WEDC WED3DG6419V75D2

White Electronic Designs
WED3DG6419V-D2
128MB - 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED
FEATURES
DESCRIPTION
Burst Mode Operation
Auto and Self Refresh capability
LVTTL compatible inputs and outputs
Serial Presence Detect with EEPROM
The WED3DG6419V is a 16Mx64 synchronous DRAM module which
consists of sixteen 8Mx8 SDRAM components in TSOP II package
and one 2K EEPROM in an 8 pin TSSOP package for Serial Presence Detect which are mounted on a 168 pin DIMM multilayer FR4
Substrate.
Fully synchronous: All signals are registered on the positive
edge of the system clock
Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 or Full Page
3.3 volt ± 0.3v Power Supply
168 pin DIMM JEDEC
* This product is subject to change without notice.
PIN NAMES
PIN CONFIGURATIONS (FRONT SIDE/BACK SIDE)
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
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28
Aug. 2002
Rev. 2
Front
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
*CB0
*CB1
VSS
NC
NC
VCC
WE#
DQM0
Pin
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
Front
DQM1
CS0#
DNU
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10/AP
BA1
VCC
VCC
CLK0
VSS
DNU
CS2#
DQM2
DQM3
DNU
VCC
NC
NC
*CB2
*CB3
VSS
DQ16
DQ17
Pin
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
Front
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
*VREF
CKE1
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
CLK2
NC
NC
**SDA
**SCL
VCC
Pin
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
Back
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
*CB4
*CB5
VSS
NC
NC
VCC
CAS#
DQM4
Pin
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
Back
DQM5
CS1#
RAS#
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
VCC
CLK1
*A12
VSS
CKE0
CS3#
DQM6
DQM7
*A13
VCC
NC
NC
*CB6
*CB7
VSS
DQ48
DQ49
1
Pin
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
Back
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
*VREF
DNU
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
CLK3
NC
**SA0
**SA1
**SA2
VCC
A0 – A11
BA0-BA1
DQ0-63
CLK0-CLK3
CKE0,CKE1
CS0#-CS3#
RAS#
CAS#
WE#
DQM0-7
VCC
VSS
SDA
SCL
DNU
NC
WP
Address input (Multiplexed)
Select Bank
Data Input/Output
Clock input
Clock Enable input
Chip select Input
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
DQM
Power Supply (3.3V)
Ground
Serial data I/O
Serial clock
Do not use
No Connect
Write Protect
* These pins are not used in this module.
** These pins should be NC in the system
which does not support SPD.
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WED3DG6419V-D2
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CS1#
CSO#
DQM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQM4
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
U0
U1
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM5
U8
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
U9
CS3#
CS2#
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
cs#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
U4
U5
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
U12
U13
DQM6
U2
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
U10
DQM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U6
U14
DQM7
U3
DQM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS#
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
U11
U7
SDA
WP
SCL
A0
A1
U15
A2
SA0 SA1 SA2
A0 ~ A12, BA0 & BA1
SDRAM U0 ~ U15
RAS#
SDRAM U0 ~ U15
CAS#
SDRAM U0 ~ U15
WE#
SDRAM U0 ~ U15
CKE0
SDRAM U0 ~ U7
VCC
10KΩ
CKE1
SDRAM U8 ~ U15
U0/U1/U2/U3
U4/U5/U6/U7
10Ω
CLK0/1/2/3
10Ω
DQn
U8/U9/U10/U11
Every DQpin of SDRAM
U12/U13/U14/U15
VCC
Two 0.1uF Capacitors
per each SDRAM
3.3pF
To all SDRAMs
VSS
Aug. 2002
Rev. 2
2
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WED3DG6419V-D2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Symbol
Value
Units
Voltage on any pin relative to VSS
VIN, VOUT
-1.0 ~ 4.6
V
Voltage on VCC supply relative to VSS
VCC, VCCQ
-1.0 ~ 4.6
V
TSTG
-55 ~ +150
°C
Storage Temperature
Power Dissipation
PD
16
W
Short Circuit Current
IOS
50
mA
Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
Voltage Referenced to: VSS = 0V, 0°C ≤ TA ≤ +70°C
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply Voltage
Parameter
VCC
3.0
3.3
3.6
V
Note
Input High Voltage
VIH
2.0
3.0
VCCQ+0.3
V
Input Low Voltage
VIL
-0.3
—
0.8
V
2
Output High Voltage
VOH
2.4
—
—
V
IOH= -2mA
Output Low Voltage
VOL
—
—
0.4
V
IOL= -2mA
Input Leakage Current
ILI
-10
—
10
µA
3
1
Note:
1. VIH (max)= 5.6V AC. The overshoot voltage duration is ≤ 3ns.
2. VIL (min)= -2.0V AC. The undershoot voltage duration is ≤ 3ns.
3. Any input 0V ≤ VIN ≤ VCC
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.
