3M 3DD176

3DD176
硅 NPN大 功 率晶体 管
)(Ta=25° C)
极限值 (绝 对母 大颌 定值
艹r
T(vj)
-55~+175
电特 性
(Ta=25°
C)
Ⅴ(BR)cBO
(Ⅴ
)
V(BR)c
Ⅴ(BR)E
I cEo
(Ⅴ
(Ⅴ
mA
)
)
ⅤBE(sat)
(Ⅴ
①
5mA
IE=15mA
号
3DD176A
≥ 80
≥ 50
3DD176B艹
彡≥150
彡≥100
3DD176C
彡≥200
≥
3DD176D
彡≥250
≥ 200
3DD176E
≥ 350
≥ 250
3DD176F
彡≥450
≥ 300
注:① A档 YcE=30Ⅴ
cΕ
Ic〓
IB±
1.5A
G≤ 2.0
150
图 2
,B档 Ⅴc主 =50Ⅴ C~F档 ⅤcE=1ooⅤ 。
,
、
②hFE≤ 淫0各 档,其 误差小于±20%, hFE>左 0各 档,其 误差小于 ±10%。
§◇
15A
Ⅴ
5mA
Ic=
)
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