Schot t kyBar r i erDi ode ■外観図 S20SC9MT OUTLI NE Package:MTO3PT 16 ロット記号 (例) Date code 90V20A 5 ④ 管理番号 (例) Control No. 特 長 煙低 VF 煙低ノイズ 煙高速スイッチング 品名略号 Type No. 極性 Polarity Feat ur e t :mm Uni S0000 21 T wi n 20SC9MT 20 煙LowVF 煙LowNoi s e ghRecov er ySpeed 煙Hi ① ② ① ②④ ③ ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs (指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageTemper at ur e 接合部温度 Oper at i onJ unct i onTemper at ur e せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent 締め付けトルク Mount i ngTor que ●電気的・熱的特性 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g -5 5~1 5 0 ℃ Tj 1 5 0 ℃ 9 0 V 1 0 0 V 2 0 A 2 0 0 A 0 . 8 N・m VRM 繰り返しせん頭サージ逆電圧 Repet i t i v ePeakSur geRev er s eVol t age せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent Tc=2 5 ℃) VRRSM I o I FSM TOR パルス幅0 . 5 ms ,dut y1 / 4 0 Pul s ewi dt h0. 5ms ,dut y1/ 40 5 0 Hz正弦波,抵抗負荷,1素子当りの出力電流平均値I o / 2 , Tc=1 3 6 ℃ 50Hzsi newave,Resi st ancel oad,Rat i ngf oreachdi odeI o/ 2,Tc=136˚ C 5 0 Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj =1 5 0 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =150˚ C (推奨値:0 . 5N・m) ( Recommendedt or que: 0. 5N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs (指定のない場合 Tc=2 5 ℃) 順電圧 For war dVol t age VF I 0A, F=1 パルス測定,1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 0 . 7 5 TYP 0 . 7 0 逆電流 Rev er s eCur r ent I R VR= 9 0V, パルス測定,1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 1 mA 1素子当りの規格値 Perdi ode TYP 2 4 5 pF MAX 0 . 8 ℃/ W 接合容量 J unct i onCapaci t ance 熱抵抗 Ther malRes i s t ance 533P 06〉) (J 〈2010. Cj θj c f =1 MHz , VR=1 0 V, 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V S20SC9MT ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability 10 Tc=150℃ (MAX) Tc=150℃ (TYP) Tc= 25℃ (MAX) Tc= 25℃ (TYP) 5 2 1 0. 5 Pulse measurement Per diode 0. 2 0. 1 0 0. 5 1 1. 5 2 20 D=tp/T 15 0. 2 05 0. D=0. 8 3 0. SIN DC 5 Sine wave 250 0. 5 10ms 10ms 1cycle Non-repetitive Tj=150℃ 200 150 0. 1 100 5 0 0 2. 5 Forward Voltage VF〔V〕 tp T Tj=150℃ 10 300 IO IFSM Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 20 0 Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 25 50 10 15 20 25 30 50 0 1 35 2 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 5 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current Reverse Power Dissipation Junction Capacitance Tc=150℃ (TYP) 100 Tc=125℃ (TYP) 10 Tc=100℃ (TYP) Tc= 75℃ (TYP) 1 Tc= 50℃ (TYP) 0. 1 Tc= 25℃ (TYP) 0. 01 Pulse measurement Per diode 0. 001 0 20 40 60 80 0 35 T 30 Tj=150℃ 40 35 IO 0 0 tp DC T VR VR=45V D=tp/T 30 D=0. 8 25 0. 5 SIN 20 0. 3 2 15 0. 10 0. 1 0. 05 5 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Case Temperature Tc 〔℃〕 0. 2 0. 5 15 10 SIN 0. 8 5 20 40 50 60 80 100 f=1MHz Tc=25℃ TYP Per diode 1000 0. 3 100 120 Reverse Voltage VR〔V〕 100 10 0. 1 0. 2 0. 5 1 2 5 10 20 50 90 Reverse Voltage VR〔V〕 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Derating Curve Tc-Io D=tp/T 20 Reverse Voltage VR〔V〕 ディレーティングカーブ Tc-Io DC D=0. 05 0. 1 25 0 0 100 tp 20 10000 VR Junction Capacitance Cj〔pF〕 40 Reverse Power Dissipation PR〔W〕 Reverse Current IR〔mA〕 1000 10 Number of Cycles 〔cycle〕 10 θjc θjc 1 0.1 0.0 1 -4 10 10-3 10-2 10-1 100 101 Time t〔s〕 *Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 *50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 533P 06〉) (J 〈2010.