T OP I C S 新 闻 发 表 新 商 品 2009年1月22日新闻发表 手机用超小型Xenon Flash IGBT 它以业界最小2.8mm x 2.9mm实现了ICP=150A 安装高度实现了0.9mm! 最适用于带照相功能的手机。它实现了业界最小*安装面积。*: 截至2009年1月22日 TIG058E8 目标市场 · 带相机功能的手机 · 超小型数码相机 2009年5月开始量产 三百万个/月(高峰期) 样片价格@18元 市场要求与TIG058E8的特长 相机Flash有: 相机Flash有: Xenon Flash /数码相机 LED Flash /手机 Xenon管 300V/100A 30000W 光量大 光量大 电路板大 电路板大 LED 5V/1A 5W 光量少 光量少 电路板小 电路板小 FRD IC IGBT IGBT可制御的 IGBT可制御的 Power为 Power为 LED的6000倍 LED的6000倍 数码相机更小型化 TIG058E8 IC 手机也希望像数码相机一样使用Xenon Flash拍摄更美 的照片。 【TIG058E8特长】 业界最小安装面积: 8.12mm2 / 安装高0.9mm / ICP=150A 与现行制品的比较 TIG030TS TIG058E8 现行制品 新制品 8.12mm2 19.2mm2 実装面積 約60% 低減! 高 約10% 低減! 封装 安装面积 TIG030TS TIG058E8 TSSOP8 ECH8 19.2mm2 8.12mm2 1.0mm 0.9mm 4V 4V VCES 400V 400V VGES ±6V ±6V ICP 150A 150A 400V/μs 400V/μs 安装高 驱动电压 dVCE/dt TIG058E8在保持同等性能的同时,实现了 安装面积约60%低减！ 安装高约10%低减！ * 此处记载内容, 包括价格规格等, 都为记者发表会时的值。可能与最新情况有所不同。 http://semicon.cn.sanyo.com/ 三洋半导体公司 20090122－1/2 新闻发表新商品 手机用超小型Xenon Flash IGBT 新商品技术 单位安装面积的电流容量比 3.0 封装技术 2.5 · 通过电极构造最适化,Chip的工作效率提 高了20%。 · Chip搭载效率提高了10%。 · 低阻值导线(降至3分之1以下)。 2.0 1.5 1.0 晶圆技术 0.5 量产技术 确立了超小型150A以上 的大电流测定量产技术, 及构筑了新的生产线。 · 通过Cell构造最适化,性能提 高了20%。 0.0 使有效工作面积提高了20%。 現 行 新 製 品 製 品 · 通过外围部耐压构造的最适化, TIG058E8的工作波形 发光时的IGBT波形 测定电路图 10μs/div [测定条件] VCE (50V/div) VCC=320V, VGE=4V, RG=200Ω, CM=400μF VCC 320V 300V 1MΩ 0.033 μF 150μF Xenon管 IC + TND721 IGBT 200Ω VCE 100kΩ VGE (1V/div) VDD4V 0.1μF IC (50A/div) TRG 10kΩ 绿线表示的电流流过时, Xenon管发光。 ↓ 以业界最小尺寸实现了ICP=150A的发光动作! GND GND VGE Xenon Flash电路解决方案 Specifications RE0208DA · 高耐压 · 反向恢复时间trr短 · 业界最小2-pin封装 VF :VRRM 800V : typ33nsec :SOD-323 キセノン 管 http://semicon.cn.sanyo.com/ VRRM (V) IO (A) IF (A) 800 0.2 0.10 3.2/4.0 IR typ/max VR max (V) (V) (μA) 800 50 trr (nS) 33/55 IGBT Series Package (W×D×H) Type No. VCES ECH8 (2.9×2.8×0.9) TIG058E8 400V 150A min 0.5V max 1.2V TSSOP8 (3.0×6.4×1.0) TIG030TS TIG032TS 400V 400V 150A 180A min 0.5V max 1.2V min 0.4V max 1.0V SOP8 TIG014SS (5.0×6.0×1.8) 400V 150A min 0.5V max 1.2V 三洋半导体公司 ICP VGE(off) VCE=10V,IC=1mA 20090122－2/2 T OP I C S News Release Product Topics 22.January 2009 release Ultra Small Xenon Flash IGBT for Cell Phone Achieved ICP=150A with small 2.8mm x 2.9mm size first in the industry Mount height 0.9mm! The industry’s smallest size* that is optimal for mounting on cell phones with a camera. * : as of January 22 2009 TIG058E8 Target Market · cell phones with camera · ultra small digital cameras Mass production : starts from May 2009 3MPcs/Month(peak time) Sample price : $2.5 Market demand and TIG058E8's features Camera Camera Flash Flash Xenon Flash (Digital Camera) LED Flash (Cell Phone) Xenon Tube 300V/100A 30000W High-light High-light intensity intensity Circuit Circuit PCB PCB is is large large FRD IC IGBT Low-light Low-light intensity intensity Circuit Circuit PCB PCB is is small small IGBT IGBT controls controls 6000 6000 times times power power of of LED LED TIG058E8 For further smaller digital cameras LED 5V/1A 5W IC Like used for digital cameras, xenon flash is desired to be used for cell phones! [TIG058E8] The industry’ industry’s smallest mount area 8.12mm2 / Mount height 0.9mm / ICP=150A Comparison with Current Products New: TIG058E8 Current: TIG030TS 19.2mm2 Mount area: Approx. 60% reduced! 8.12mm2 Height: Approx.10% reduced! PKG TIG030TS TIG058E8 TSSOP8 ECH8 19.2mm2 8.12mm2 1.0mm 0.9mm 4V 4V VCES 400V 400V VGES ±6V ±6V Mount Area Height Drive Voltage ICP dVCE/dt 150A 150A 400V/µs 400V/µs TIG058E8 keeps the same performance while achieving approx. 60% reduction in area & approx. 10% reduction in height! *: Please be forewarned that the above-stated including prices and specifications are all as of the time of the press release, which maybe differ from the latest information. www.semiconductor-sanyo.com/network 20090122 - 1/2 Release Product Topics Ultra Small Xenon Flash IGBT for Cell Phone Current capacitance ratio per m ount area The New Product Tech. 3.0 Packaging tech. 2.5 · electrode structure optimization→ chip operation efficiency 20% UP · chip mounting efficiency 10% UP · low wiring resistance (below 1/3) 2.0 1.5 1.0 0.5 Wafer tech. 0.0 uc t Ne w Pr od du ct pr o nt Cu r re Mass production tech. Large-current(≥150A) measurable MP technology & new manufacturing line. · cell structure optimization→ performance 20% improved · peripheral voltage structure optimization → effective operation area 20% improved TIG058E8 Operation Waveform Emitting IGBT waveform Testing Circuit [condition] 10µs/div VCE (50V/div) VCC=320V, VGE=4V, RG=200Ω, CM=400µF VCC 320V 300V 1M Ω 0.033µF 150µF Xenon tube IC + IGBT 200Ω VDD4V 0.1µF TND721 VGE (1V/div) IC (50A/div) TRG VCE 100kΩ 10kΩ GND GND VGE Green line region: xenon tube is emitting. ↓ CP=150A emitting operation is realized with the industry’s smallest size product! Xenon Flash Circuit Solution Specifications RE0208DA Xenon tube VRRM (V) IO (A) IF (A) typ/max (V) VR (V) max (µA) trr (ns) 800 0.2 0.10 3.2/4.0 800 50 33/55 IGBT Series Package (W×D×H) ECH8 (2.9×2.8×0.9) ICP VGE(off) VCE=10V,IC=1mA Type No. VCES TIG058E8 400V 150A min 0.5V max 1.2V TIG030TS TIG032TS 400V 400V 150A min 0.5V max 1.2V 180A min 0.4V max 1.0V SOP8 TIG014SS (5.0×6.0×1.8) 400V 150A min 0.5V max 1.2V TSSOP8 (3.0×6.4×1.0) www.semiconductor-sanyo.com/network IR VF · VRRM: 800V · trr: typ.33nsec · The industrys smallest 2-pin package: SOD-323 20090122 - 2/2