DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 150 V 3 Pin-Plastic case 3 Pin-Kunststoffgehäuse 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 0.6 g Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden see page 22 s. Seite 22 "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden Maximum ratings Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] DAN 208 100 150 DAP 208 100 150 Type Typ Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25/C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb TU = 25/C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25/C IFAV IFAV 1.0 A 1) 2.0 A 1) IFAV IFAV 1.0 A 1) 2.0 A 1) IFSM 10 A 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 354 28.02.2002 DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics – 50…+150/C – 50…+150/C Kennwerte Forward voltage Durchlaßspannung Tj = 25/C IF = 1 A VF < 1.2 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25/C VR = 100 V IR < 10 :A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) 1 ) Valid for one diode – Gültig für eine Diode ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 2 355