ETC LA8522M

注文コードNo.N 6 9 5 1
No. N 6 9 5 1
62801
新
モノリシックリニア集積回路
LA8522M
パーソナルファクシミリ/電話用
入出力切換音声信号処理LSI
LA8522Mは、クロスポイントスイッチ, BTLパワーアンプ, 電子ボリウム, マイクアンプなどを1チップ化した
FAX/電話用入出力切換音声信号処理LSIである。
機能 ・クロスポイントスイッチ (4×4)
・BTLパワーアンプ
・電子ボリウム
・出力レベル切換え (ATT1:0/−4/−8/−12dB, ATT2:0/−6dB)
・シリアルインタフェース
特長 ・BTLパワーアンプ内蔵 (負荷8∼32Ω):VCC=5V, RL=16Ω, PO max=250mW
・電子ボリウム (7ステップ:4.0dB幅)内蔵
・出力レベル切換え回路2系統 (4ポイント, 2ポイント)内蔵
・ミキシング対応可能クロスポイントスイッチ内蔵
最大定格 / Ta=25℃
最大電源電圧
VCC max
許容消費電力
Pd max
動作周囲温度
保存周囲温度
Topr
Tstg
動作条件 / Ta=25℃
推奨電源電圧
許容動作電源電圧範囲
unit
V
mW
7
550
Ta≦70℃
(ガラスエポキシ基板付き:114.3×76.1×1.6mm3)
−20∼+70
−40∼+150
VCC
VCC op
℃
℃
unit
V
V
5
4.5∼6.0
外形図 3112A
(unit : mm)
0.15
0.63
5.4
12
1.7max
12.5
0.1 1.5
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
1
7.6
13
24
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
0.35
1.0
(0.75)
SANYO : MFP24S
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62801MH寿◎佐藤ヤ B8-5649 No.6951-1/17
LA8522M
電気的特性 / Ta=25℃, VCC=5V, FIN=1kHz, RL=10kΩ
[クロスポイントスイッチ]
電圧利得
GSW
VIN=−14dBV
最大入力レベル
VIN max THD=1.5%
出力雑音電圧
VNOSW 20∼20kHz
[AMP1]
電圧利得
G1
VIN=−43dBV
出力ひずみ率
THD1
VIN=−43dBV
入力換算雑音電圧
Niamp1 Rg=620Ω, 20∼20kHz
[AMP2]
電圧利得
G2
VIN=−34dBV
出力ひずみ率
THD2
VIN=−34dBV
[AMP3]
出力レベル
VO3
VIN=−14dBV, IN (7), OUT (22),
sw (101101)on
出力ひずみ率
THD3
VIN=−14dBV, IN (7), OUT (22),
sw (101101)on
[AMP4]
出力レベル
VO4
VIN=−14dBV, IN (8), OUT (21),
sw (110111)on
出力ひずみ率
THD4
VIN=−14dBV, IN (8), OUT (21),
sw (110111)on
[AMP5]
出力レベル
VO5
VIN=−26dBV, IN (7), OUT (23),
sw (010001)on
出力ひずみ率
THD5
VIN=−26dBV, IN (7), OUT (23),
sw (010001)on
最大電圧利得
AMP1
G1max
AMP2
G2max
AMP3
G3max
AMP4
G4max
AMP5
G5max
アッテネータ減衰量1-1
Att1-1
Address (010101)
アッテネータ減衰量1-2
Att1-2
Address (011001)
アッテネータ減衰量1-3
Att1-3
Address (011101)
アッテネータ減衰量2-1
Att2-1
Address (000101)
電子ボリウム出力レベル VOevr
VIN=−42dBV, IN (2), OUT (20),
sw (010001)on
電子ボリウムステップ幅 Wevr
VIN=−42dBV, IN (2), OUT (20),
sw (010010)on
電子ボリウム出力雑音電圧 NOevr
20∼20kHz, OUT (20)
[BTLパワーアンプ]
電圧利得
VGSPW VIN=−20dBV, RL=16Ω
最大電圧利得
VGp max
全高調波ひずみ率
THDpw VIN=−30dBV, RL=16Ω
