EMF18 / UMF18N トランジスタ 電源スイッチ用 2 素子内蔵複合トランジスタ EMF18 / UMF18N EMT，UMT パッケージに 2SA1774 と DTC144EE を独立して内蔵。 !外形寸法図 (Units : mm) (3) (4) (5) (2) (6) 0.5 各端子とも同寸法 標印略記号 :F18 ROHM : EMT6 1.3 0.65 (1) 1.25 2.0 (3) (2) (4) (6) (5) !内部等価回路図 0.65 UMF18N 0.2 !構造 エピタキシャルプレーナ形複合トランジスタ (1) 1.2 1.6 0.13 !特長 1) 電源スイッチ回路を 1 パッケージ化。 2) 実装コスト及び面積が半減できる。 0.5 0.5 1.0 1.6 EMF18 0.22 !用途 パワーマネージメント回路 0.1Min. DTr2 ROHM : UMT6 EIAJ : SC-88 R2 (4) 各端子とも同寸法 Tr1 R1 (5) 0.9 (1) 0.7 (2) 0to0.1 (3) 0.15 2.1 標印略記号 :F18 (6) R1=47kΩ R2=47kΩ !パッケージ、標印及び包装仕様 Type パッケージ名 標印 包装記号 基本発注単位 EMF18 UMF18N EMT6 UMT6 F18 F18 T2R TR 8000 3000 1/4 EMF18 / UMF18N トランジスタ !絶対最大定格 (Ta=25°C) Tr1 Symbol Limits Unit コレクタ・ベース間電圧 VCBO −60 V コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO −50 V エミッタ・ベース間電圧 Parameter VEBO −6 V コレクタ電流 IC −150 mA コレクタ損失 PC 150 (TOTAL) mW 接合部温度 Tj 150 °C Tstg −55~+150 °C 保存温度範囲 ∗ ∗ 1素子当り120mW を超えないこと。 DTr2 Parameter 電源電圧 入力電圧 コレクタ電流 出力電流 コレクタ損失 接合部温度 保存温度 Symbol Limits VCC 50 VIN −10~+40 100 IC 30 IO 150(TOTAL) PC Tj 150 Tstg −55~+150 Unit V V mA mA mW °C °C ∗1 ∗2 ∗1 構成トランジスタの特性です。 ∗2 1素子当たり120mWを超えないこと。 各端子を推奨ランドに実装した場合。 !電気的特性 (Ta=25°C) Tr1 Symbol Min. Typ. Max. コレクタ・ベース降伏電圧 BVCBO −60 ─ ─ V IC＝−50μA コレクタ・エミッタ降伏電圧 BVCEO −50 ─ ─ V IC＝−1mA エミッタ・ベース降伏電圧 BVEBO −6 ─ ─ V IE＝−50μA ICBO ─ ─ −0.1 μA VCB＝−60V VEB＝−6V Parameter コレクタしゃ断電流 エミッタしゃ断電流 コレクタ・エミッタ飽和電圧 直流電流増幅率 利得帯域幅積 コレクタ出力容量 Unit Conditions IEBO ─ ─ −0.1 μA VCE（sat） ─ ─ −0.5 V IC/IB＝−50mA/−5mA hFE 120 ─ 560 ─ VCE＝−6V, IC＝−1mA fT ─ 140 ─ MHz Cob ─ 4 5 pF VCE＝−12V, IE＝2mA, f＝100MHz VCB＝−12V, IE＝0A, f＝1MHz DTr2 Parameter 入力電圧 出力電圧 入力電流 出力電流 直流電流増幅率 利得帯域幅積 入力抵抗 抵抗比率 Symbol VI(off) VI(on) VO(on) II IO(off) GI Min. − 3.0 − − − 68 Typ. − − 100 − − − Max. 0.5 − 300 180 500 − Unit V V mV µA nA − fT − R1 R2/R1 32.9 0.8 Conditions VCC=5V, IO=100µA VO=0.3V, IO=2mA VO=10mA, II=0.5mA VI=5V VCC=50V, VI=0V VO=5V, IO=5mA 250 − MHz VCE=10V, IE=−5mA, f=100MHz ∗ 47 1.0 61.1 1.2 kΩ − − − ∗は構成トランジスタの特性です。 2/4 EMF18 / UMF18N トランジスタ !電気的特性曲線 Tr1 −5 −2 −1 −0.5 −0.2 −0.1 −0.2 −0.4 −0.6−0.8 −1.0−1.2−1.4 −1.6 −24.5 −14.0 −7.0 −2 IB＝0 −1.6 −2.0 −1.2 100 50 −100 −1 −2 −3 −4 IB＝0 −5 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE（V） Fig.2 エミッタ接地出力静特性（Ⅰ） Fig.3 エミッタ接地出力静特性（Ⅱ） Ta＝100℃ −40℃ 200 100 50 −1 Ta＝25℃ −0.5 −0.2 IC/IB＝50 −0.1 20 10 −0.05 −0.2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 −50−100 VCE＝−6V −5 −10 −20 −50−100 −0.2 −0.5 −1 −2 