CAPACITANCE
TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = 3.3V, VREF=1.4V ± 200mV
Parameter
Symbol
Max
Unit
Input Capacitance (A0-A12)
CIN1
50
pF
Input Capacitance (RAS#,CAS#,WE#)
CIN2
50
pF
Input Capacitance (CKE0)
CIN3
25
pF
Input Capacitance (CLK0, CLK2)
CIN4
50
pF
Input Capacitance (CS0#,CS2#)
CIN5
25
pF
Input Capacitance (DQM0-DQM7)
CIN6
13
pF
Input Capacitance (BA0-BA1)
CIN7
50
pF
Data input/output capacitance (DQ0-DQ63)
COUT
13
pF
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WED3DG6419V-D2
OPERATING CURRENT CHARACTERISTICS
VCC = 3.3V, 0°C ≤ TA ≤ 70°C
Parameters
Operating Current
(One bank active)
Precharge Standby Current
in Power Down Mode
Precharge Standby Current
in Non-Power Down Mode
Active standby current in powerdown mode
Active standby in current non
power-down mode
Symbol
Conditions
ICC1
Burst Length = 1
tRC ≥ tRC(min)
IOL = 0mA
Versions
133
100
1760
1760
Units
Note
mA
1
ICC2P
CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns
15
mA
ICC2PS
CKE & CK ≤ VIL(max), tCC = ∞
15
mA
ICC2N
CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC =10ns
Input signals are charged one time during 20
240
mA
ICC2NS
CKE ≥ VIH(min), CK ≤ VIL(max), tCC= ∞
Input signals are stable
100
mA
ICC3P
CKE ≥ VIL(max), tCC = 10ns
50
mA
ICC3PS
CKE & CK ≤ VIL(max), tCC = ∞
50
ICC3N
CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 10ns
Input signals are charged one time during 20ns
480
mA
ICC3NS
CKE ≥ VIH(min), CK ≤ VIL(max), tCC = ∞
input signals are stable
400
mA
Operating current (Burst mode)
ICC4
Io = mA
Page burst
4 Banks activated
tCCD = 2CK
2160
2160
mA
1
Refresh current
ICC5
tRC ≥ tRC(min)
2160
2160
mA
2
Self refresh current
ICC6
CKE ≤ 0.2V
15
mA
Notes:
1. Measured with outputs open.
2. Refresh period is 64ms.
3. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS (VIH/VIL = VCC/VssQ)
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WED3DG6419V-D2
ORDERING INFORMATION
Part Number
Speed
CAS Latency
WED3DG6419V10D2
100MHz
CL=2
Part Number
WED3DG6319V10D2
100MHz
CL=2
WED3DG6419V7D2
133MHz
CL=2
WED3DG6319V7D2
133MHz
CL=2
WED3DG6419V75D2
133MHz
CL=3
WED3DG6319V75D2
133MHz
CL=3
Note: Modules are available in industrial temperature - 40°C to 85°C.
Speed
CAS Latency
Note: Available with "WP" Write Protect on pin 81.
PACKAGE DIMENSIONS
133.48
(5.255 MAX.)
3.81
(0.150)
MAX.
3.18
(0.125) (2X)
3.99
(0.157)
(2X)
30.48
(1.200)
17.78 MAX.
(0.700)
P1
11.43
(0.450)
8.89
(0.350)
36.83
(1.450)
6.35
(0.250)
42.16
(1.660)
54.61
(2.150)
3.99
(0.157 MIN.)
6.35
(0.250)
1.27
(0.050 ± 0.004)
115.57
(4.550)
ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS AND (INCHES)
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Rev. 2
5
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WED3DG6419V-D2
Document Title
128MB - 16Mx64 SDRAM UNBUFFERED
Revision History
Rev #
History
Release Date
Status
Rev 0
Created datasheet
4-9-02
Advanced
Rev 1
1.1 Corrected mechanical drawing
5-21-02
Advanced
Rev 2
2.1 Changed from Advanced to Final datasheet
8-19-02
Final
Aug. 2002
Rev. 2
6
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