NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13003 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D180BG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1800×1800µm 2 焊位尺寸：B 极 320×320µm 2，E 极 200×300µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSE13003，HE13003 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-126/220） Tstg——贮存温度………………………………………… -65~150℃ Tj——结温……………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………………… 40W VCBO——集电极—基极电压…………………………………… 700V VCEO——集电极—发射极电压………………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压………………………………………9V IC——集电极电流（DC）……………………………………… 1.5A IB——基极电流………………………………………… 0.75A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-126/220） 参数符号 BVCEO IEBO hFE 符 号 说 明 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) 集电极—发射极饱和压降 VBE(sat) 基极—发射极饱和压降 fT 特征频率 tON tSTG tF 导通时间 贮存时间 下降时间 最小值 典型值 最大值 单 位 400 V 10 µA 10 40 5 0.5 V 1 V 3 V 1 V 1.2 V 5 MHz 1.1 4.0 0.7 µS µS µS 测 试 条 件 IC=5mA，IB=0 VEB=9V，IC=0 VCE=5V，IC=0.5A VCE=2V，IC=1A IC=0.5A，IB=0.1A IC=1A，IB=0.25A IC=1.5A，IB=0.5A IC=0.5A，IB=0.1A IC=1A，IB=0.25A VCE=10V，IC=0.1A, f=1MHz Vcc=125V，Ic=1A IB1=-IB2=0.2A RL=125Ω