Schot t kyBar r i erDi ode ■外観図 S30SC6MT OUTLI NE Package：MTO3PT 16 ロット記号 （例） Date code 60V30A 5 ④ 管理番号 （例） Control No. 特 長 煙低 VF 煙低ノイズ 煙高速スイッチング 品名略号 Type No. 極性 Polarity Feat ur e t ：mm Uni S0000 21 T wi n 30SC6MT 20 煙LowVF 煙LowNoi s e ghRecov er ySpeed 煙Hi ① ② ① ②④ ③ ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageTemper at ur e 接合部温度 Oper at i onJ unct i onTemper at ur e せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent 締め付けトルク Mount i ngTor que ●電気的・熱的特性 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 ℃ Tj 1 5 0 ℃ VRM 繰り返しせん頭サージ逆電圧 Repet i t i v ePeakSur geRev er s eVol t age せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent Tc＝2 5 ℃） VRRSM I o I FSM TOR 6 0 V パルス幅0 . 5 ms ，dut y1 / 4 0 Pul s ewi dt h0. 5ms ,dut y1/ 40 6 5 V 5 0 Hz正弦波，抵抗負荷，Tc＝1 2 9 ℃ 50Hzs i newav e,Res i s t ancel oad,T c=129˚ C 3 0 A 3 0 0 A 0 . 8 N・m 5 0 Hz正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C （推奨値：0 . 5N・m） ( Recommendedt or que: 0. 5N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 Tc＝2 5 ℃） 順電圧 For war dVol t age VF I 5A, F＝1 パルス測定，1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 0 . 6 1 TYP 0 . 5 4 逆電流 Rev er s eCur r ent I R VR＝ 6 0V, パルス測定，1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 1 . 2 mA 1素子当りの規格値 Perdi ode TYP 3 8 5 pF MAX 0 . 8 ℃/ W 接合容量 J unct i onCapaci t ance 熱抵抗 Ther malRes i s t ance 533P 06〉） （J 〈2010. Cj θj c f ＝1 MHz , VR＝1 0 V, 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V S30SC6MT ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability Tc＝１５０℃ （MAX） Tc＝１５０℃ （TYP） Tc＝ ２５℃ （MAX） Tc＝ ２５℃ （TYP） １ Pulse measurement Per diode ０． １ ０ ０． ５ １ １． ５ IO ０ tp ２ ０． ２０ ０． ０５ ３ ０． SIN DC １０ms １０ms １cycle ３００ ５ ０． Non-repetitive Tj＝２５℃ ２５０ ２００ ０． １ １５０ １００ １０ ５ ０ ０ ２ Forward Voltage VF〔V〕 D＝０． ８ ２５ １５ ３５０ D＝tp/T T ３０ Tj＝１５０℃ Sine wave IFSM Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 １０ ３５ ４００ Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 ４０ １００ １０ ２０ ３０ ０ １ ５０ ４０ ５０ ２ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ５ 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current Reverse Power Dissipation Junction Capacitance Tc＝１５０℃ （TYP） １００ Tc＝１２５℃ （TYP） １０ Tc＝１００℃ （TYP） Tc＝ ７５℃ （TYP） １ Tc＝ ５０℃ （TYP） ０． １ Tc＝ ２５℃ （TYP） ０． ０１ Pulse measurement Per diode ０． ００１ ０ １０ ２０ ３０ ４０ ５０ ０ ３５ T ３０ Tj＝１５０℃ IO ０ ０ ６０ tp ５０ DC T VR VR＝３０V D＝tp/T D＝０． ８ ４０ ３０ ２０ １０ ０． ５ SIN ０． ３ ０． ２ ０． １ ０． ０５ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０ Case Temperature Tc 〔℃〕 ０． ２ ２０ ０． ５ １５ １０ SIN ０． ８ ５ １０ ２０ ３０ ５０ ４０ ５０ １００ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP Per diode ２０００ １０００ ５００ ２００ １００ ５０ ２０ ６０ ７０ Reverse Voltage VR〔V〕 １０ ０． １ ０． ２ ０． ５ １ ２ ５ １０ ２０ ６０ Reverse Voltage VR〔V〕 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Derating Curve Tc-Io D＝tp/T ０． ３ Reverse Voltage VR〔V〕 ディレーティングカーブ Tc-Io DC D＝０． ０５ ０． １ ２５ ０ ０ ６０ tp ２０ ５０００ VR Junction Capacitance Cj〔pF〕 ４０ Reverse Power Dissipation PR〔W〕 Reverse Current IR〔mA〕 １０００ １０ Number of Cycles 〔cycle〕 １０ θ θjc jc １ ０.１ ０.０１ -４ １０ １０-３ １０-２ １０-１ １００ １０１ Time t〔s〕 ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 533P 06〉） （J 〈2010.