OSRAM SFH482

GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480, SFH 481, SFH 482
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Wesentliche Merkmale
Features
• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
• SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43
• SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65
• GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• SFH 480: Same package as SFH 216
• SFH 481: Same package as BPX 43
• SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65
Anwendungen
Applications
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
•
•
•
•
2001-10-01
1
Photointerrupters
IR remote control of various equipmet
Sensor technology
Light-grille barrier
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 480
Q62703-Q1087
SFH 480-2/3
Q62703-Q5195
SFH 481
Q62703-Q1088
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-Raster
(1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
cathode marking: projection at package
SFH 481-1/2
Q62703-Q4752
SFH 481-2/3
Q62703-Q4753
SFH 482
Q62703-Q1089
SFH 482-1/2
Q62703-Q4771
SFH 482-2/3
Q62703-Q4754
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
2001-10-01
2
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482
Top; Tstg
– 40 … + 125
°C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 481
Top; Tstg
– 40 … + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
100
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Durchlaßstrom
Forward current
IF
200
mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
470
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
RthJC
450
160
K/W
K/W
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA
∆λ
80
nm
ϕ
ϕ
ϕ
±6
± 15
± 30
Grad
deg.
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
2001-10-01
3
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.16
mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L×B
L×W
0.4 × 0.4
mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
H
H
H
4.0 … 4.8
2.8 … 3.7
2.1 … 2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf
0.6/0.5
µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co
25
pF
VF
VF
1.50 (≤ 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
Sperrstrom,
Reverse current
VR = 5 V
IR
0.01 (≤ 1)
µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe
12
mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
TCI
– 0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
–2
mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
TCλ
+ 0.25
nm/K
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
2001-10-01
4
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
480-2
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
> 40
–
> 63
–
≥ 10
–
10
20
16
–
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ.
540
630
220
130
220
mW/sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
482
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
≥ 3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2 mW/sr
–
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
–
40
65
80
–
Ie typ.
mW/sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
2001-10-01
5
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Radiation Characteristics, SFH 480 Irel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
ϕ
OHR01888
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
0.2
80
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Radiation Characteristics, SFH 481 Irel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
OHR01889
ϕ
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
0.2
80
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Radiation Characteristics, SFH 482 Irel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
ϕ
OHR01890
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
0.2
80
0
90
100
1.0
2001-10-01
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
6
120
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
Single pulse, tp = 20 µs
OHR00877
100
Max. Permissible Forward Current
SFH 481, IF = f (TA, TC)
OHR00878
10 2
OHR00946
240
Ιe
%
Ι rel
Ie
= f (IF )
Ie 100 mA
Radiant Intensity
Ι e (100mA)
Ι F mA
1
80
10
60
10 0
200
R thJC = 160 K/W
160
120
10 -1
40
R thJA = 450 K/W
80
10 -2
20
0
750
10 -3
800
850
900
950 nm 1000
λ
Forward Current, IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
ΙF
10 1
10 2
10 3 mA 10 4
ΙF
10 4
OHR00948
tp
Ι F mA
5
A
10
10 0
Permissible Pulse Handling
Capability IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
OHR01173
10 1
40
0
D=
tp
T
D = 0.005
0.01
0.02
ΙF
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T A, T C
Max. Permissible Forward Current
SFH 480, SFH 482,
IF = f (TA, TC)
OHR00396
240
Ι F mA
200
T
160
R thJC = 160 K/W
0.05
10 3
10 -1
0.1
120
0.2
5
10 -2
R thJA = 450 K/W
80
0.5
40
DC
10 -3
0
1
2
3
4
5
VF
2001-10-01
10 2
10 -5
10 -4
10 -3
7
10 -2
10 -1 s 10 0
tp
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 130
T A, T C
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Maßzeichnung
Package Outlines
SFH 480
Radiant
Sensitive area
5.3 (0.209)
5.0 (0.197)
)
43 )
0.0 .035
(
1.1 .9 (0
0
1.
0.9 1 (0
(0 .043
.03 )
5)
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
7.4 (0.291)
6.6 (0.260)
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
ø4.8 (0.189)
ø4.6 (0.181)
ø0.45 (0.018)
2.54 (0.100)
spacing
Cathode (SFH 480)
Anode (SFH 216, SFH 400)
Chip position
2.7 (0.106)
GEOY6314
SFH 481
5.6 (0.220)
GETY6091
5)
ø5.3 (0.209)
ø5.0 (0.197)
)
(0
.0
2.54 (0.100)
spacing
3)
.03
(0
.04
(0
0.9
12.5 (0.492)
Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)
35
.04
0.9
1.1
(0
Radiant
sensitive area
1.1
14.5 (0.571)
5)
0.9
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
3)
5.5 (0.217)
5.0 (0.197)
ø4.8 (0.189)
ø4.6 (0.181)
ø0.45 (0.018)
.03
(0
.04
12.5 (0.492)
(2.7 (0.106))
(0
1.1
ø4.8 (0.189)
ø4.6 (0.181)
5)
6.4 (0.252)
Chip position
3)
.03
(0
glass
lens
5.0 (0.197)
14.5 (0.571)
SFH 482
.04
(0
0.9
welded
5.3 (0.209)
Anode = SFH 481
Cathode = SFH 401
(package)
1.1
2.54 (0.100)
spacing
ø0.45 (0.018)
3)
(2.7 (0.106)) Chip position
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
GETY6013
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
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8
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
© All Rights Reserved.
Attention please!
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1
A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2
Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
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