最大BTL出力電力
Po max THD=10%, RL=16Ω
リップル除去率
SVRR
Rg=620Ω, frin=100Hz,
Vrin=−20dBV, RL=16Ω
出力雑音電圧
VNOpw Rg=620Ω, 20∼20kHz, RL=16Ω
[CPUインタフェイス]
クロック周波数
Fck
入力信号「H」レベル
VH
入力信号「L」レベル
VL
min
typ
max
−2.5
−14
−0.5
−10
15
1.5
28.2
29.2
0.15
2.0
30.2
dB
1.5
%
7.0 μVrms
18.2
19.2
0.16
20.2
1.5
dB
%
−10.8
−8.3
−5.8
dBV
0.31
1.5
−8.2
−5.7
0.30
1.5
−9.0
−6.5
0.17
1.5
−10.7
−11.5
unit
dB
dBV
60 μVrms
%
dBV
%
dBV
%
30
25
20
18
18
3.5
7.5
11.7
5.5
−14.3
20
20
4.2
8.2
12.4
6.2
−12.3
4.9
8.9
13.1
6.9
−10.3
3.1
4.0
4.9
25
60 μVrms
18.1
30
250
40
19.6
21.1
0.8
400
50
1.5
23
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBV
dB
dB
dB
%
mW
dB
60 μVrms
500
2.1
kHz
V
1.0
V
次ページへ続く。
No.6951-2/17
LA8522M
前ページから続く。
[VREF, 消費電流]
内部基準電圧 (1ピン電圧) Vref
無信号消費電流-1
ICCO1
無信号消費電流-2
min
typ
max
unit
2.09
2.26
12.5
2.41
20
V
mA
7
11
mA
BTLパワーアンプON,
クロスポイントスイッチOFF
BTLパワーアンプOFF,
クロスポイントスイッチOFF
ICCO2
+
A13727
VCC
ブロック図
12
13
CL
CPU
BTL.VCC
CPU
Interface
11
VCC
14
DI
CE
9
BTL
AMP
AMP4
BTL-OUT1
–
GND
16
SP
10
15
BTL-OUT2
+
8
–
17
OP4-IN
BTL.GND
+
OP3-IN
7
–
18
BTL-IN
+
AMP3
5
–
4
3
–
21
6dB
ATT2
2ポイント
+
SW-OUT2
2
+
1
REG
–
23
AMP5
VREF
SW-OUT1
24
ATT1
4ポイント
AMP1
OP1-IN
SW-OUT4
SW-OUT3
6dB
AMP2
20
+
22
OP2-IN
EVR
7ステップ
6
19
+
BTL-VREF
+
No.6951-3/17
No.6951-4/17
VOUT
1kHz
10kΩ
VIN
1
100kΩ
+ 100kΩ
OP5-NT
0.22µF
24
VREF
15kΩ
IN1
2
23
SW1
OUT1
SW-OUT1
0.1µF
10µF
620Ω
OP1-IN
0.033µF
3
SW-OUT2
22
OP1-NF
OUT2
3.3kΩ
100kΩ
1µF
4
21
SW-OUT3
OUT3
OP1-OUT
620Ω
IN2
5
SW-OUT4
20
OP2-IN
100kΩ
SW2
OUT4
10kΩ
0.1µF
6
620Ω
47µF
10kΩ
IN3
7
18
BTL-IN
SW3
0.33µF
IN4
8
17
BTL-GND
OP4-IN
100kΩ
0.1µF
SW4
0.1µF
0.1µF
13
11
BTL-OUT2
CE
10
BTL-OUT1
GND
9
15
0.1µF
0.1µF
+
12
Top view
データジェネレータ
BTL-OUT
2
16Ω
14
16
BTL-OUT
1
BTL-VCC
DI
BTL-IN
LA8522M
19
BTL-VREF
+
OP2-OUT
620Ω
0.1µF
OP3-IN
43kΩ
620Ω
43kΩ
VCC
CL
100µF
+
100µF
A13728
VCC
測定回路図
LA8522M
No.6951-5/17
10kΩ
+
15kΩ
0.22µF
1
100kΩ
100kΩ
2
AMP5-NF
VREF
24
SW-OUT1
OP1-IN
23
0.033µF
1µF
3.3kΩ
4
SW-OUT2
OP1-NF
3
100kΩ
SW-OUT3
OP1-OUT
22
21
0.1µF
10kΩ
100kΩ
6
5
20
SW-OUT4
OP2-IN
