目
オン抵抗
記号
UNR2226
条件
最小
VI = 7 V, RL = 1 kΩ, f = 1 kHz
Ron
標準
UNR2227
1.1
UNR2225
1.5
トランジション周波数
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
fT
最大
単位
Ω
0.95
200
MHz
注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : Ron 測定回路参照
RL
R1
f = 1 kHz
V = 0.3 V
R2
VI
VB VV
VA
Ron =
VB
× RL (Ω)
VA−VB
共通特性図
PT  Ta
250
全許容損失 PT (mW)
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR2225 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
IB = 1.0 mA
300
0.9 mA
0.8 mA
200
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
100
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
2
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV)
1 000
hFE  IC
250
IC / IB = 10
VCE = 10 V
200
直流電流増幅率 hFE
400
100
Ta = 75°C
−25°C
10
25°C
Ta = 75°C
150
25°C
−25°C
100
50
1
1
10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00040CJD
100
0
1
10
102
103
コレクタ電流 IC (mA)
104
UNR2225/2226/2227
Cob  VCB
IO  VIN
105
VIN  IO
100
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
5
入力電圧 VIN (V)
104
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
14
103
102
10
1
10
1
1
10
1
0.25
100
0.50
0.75
1.00
1.25
0.1
10−3
1.50
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
10−2
10−1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
UNR2226 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
Ta = 25°C
IB = 1.0 mA
コレクタ電流 IC (mA)
0.9 mA
300
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
200
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
100
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2.5
5.0
7.5
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV)
1 000
10.0
100
Ta = 75°C
25°C
−25°C
10
Ta = 75°C
300
25°C
−25°C
200
100
1
1
10
100
0
1 000
1
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
f = 1 MHz
102
10
103
104
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
105
VIN  IO
100
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
5
入力電圧 VIN (V)
104
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
VCE = 10 V
400
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
14
hFE  IC
500
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
400
103
102
10
1
10
1
1
10
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
入力電圧 VIN (V)
SJH00040CJD
1.50
0.1
10−3
10−2
10−1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
3
UNR2225/2226/2227
UNR2227 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
1 000
IB = 1.0 mA
300
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
200
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
100
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2
4
6
IC / IB = 10
100
Ta = 75°C
10
1
25°C
150
−25°C
100
10
100
0
1 000
1
コレクタ電流 IC (mA)
f = 1 MHz
102
10
103
104
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
100
VIN  IO
100
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
12
8
4
入力電圧 VIN (V)
10
16
出力電流 IO (mA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
200
50
−25°C
10
1
0.1
10
1
0.01
1
10
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
4
Ta = 75°C
25°C
Cob  VCB
0
VCE = 10 V
250
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
20
hFE  IC
300
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (mV)
コレクタ電流 IC (mA)
400
0.001
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
入力電圧 VIN (V)
SJH00040CJD
1.50
0.1
10−3
10−2
10−1
1
10
出力電流 IO (mA)
102
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
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「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
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弊社も
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事
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改良などのために予告なく変更する場合が
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だきますようお願い致します。
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また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
生じさせない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願い致します。
(7)
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存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP