Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ 240 N 28...36 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM, VRRM 2800, 3000 3200, 3400 3600 V V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 2800, 3000 3200, 3400 3600 V V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 2900, 3100 3300, 3500 3700 V V V ITRMSM 700 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C TC = 19°C ITAVM 240 445 A A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM 6100 5500 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6. Kennbuchstabe / 6th letter C 6. Kennbuchstabe / 6th letter F (dvD/dt)cr Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 1200A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max Ersatzwiderstand slope resistance 186000 151000 A²s A²s 100 A/µs 500 1000 V/µs V/µs 3,43 V V(TO) 1,17 V Tvj = Tvj max rT 1,70 mΩ Ω Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max. 1,5 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 6V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs IL max. 1500 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 250 mA Charakteristische Werte / Characteristic values MOD-MA; R. Jörke 17. Feb 98 A 106/98 max. Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ 240 N 28...36 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = 400A vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs 5. Kennbuchstabe / 5th letter O tq RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec VISOL Isolations-Prüfspannung insulation test voltage max. 4,5 µs typ. 350 µs 3,0 kV 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per module, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC RthJC max. max. 0,0780 °C/W 0,0745 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module RthCK max. 0,020 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+130 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance typ. 900 g 15 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. MOD-MA; R. Jörke 17. Feb 98 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module MOD-MA; R. Jörke TZ 240 N 28...36 17. Feb 98 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ 240 N 28...36 N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 R thn[° C / W] 0,00194 τn [s] 2 3 0,00584 0,01465 0,000732 0,00824 0,108 4 5 0,0254 0,0267 0,57 3,00 6 7 t − τn = R thn 1 − e n= 1 nmax Analytische Funktion: MOD-MA; R. Jörke Z thJC ∑ 17. Feb 98 Seite/page 4(4)