0.33µF 10kΩ
BTL-VREF
OP2-OUT
100µF
19
7
BTL-IN
18
LA8522M
+
0.1µF
OP3-IN
100kΩ
10kΩ
0.1µF
8
17
BTL-GND
OP4-IN
0.1µF
10kΩ
10
9
16
0.1µF
BTL-OUT1
GND
SP
8∼32Ω
BTL-OUT2
CE
15
0.1µF
CPU
11
14
BTL-VCC
0.1µF
2.2kΩ
DI
2.2kΩ
12
13
VCC
CL
2.2kΩ
220µF
+
A13729
Top view
VCC=5V
0.1µF
応用回路図
LA8522M
LA8522M
端子説明
端子
番号
端子名
端子電圧
(V)
等 価 回 路 図
備 考
内部回路基準電圧
(約2.25V)
※BTLパワーアンプ以外
は、この電位を基準
として動作
VCC
1
VREF
2.25
1
2.25V
A13743
VCC
2
OP1-IN
2.25
3
OP1-NF
2.25
AMP1プラス入力
AMP1マイナス入力
2
4
300Ω
3
AMP1出力
300Ω
4
OP1-OUT
2.25
A13744
VCC
AMP2マイナス入力
VREF
OP2-IN
2.25
30kΩ
5
6
AMP2出力
5
6
OP2-OUT
300Ω
2.25
A13745
AMP3入力
VCC
OP3-IN
VREF
2.25
30kΩ
7
AMP4入力
50kΩ
7
8
8
OP4-IN
5kΩ
2.25
A13746
次ページへ続く。
No.6951-6/17
LA8522M
前ページから続く。
端子
番号
端子名
端子電圧
(V)
等 価 回 路 図
備 考
チップイネーブル入力
端子
VCC
10
CE
VCC
100kΩ
データ入力端子
11
DI
10
11
12
VCC
1kΩ
クロック入力端子
12
CL
VCC
A13747
BTLパワーアンプ出力1
P-VCC
16
BTL-OUT1
0.44VCC
16
5kΩ
300Ω
BTLパワーアンプマイナ
ス入力
19ピンへ
18
BTL-IN
0.44VCC
18
A13748
P-VCC
15
BTL-OUT2
0.44VCC
BTLパワーアンプ出力2
50kΩ
5kΩ
19
15
20kΩ
20kΩ
19
BTL-VREF
0.44VCC
BTLパワーアンプ基準電
圧
16ピンへ
40kΩ
A13749
電子ボリウム出力端子
(SW第4出力)
VCC
20
SW-OUT4
2.25
20
40kΩ
A13750
次ページへ続く。
No.6951-7/17
LA8522M
前ページから続く。
端子
番号
端子名
端子電圧
(V)
内 部 等 価 回 路
備 考
AMP7出力端子
(SW第3出力)
VCC
VREF
21
SW-OUT3
2.25
21
60kΩ
30kΩ
10kΩ
A13751
AMP6出力端子
(SW第2出力)
VCC
22
SW-OUT2
2.25
22
A13752
VCC
23
SW-OUT1
AMP5出力端子
(SW第1出力)
2.25
23
AMP5 NF端子
24
24
OP5-NF
2.25
300Ω
A13753
A
9
GND
−
接地端子
13
VCC
5V印可
電源端子
14
BTL-VCC
5V印可
パワーアンプ用
電源端子
17
BTL-GND
−
パワーアンプ用
接地端子
No.6951-8/17
LA8522M
シリアルデータフォーマット (6bit構成)※1
CE
CLOCK
DATA
A4
A3
A2
A1
A0
D
FIRST BIT
A13754
A6∼A0 ⇒ クロスポイントスイッチ等のアドレスを設定する ( 2進数表記)。
D
⇒ クロスポイントスイッチ および パワーアンプのオン, オフのコントロールを行う。
電子ボリウム、アッテネータの選択。
D=1:クロスポイントスイッチ オン
D=0:クロスポイントスイッチ オフ
※1 8bitシリアルデータ入力の場合。
シフトレジスタを6bitで構成しているので、8bitで入力した場合、FIRST 2bitは無効となる。
アドレス表 (クロスポイントスイッチ)
[データA4∼A0]
出力
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
AMP1
10000
10100
11000
11100
AMP2
10001
10101
11001
11101
AMP3
10010
10110
11010
11110
AMP4
10011
10111
11011
11111
入力
その他のアドレス [データA4∼A0, D]
アドレスNo.
