面実装デバイス 単体型 一般整流ダイオード Surface Mounting Device Single Diode Rectifier Diode ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Package：M2F ロット記号 （例） Date code 品名略号 Type No. 4.4±0.3 ① 特長 ●耐湿性に優れ高信頼 ●自動実装対応 ソルダーリングパッドの参考パターン Soldering pad （1.78）（2.29）（1.78） V6 196 2.0±0.1 3.75±0.3 600V 1.2A （2.29） M2F60 Unit : mm Weight：0.072g（typ.） ② カソードマーク Cathode mark Feature 管理番号（例） Control No. ① ② 5.1±0.3 1.0±0.3 0.1±0.1 1.45 2.0 MAX ●High-Reliability ●for Auto-Mount 1.0±0.3 （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions M2F60 単位 Unit Tstg −55∼150 ℃ Tj 150 ℃ VRM 600 V IO IFSM 2 It 50Hz 正弦波，抵抗負荷， 50Hz sine wave, Resistance load プリント基板実装 Ta=55℃ On glass-epoxy substrate アルミナ基板実装 Ta=51℃ On alumina substrate 0.9 A 1.2 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 50 A 1ms≦ t＜ 10ms Tj= 25℃ 7.4 A2s ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 熱抵抗 Thermal Resistance 198 （J 514 - 6） VF IR IF =1.2A, パルス測定 Pulse measurement MAX 0.97 VR =600V, パルス測定 Pulse measurement MAX 10 θjl 接合部・ケース間 Junction to Case MAX 33 θja 接合部・周囲間，アルミナ基板実装 Junction to Ambient, On alumina substrate MAX 90 θja 接合部・周囲間，プリント基板実装 Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate MAX 120 www.shindengen.co.jp/product/semi/ V μA ℃/W M2F60 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS せん頭サージ順電流耐量 順方向特性 順電力損失曲線 Forward Voltage Forward Power Dissipation 50 1 0.5 0.2 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 〔 〔 sine wave Tj＝150℃ 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1.6 0.2 0.4 0.6 0.8 ディレーティングカーブ Ta−Io Derating Curve Ta−Io ディレーティングカーブ TaーIo Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 〔 on glass-epoxy substrate Soldering land : 2 mm conductor layer : 35μ 0.8 0.6 0.4 0.2 〔 V ＝600V〕 R 0 0 20 40 60 80 1.4 30 sine wave 20 0 10ms 10ms 10 〔 0 1 1cycle non-repetitive Tj＝25℃ 2 5 〔 10 20 50 100 Number of Cycles Derating Curve TaーIo 1.2 〔 1.2 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Forward Voltage VF〔V〕 sine wave R-load free in air 1 40 IFSM Tl =150℃ 〔TYP〕 Tl =25℃ 〔TYP〕 2 1.2 Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 5 1 Peak Surge Forward Current Capability 1.4 10 100 120 140 Ambient Temperature Ta 〔℃〕 160 1.5 on alumina substrate Soldering land : 2 mm conductor layer : 20μ Substrate thickness : 0.64 t 1 0.5 〔 V ＝600V〕 R 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta〔℃〕 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 199