ETC TZ335F

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TZ 335 F
4
5
ø5,5
37
45
M 10
2
1
80
92
101
2
1
4
5G
VWK Febr. 1997
TZ 335 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische
Vorwärtsund
Rückwärts-Spitzensperrspannung
VorwärtsStoßspitzensperrspannung
RückwärtsStoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward offstate voltage
non-repetitive
peak
reverse
voltage
RMS on-state current
average on-state current
tvj = -40°C...t vj max
tvj = -40°C...t vj max
tvj = +25°C...t vj max
tc = 85°C
tc = 68°C
surge current
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = t vj max , tp = 10 ms
I2 t-value
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = t vj max , tp = 10 ms
critical rate of rise of on-state currentDIN IEC 747-6, f = 50 Hz
IGM = 1 A, di G/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of off-state voltagetvj = t vj max , vD = 0,67 V DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
tvj = t vj max , iT = 1300 A
tvj = t vj max
tvj = t vj max
tvj = 25 °C, v D = 12 V
tvj = 25 °C, v D = 12 V
tvj = t vj max , vD = 12 V
tvj = t vj max , vD = 0,5 V DRM
tvj = t vj max , vD = 0,5 V DRM
tvj = 25 °C, v D = 12 V, R A = 10 Ω
tvj = 25 °C,v D = 12 V, R GK > = 10 Ω
iGM = 1 A, di G/dt = 1 A/µs, t g = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currentstvj = t vj max
vD = V DRM, vR = V RRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, t vj = 25°C
iGM = 1 A, di G/dt = 1 A/µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tvj = t vj max , iTM = I TAVM
vRM = 100 V, v DM = 0,67 V DRM
-di T/dt = 20 A/µs
dv D/dt = 6.Kennbuchstabe/6th letter
5.Kennbuchstabe/5th letter E
5.Kennbuchstabe/5th letter F
5.Kennbuchstabe/5th letter G
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VDRM, V RRM 800, 1000, 1100,
1200, 1300
VDSM
800, 1000, 1100,
1200, 1300
VRSM
900, 1100, 1200,
1300, 1400
ITRMSM
700
ITAVM
335
445
ITSM
11,3
10
I2 t
638 . 10 3
500 . 10 3
(di T/dt) cr
200
2)
(dv D/dt) cr
V
1)
V
V
A
A
A
kA
kA
A2s
A2s
A/µs
3)
50
500
500
1000
50
500
50
500
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
max.
VGD
IH
IL
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
1,85
1,15
0,42
250
2,2
10
5
0,25
250
1000
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
i D, i R
max.
100
mA
tgd
max.
1,5
µs
max.
max.
max.
20
25
30
3
µs
µs
µs
kV
vT
VT(TO)
rT
IGT
VGT
IGD
tq
VISOL
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
to case
pro Modul/per module, Θ =180° sin
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
R thCK
tvj max
tc op
tstg
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
AlN
5
Nm
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
12
Nm
900
15
50
g
mm
m/s²
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment
für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
1)
2)
3)
weight
creepage distance
vibration resistance
pro Modul/per module, Θ =180° sin R thJC
G
max.
max.
max.
typ.
f = 50 Hz
1300 V auf Anfrage / 1300 V on demand
Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t q. / Immediately after circuit commutated turn-off time, see parameters for t q.
100
0,0800 °C/W
0,0765 °C/W
0,02 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
TZ 335 F
103
5
3
2
3
2
101
vG [V]
5
4
3
2
b c
a
2
tgd 10
[µs] 5
3
2
101
5
3
2
100
5
4
3
2
100
a
b
5
3
2
10-1
10 -2
2
3 4 5
TZ 335 F /5
2
10-1
3 4 5
2
10o
3 4 5
10 1
iG [A]
10 -1
10-2
iTM=
1000A
Qs
[µAs]
500A
200A
0.04
400
100A
200
50A
20A
20
40
60
80
100
120
140
TZ 335 F /7
160
10 4
2
3
100
5
2
3
5
101
2
iGM [A]
0.03
0.02
DC
0.01
0
10 -3
180 200
-di/dt [A/µs]
10-2
10 -1
100
101
t [s]
TZ 335 F /8
102
Bild / Fig. 4
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance
Z(th)JC = f(t)
Bild / Fig. 3
Sperrverzögerungsladung Qs in Abhängigkeit von der abkommutierenden
Stromsteilheit -di/dt bei tvj = tvj max, VR= 0,5 VRRM, vRM= 0,8 VRRM
Recovered charge Qs versus the rate of decay of the forward on-state
current -di/dt at tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom iTM / On-state current iTM
10 5
10-1
0.08
0.07
Z(th) JC
0.06
[°C/W]
0.05
600
0
5
Bild / Fig. 2
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM)
tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
800
0
3
TZ 335 F /8
Bild / Fig. 1
Steuercharakteristik vG = f(iG) mit Zündbereich für VD = 12V
Gate characteristic vG = f(iG )with triggering area for VD = 12V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
peak gate power dissipation PGM = f(tg):
a - 20W/10ms b - 40W/1ms
c - 60W/0.5ms
1000
2
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
PTT+PT [kW]
5
3
2
200
iT [A] 5
3
2
3
10
5
3
2
10 2
5
3
2
10 1
100
60
Pos. n
R thn [°C/W]
τ n [s]
40 20
10
6
1
0.4
4
2
2
3 4 5 6
101
TZ 335 F /9
2
3 4 5 6
10 2
2
ZthJC =
nmax
Σ
n=1
3 4 5 6
t [µs]
Bild / Fig. 5
EDL-Diagramm / EDL-diagram
Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlustleistung PTT+PT /
Sum of the turn-on and on-state power loss PTT+PT
2
3
10 3
4
5
6
0,1465
0,0254
0,0287
0,000732 0,00824
0,108
0,57
3
Analytische Funktion / Analytical function:
0.6
0.2
0.1
0.06
10 0
1
0,00194 0,00584
t
Rthn (1-e τn )
7
TT 335 F
104
7
5
4
3
iTM [A]
2
104
7
5
4
3
iTM [A]
2
40
10
103
7
5
4
3
6
4
2
20
1
0.6
0.4
2
0.1
5 6
2
102
TZ 335 F /10
0,6
3
4 5 6
2
103
3
4 5 6
104
Bild / Fig. 6
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 50V
dvR/dt ≤ 100V/µs
104
7
5
4
3
iTM [A]
2
5 6
2
6
10
40
1
103
7
5
4
3
0.2
0.15
0.06
0.08
2
102
Wtot [Ws]
±diT/dt =25 A/µs
4
0.4
2
102
TZ 335 F /12
4 5 6
2
103
tw [µs]
Bild / Fig. 8
T
w
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 67% VRRM
dvR/dt ≤ 600V/µs
3 4 5 6 104
±diT/dt =50 A/µs
40
20
10
1
103
2
4
Wtot [Ws]
6
0.15
2
5 6
102
TZ 335 F /14
2
Bild / Fig. 10
T
T
T
w
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 67% VRRM
dvR/dt ≤ 600V/µs
0.6
0.4
3
4 5 6
10 3
2
4 5 6
104
3
tw [µs]
4 5 6
104
RC-Glied/RC-network:
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω] ≥ 0,02 *vDM[V] iG =1A
diG/dt =1A/µs
C ≤ 0,33µF
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse
4
10
6
±diT/dt =50 A/µs
Wtot [Ws]
40
20
1
0.2
0.1
0.06
0.04
0.02
102
5 6
102
TZ 335 F /13
2
3
4 5 6
2
3 4 5 6
tw [µs]
103
104
Bild / Fig. 9
RC-Glied/RC-network:
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω] ≥ 0,02 *VDM[V] iG =1A
diG/dt =1A/µs
C ≤ 0,33µF
T
T
T
w
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 50V
dvR/dt ≤ 100V/µs
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse
104
7
5
4
3
iTM [A]
2
±diT/dt=100A/µs
4
6
10
40 Wtot [Ws]
20
2
0.2
0.6
0.4
1
0.1
2
0.1
102
2
103
7
5
4
3
0.6
0.4
0.3
0.2
7
5
4
3
3
tw [µs]
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse
104
7
5
4
3
iTM [A]
2
EDP-Diagramm / EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse
104
7
5
4
3
iTM [A]
2
2
10 3
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω] ≥ 0,02 *vDM[V] i =1A
G
C ≤ 0,33µF
diG/dt =1A/µs
w
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω]≥ 0,02 *vDM[V] i =1A
G
C ≤ 0,33µF
diG/dt =1A/µs
T
4 5 6
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 50V
dvR/dt ≤ 100V/µs
RC-Glied / RC-network
T
3
RC-Glied/RC-network:
2
3
2
T
T
T
103
7
5
4
3
0.6
0.1
5 6
10 2
Bild / Fig. 7
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse
20
6
0,02
TZ 335 F /11
Steuergenerator /
R[Ω] ≥ 0,02 *vDM[V] Pulse generator:
iG =1A
C ≤ 0,22µF
diG/dt =1A/µs
tp
10
0,1
RC-Glied/RC-network:
T
Wtot [Ws]
0,06
0,04
102
t p[µs]
1
4
2
40
0,4
0,2
2
0.01
102
20
103
7
5
4
3
0.2
0.06
0.04
0.02
±diT/dt =25 A/µs
0.06
0.04
102
5 6
102
TZ 335 F /15
2
3
4 5 6
103
2
3 4 5 6
t w [µs]
104
Bild / Fig. 11
T
T
T
w
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 50 V
dvR/dt ≤ 100V/µs
RC-Glied/RC-network:
R[Ω] ≥0,02 *vDM[V]
C ≤ 0,33µF
Steuergenerator /
Pulse generator:
iG =1A
diG/dt =1A/µs
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse
TZ 335 F
iTM
104
7
5
4
[A] 3
±diT/dt=100A/µs
Wtot [Ws]
2
2
103
7
5
4
3
0.2
2
0.3
0.4
0.6
4
6
10
20
40
1
0.15
2
10
5 6
102
TZ 335 F /16
2
4 5 6
103
2
3
4 5 6
104
tw [µs]
Bild / Fig. 12
T
T
3
T
w
Lastkreis /Load circuit:
vDM ≤ 67% VDRM
vRM ≤ 67% VRRM
dvR/dt ≤ 600V/µs
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω] ≥ 0,02 *vDM[V] i =1A
G
C ≤ 0,33µF
diG/dt =1A/µs
RC-Glied/RC-network:
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie Wtot je Durchlaßstromplus /
Total energy Wtot per on-state current pulse