※2
注)1
注)2
注)3
注)4
A4∼A0
D
00000
00011
00011
01000
01001
01010
01011
01100
01101
01110
01111
01000
01010
01100
01110
00010
00010
*
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
モード
リセット、制御スイッチデフォルト
BTLパワーアンプオフ
BTLパワーアンプオン
電子ボリウム
電子ボリウム
電子ボリウム
電子ボリウム
電子ボリウム
電子ボリウム
電子ボリウム
電子ボリウム
アッテネータ1-0
アッテネータ1-1
アッテネータ1-2
アッテネータ1-3
アッテネータ2-0
アッテネータ2-1
※2
← デフォルト時
0dB ← デフォルト時
−4dB
−8dB
−12dB
−16dB
−20dB
−24dB
−28dB
0dB ← デフォルト時
−4dB
−8dB
−12dB
0dB ← デフォルト時
−6dB
リセット設定時の「D」のデータは、「1」、「0」のどちらでも良い。
電源立ち上げ後 (200ms後)、必ずリセットコントロールすること。
電子ボリウムは、リセット (アドレス:0 0 0 0 0 *)時、0dB設定。
アッテネータ1は、リセット (アドレス:0 0 0 0 0 *)時、0dB設定。
アッテネータ2は、リセット (アドレス:0 0 0 0 0 *)時、0dB設定。
No.6951-9/17
LA8522M
シリアルデータのタイミング
fmax
tWH tWH
tCS
tCH tWC
CE
CLOCK
DATA
A4
A3
A2
A1
A0
D
A4
A3
tDS tDH
A13755
・fmax (最大クロック周波数)
・tWL (クロックパルス幅「L」)
・tWH (クロックパルス幅「H」)
・tCS (チップイネーブルセットアップ時間)
・tCH (チップイネーブルホールド時間)
・tDS (データセットアップ時間)
・tDH (データホールド時間)
・tWC (チップイネーブルパルス時間)
500kHz
1μs以上
1μs以上
1μs以上
1μs以上
1μs以上
1μs以上
1μs以上
使用上の注意
1) アッテネータ1について
通常、アッテネータ1は0dB設定になっている。シリアルデータ“010101/011001/011101”を入力すること
により“−4/−8/−12dB”設定になる。
23
ATT1
クロスポイントSW
ATT1-OUT
A13756
2) アッテネータ2について
通常、アッテネータ2は0dB設定になっている。シリアルデータ“000101”を入力することにより“−6dB”
設定になる。
22
ATT2
クロスポイントSW
ATT2-OUT
A13757
3) パワーアンプ位相補償用コンデンサについて (定数は参考値)
C1:100μF
C2:0.1μF
C3:0.1μF
C4:0.1μF
C5:0.1μF
C6:100μF
C7:100pF (時定数は10μs以下)
SP:8∼32Ω
・電圧利得20∼30dB
+
PWR-VREF 19
C1
10kΩ 0.33
100kΩ
PWR-IN 18
PWR-GND 17
C2
C7
C3
PWR-OUT1 16
SP
PWR-OUT2 15
PWR-VCC 14
C5
+
C4
C6
A13758
外付け部品の中で、容量C2, C3はパワーアンプの位相補償用コンデンサであり、この部品をピンから距離を
離したレイアウトにした場合、インピーダンスの関係により位相補償効果の低下を招き、高域発振現象を引
き起こす可能性がある。
従って、上記2つの容量C2, C3はできるだけ、ICのピンの近傍にて接続するようなレイアウトを推奨する。
ただし、レイアウトの関係により、発振しやすい状況にある場合には、容量のみの補償でなく、容量に直列
抵抗 (1∼2.2Ω程度)を挿入した位相補償法も推奨する。
また、帰還抵抗路に容量C7を付加した場合、帰還経路で位相が遅れる為、容量C4, C5が必要となる。ただ
し、帰還抵抗とC7の時定数は10μs以下 (100kΩ, 100pF)とする。
No.6951-10/17
LA8522M
4) LA8522MのGNDライン引き回しについて (次ページ図参照)
LA8522Mの回路ブロックは大きく分けて、
①パワーアンプ、②クロスポイントスイッチの小信号処理系
の2つとなっている。当然、2種類のブロック構成のため、各々単独のVCC/GND端子を設けている。GNDと
接続する外付け素子は、ブロックに関係するGNDラインに接続し、最終的に基準となる電源 (レギュレータ)
のGNDにそれぞれ独立に2本のラインでパターンを形成する事がベストである。
しかし、プリント基板の凸有面積の制約を受けるため、1本のラインで電源用GNDに接続する場合がある。
その場合には、電流の大きく流れるGNDライン (パワーアンプ)が、電流消費の少ない回路のGNDラインより