COLLECTOR CURRENT : IC（mA） −0.2 −0.5 −1 −2 −0.5 −0.2 −0.1 Ta＝100℃ 25℃ −40℃ −0.05 −0.2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 −50−100 COLLECTOR CURRENT : IC（mA） Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性（Ⅱ） Ta＝25℃ VCE＝−12V 500 200 100 50 0.5 1 2 5 10 20 50 100 EMITTER CURRENT : IE（mA） Fig.8 利得帯域幅積−エミッタ電流特性 COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob（pF） EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib（pF） lC/lB＝10 TRANSITION FREQUENCY : fT（MHz） 1000 −1 −5 −10 −20 −50−100 COLLECTOR CURRENT : IC（mA） COLLECTOR CURRENT : IC（mA） Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性（Ⅰ） Fig.5 直流電流増幅率−コレクタ電流特性（Ⅱ） COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat)（V） −50μA 0 25℃ 200 −150 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE（V） 500 VCE＝−5V −3V −1V −0.8 −200 −20 −3.5μA −0.4 −250 −40 −10.5 0 DC CURRENT GAIN : hFE DC CURRENT GAIN : hFE −21.0 −17.5 −4 Ta＝25℃ −500 −80 −450 −400 −350 −300 −60 −28.0 −6 Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 Ta＝25℃ −100 −31.5 −8 BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE（V） 500 −35.0 Ta＝25℃ COLLECTOR CURRENT : IC（mA） COLLECTOR CURRENT : Ic（mA） Ta＝100℃ 25℃ −20 −40℃ −10 −10 COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat)（V） VCE＝−6V COLLECTOR CURRENT : IC（mA） −50 Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性（Ⅰ） 20 Ta＝25℃ f＝1MHz IE＝0A IC＝0A Cib 10 Co b 5 2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB（V） EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB（V） Fig.9 コレクタ出力容量−コレクタ・ベース間電圧特性 エミッタ入力容量−エミッタ・ベース間電圧特性 3/4 EMF18 / UMF18N トランジスタ DTr2 10m 5m VO=0.3V OUTPUT CURRENT : Io (A) INPUT VOLTAGE : VI(on) (V) 50 20 10 5 Ta=−40℃ 25℃ 100℃ 2 1 500m 200m 100m 100µ 200µ 500µ 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m 1k VCC=5V 2m Ta=100°C 25°C 1m −40°C 500µ 200µ 100µ 50µ 20µ 10µ 5µ 2µ 1µ 0 200 100 Ta=100°C 25°C −40°C 50 20 10 5 2 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 OUTPUT CURRENT : IO (A) INPUT VOLTAGE : VI(off) (V) Fig.9 入力電圧−出力電流 (ON特性) Fig.10 出力電流−入力電圧 (OFF特性) 1 VO=5V 500 DC CURRENT GAIN : GI 100 3.0 1 100µ 200µ 500µ 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.11 直流電流増幅率 −出力電流特性 lO/lI=20 OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V) 500m 200m 100m Ta=100°C 25°C −40°C 50m 20m 10m 5m 2m 1m 100µ 200µ 500µ 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.12 出力電圧−出力電流特性 4/4