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回辛辛 M
硅 NPN 三重扩散型功率晶体管
3007
用途:功率放大;低速开关;电源调整
外形: S J 139 - 81
(铜)
F- 2
L
回归辅
最大额定值 (T c =2S C)
0
定
额
名
值
单位
得可
称
R
F
G
一一
集电极-基极电压
VCBO
3 雪。
600
250
400
v
一-一
集电极-发射极电压
一二
50
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I
100
150
200
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5
v
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v
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0
名
e
称
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集电极-发射极截止电流
ICEO
测
试
条
件
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共发射极静态电流传输比
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集电极，发射极饱和电压
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集电极-基极饱和电压
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…
特征频率
fT
下降时间
tf
• 214.
3
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v
3007
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称
符号
单位
测试条件
A
B
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Ic=3mA
50
发射极-基极击穿电压
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E
D
F
G
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400
600
v
一
一
400
V
一一 一一
二
集电极-基极击穿电压
C
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200
250
一 一 一
100
150
200
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300
5
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大
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3007
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硅 NPN 三重扩散型大功率晶体管
3DD7-T
用途z 功率放大;低速开关;电源调整
外形.
S J 139 - 81
(铜)
F- 2
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J
最大额定值 (T c =2S C)
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名称·
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℃
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-55-175
℃
ml
l,
电特性 (Tc =2S C)
0
名也
测 1
称
集电极-基极截止电流
ICBO
集电极-发射极截止电流
IclW
试条件
…|最大 lt
VCB=30V(A). VCE= 宫。 V(B).
mA
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共发射极静态电如传输比
d
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VCE=5V.IC=3.75A(A-F) .
VCE= 1OV .Ic =2..((G-I)
集电极-发射极饱和电压
Vc 酌 S.I)
Ic =3.75A.I B=O.38A(A-F)
Ic =2A.l ø =O. 4A(G- I)
集电极-基极饱和电压
VBBcsa.)
Ic=3.75A. lø=O.38A
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B
特征频率
fT
下降时间
tl
1. 5
I
V
MHz
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• 217 •
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3DD7-T
最
名称
符号
测试条件
单位
A
集电极-基极击穿电压
V(BR >C BO
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集电极-发射极击穿电压 V(BR >C BO
发射极-基极击穿电压
-
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C
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E
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3DD7-T
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硅 NPN 大功率晶体管
极限值〈绝对最大额定值) (T ,, =25 C)
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数
数
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(mA)
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-
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•
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绿
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i
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二三
3DD7E - T i
5
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G-3
紫
二三 300
3DD7G- T
注 400
3DD7H- T
-•
F-2
图 1
蓝
二三 250
3DD7F-T
形
橙
二三 100
3DD7D-T
I
红
注 50
3DD7B-T
图 2
三三 2.0
二三 500
3DD71 -1'注 600
A 档 VCE = 30V , B 档 V CE = 50V ,
②
A""F 档 VCE=5V ， Ic=3.75A
③
A-F 档Ic = 3. 75A
56
!位
5
Ptot(T cζ75 C)
注z ①
I I
400
7.5
Ic
H
V
200
150
VCEO
单
,
c- 1 档 VCE= 100V
, G-I 档 VCE=10V ，
1 c=2A
IB = 0.38A; G- 1 档Ic =2A ， IB=0.4A