も電源用GNDに近い距離となる (インピーダンスがより小さくなる)ようなGNDラインの引き回しが必要であ
る。
小信号処理系など少ない電流を扱うGNDラインにパワーアンプなどで消費した大電流が通過するような場
合、信号の経路によってはGNDからの影響を受けてループが形成されて、低域発振現象を引き起こす可能性
がある。
従って、GNDラインは上述のように、電流が多く流れるラインを基準である電源用GNDに一番近づけるよ
うな引き回しを推奨する。
5) ピン間短絡について
ピン間を短絡したままで電源を投入した場合、破壊 および 劣化の原因となるため、ICを基板に取り付ける
際にはピン間がハンダ等で短絡していないかどうか確認してから電源投入すること。
6) 負荷短絡について
負荷を短絡した状態で長時間おいた場合、破壊 および 劣化の原因となるため、負荷は絶対に短絡させない
ようにすること。
7) 最大定格について
最大定格付近で使用した場合、僅かな条件変動でも最大定格を越える可能性があり、破壊事故につながり
かねないため、電源電圧等の変動マージンを十分とり、最大定格を絶対越えない範囲で使用する。
次ページへ続く。
No.6951-11/17
+
23
2
24
1
3
22
4
21
5
20
18
6
7
LA8522M
19
+
8
17
9
16
SP
10
15
CPU
11
14
12
13
+
Top view
A13759
LA8522M
前ページより続く。
GNDの引き回し方
No.6951-12/17
LA8522M
BTLアンプ出力ひずみ率特性 (1)
BTLアンプ出力ひずみ率特性 (2)
100
7
5
5V
V
CC =
1.0
7
5
3
2
0.1
10
2
3
5
7
100
2
3
5
7
10
7
5
3
1.0
7
5
3
2
2
出力電力, PO − mW
BTLアンプ出力ひずみ率特性 (3)
出力ノイズ, Output NO − μVrms
全高調波ひずみ率, THD − %
3
2
V
5V CC=5.5
V
.5V
VC
C=4
2
V
CC =
1.0
7
5
3
2
0.1
10
2
3
5
7
100
2
3
5
7
25
40
4.5
5
5.5
6
6.5
4
4.5
5.5
6
6.5
7
VCC=5V
fIN=100Hz
19Pin:100μF
65
60
15Pin:OUT2
55
16Pin:OUT1
50
45
40
35
−25
−20
−15
電子ボリウムステップ幅VCC依存性
6
VIN=−42V
2Pin入力
(AMP1入力)
20Pin出力
fIN=1kHz
RL=10Ω
5
ステップ幅 − dB
VIN=−42V
2Pin入力
(AMP1入力)
20Pin出力
fIN=1kHz
RL=10Ω
出力レベル, VO20 − dBV
5
入力レベル − dBV
−15
−20
1k
15
30
−30
7
VO20 − VCC
−10
7
15Pin:BTL-OUT1
電源電圧, VCC − V
−5
5
16Pin:BTL-OUT2
70
リップル除去率, SVRR − dB
リップル除去率, SVRR − dB
16Pin:OUT1
4
3
BTLアンプリップル除去率入出力特性
15Pin:OUT2
30
2
電源電圧, VCC − V
VIN=100mVrms
fIN=100Hz
RL=16Ω
19Pin:100μF
50
100
20
10
1k
BTLアンプリップル除去率VCC依存性
60
7
Rg=620Ω
出力電力, PO − mW
70
5
BTLアンプ出力ノイズVCC依存性
30
RL=32Ω
fIN=1kHz
3
3
出力電力, PO − mW
100
7
5
10
7
5
V
2
0.1
10
1k
VC
C=5.5
2
2
5V
3
VC
C=5.5
VC
C=4.5
V
V
10
7
5
3
V
CC =
2
V
3
RL=16Ω
fIN=1kHz
VC
C=4.5
RL=8Ω
fIN=1kHz
全高調波ひずみ率, THD − %
全高調波ひずみ率, THD − %
100
7
5
4
3
4
4.5
5
5.5
6
電源電圧, VCC − V
6.5
7
2
4
4.5
5
5.5
6
6.5
電源電圧, VCC − V
No.6951-13/17
7
LA8522M
VO23 − VCC
−5
12
−8
−9
−10
−11
VIN=−26V
7Pin入力
(AMP3入力)
23Pin出力
fIN=1kHz
RL=10Ω
−12
−13
−14
4
4.5
5
5.5
6
6.5
10
9
ATT1-2
8
7
6
5
ATT1-3
4
3
2
1
0
7
4
4.5
5
電源電圧, VCC − V
−7
8
減衰量, ATT − dB
出力レベル, VO22 − dBV
9
−8
−9
−10
VIN=−14V
8Pin入力
(AMP4入力)
22Pin出力
fIN=1kHz
RL=10Ω
−12
−13
−14
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
ATT2-1
5
4
3
0
7
4
4.5
5
クロストークレベル, CT − dBV
無信号消費電流, ICCO − mA
12
11
−80
9
−90
−110
8
PWR-AMP:OFF
−120
6
5
5.5
6
6.5
7
VCC=5V
fIN=1kHz
with:1k-BPF
−50
5
3
VOUT:4Pin (AMP1)
5
5.5
6
電源電圧, VCC − V
7
出力雑音電圧, VNO − μVrms
入力換算雑音電圧, VNI − μVrms
VOUT:6Pin (AMP2)
4.5
−40
−30
−20
−10
0
6.5
7
VNO − VCC
100
Rg=620Ω
4
1,
入力レベル − dBV
7
1
FF
:O
SW
F
:OF
SW
OFF
T1,
:
U
, SW
N/O
-I
3
I
T
2
1
OU
OP
OP
-IN/
OP2
1
110
:11
OP3-IN/OUT1, SW:OFF
FF
W
:O
2, S
T
W
S
U
2,
N/O
UT
3-I
P
O
O
N/
3-I
OP
OP1-IN/OUT4, SW:OFF
−130
−60
VNI − VCC
2
7
O
N/
電源電圧, VCC − V
10
6.5
UT
−100
10
4.5
6
クロストーク入出力特性
−70
MP:O
PWR-A
4
5.5
電源電圧, VCC − V
N
5
VIN=−14V
8Pin入力
(AMP4入力)
22Pin出力
fIN=1kHz
RL=10Ω
1
14
7
7
2
無信号消費電流VCC依存性
13
6.5
6
電源電圧, VCC − V
15
6
ATT2減衰量VCC依存性
10
−6
−11
5.5
電源電圧, VCC − V
VO22 − VCC
−5
(AMP3入力)
23Pin出力
fIN=1kHz
RL=10Ω
11
減衰量, ATT − dB
出力レベル, VO23 − dBV
ATT1-1
13
−7
−15
VIN=−26V
7Pin入力
14
−6
−15
ATT1減衰量VCC依存性
15
Rg=620Ω
VOUT:23Pin
5
3
VOUT:20Pin
2
10
VOUT:22Pin
VOUT:21Pin
7
5
3
2
1
4
4.5
5
5.5
6
6.5
電源電圧, VCC − V
No.6951-14/17
7
LA8522M
BTLアンプ出力ひずみ率特性 (4)
VCC=5V
fIN=1kHz
RL=16Ω
3
2
10
7
5
3
2
TEMP:+70℃
1.0
7
5
3
2
TEMP:+25℃
0.1
10
2
3
TEMP:−20℃
5
7
100
2
3
5
7
100
出力雑音電圧, VNO − μVrms
全高調波ひずみ率, THD − %
100
7
5
VCC=5V
Rg=620Ω
7
5
3
BTL-OUT1:16Pin
2
10
−20
1k
出力アンプ出力ノイズ温度依存性
BTL-OUT2:15Pin
−10
0
出力電力, PO − mV
VO20 − Ta
出力レベル, VO20 − dBV
−10
−15
40
5
50
60
70
VIN=−42dBV
Input:2Pin
(AMP1入力)
Output:20Pin
fIN=1kHz
RL=10kΩ
4.5
STEP1, STEP
4
STEP4, STEP
STEP2, STEP
−10
0
10
20
30
40
50
60
3
−20
70
−10
0
30
40
−10
0
減衰量, ATT − dB
VIN=−44dBV
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:23Pin
fIN=1kHz
RL=10kΩ
−5
20
50
60
70
ATT減衰量温度依存性
VO23 − Ta
0
10
周囲温度, Ta − ℃
周囲温度, Ta − ℃
出力レベル, VO23 − dBV
30
3.5
−20
−20
VIN=−44dBV
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:23Pin
ATT1-1
fIN=1kHz
RL=10kΩ
−5
ATT1-2
−10
ATT1-3
−15
−20
−10
0
10
20
30
40
50
60
−15
−20
70
−10
0
30
40
−10
0
50
60
70
VIN=−32dBV
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:22Pin
fIN=1kHz
RL=10kΩ
−1
−2
減衰量, ATT − dB
VIN=−32dBV
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:22Pin
fIN=1kHz
RL=10kΩ
−5
20
ATT減衰量温度依存性
VO22 − Ta
0
10
周囲温度, Ta − ℃
周囲温度, Ta − ℃
出力レベル, VO22 − dBV
20
電子ボリウムステップ幅温度依存性
VIN=−42dBV
Input:2Pin
(AMP1入力)
Output:20Pin
fIN=1kHz
RL=10kΩ
ステップ幅 − dB
−5
10
周囲温度, Ta − ℃
−3
−4
−5
ATT2-1
−6
−7
−8
−9
−15
−20
−10
0
10
20
30
40
周囲温度, Ta − ℃
50
60
70
−10
−20
−10
0
10
20
30
40
50
60
70
周囲温度, Ta − ℃
No.6951-15/17
LA8522M
AMP1入出力特性
10
7
5
3
2
0.01
−55
−50
−45
−40
−35
−25
AMP2入出力特性
VCC=5V
fIN=1kHz
Input:5Pin
Output:6Pin
1.0
7
5
3
2
TEM
P:−
P:+
70℃
TEM
P:+
0.01
−45
−20
20℃
TEM
0.1
7
5
3
2
TE
MP
:+
0.1
7
5
3
2
100
7
5
3
2
全高調波ひずみ率, THD − %
20℃
25
℃
1.0
7
5
3
2
TEM
P:−
10
7
5
3
2
VCC=5V
fIN=1kHz
Input:2Pin
Output:4Pin
TEM
P:+
70℃
全高調波ひずみ率, THD − %
100
7
5
3
2
25℃
−40
−35
入力レベル − dBV
THD − VO20
全高調波ひずみ率, THD − %
P:−
20℃
5℃
P:+2
3
2
TEM
10
7
5
TEM
P:+
70℃
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
−25
−20
−15
−10
−5
3
2
3
2
TEMP
1.0
7
5
:−20
℃
TEMP
:+25℃
3
2
−20
全高調波ひずみ率, THD − %
全高調波ひずみ率, THD − %
TEMP
:−20
℃
TEMP:+
25℃
−20
0℃
:+7
−15
−10
−5
0
10
7
5
3
2
TEM
P:+
1.0
7
5
3
2
25℃
TEM
P:+
70℃
TEMP
:−20
0.1
−25
5
℃
−20
−15
5
3
2
10
AMP2
5
3
AMP1
2
0.1
−20
−10
0
10
20
30
40
周囲温度, Ta − ℃
50
−5
0
5
60
70
VNO − Ta
1000
7
5
出力雑音電圧, VNO − μVrms
入力換算雑音電圧, VNI − μVrms
VCC=5V
Rg=620Ω
7
−10
出力レベル, VO23 − dBV
VNI − Ta
7
0
fIN=1kHz
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:23Pin
出力レベル, VO22 − dBV
100
−5
3
2
P
TEM
−10
THD − VO23
100
7
5
3
2
0.1
−25
−15
出力レベル, VO21 − dBV
fIN=1kHz
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:22Pin
3
2
℃
:+70
TEMP
0.1
−25
0
10
7
5
1.0
7
5
−15
10
7
5
THD − VO22
3
2
−20
fIN=1kHz
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:21Pin
出力レベル, VO20 − dBV
100
7
5
−25
THD − VO21
100
7
5
fIN=1kHz
Input:5Pin
(AMP2入力)
Output:20Pin
TEM
全高調波ひずみ率, THD − %
100
7
5
−30
入力レベル − dBV
VCC=5V
Rg=620Ω
3
2
100
7
5
OUT1
3
2
OUT4
10
7
5
OUT2
OUT3
3
2
0.1
−20
−10
0
10
20
30
40
50
60
70
周囲温度, Ta − ℃
No.6951-16/17
LA8522M
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
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この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用
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にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。
PS No.6951-17/17