Schot t kyBar r i erDi ode T wi n ■外観図 SG8SC4M OUTLI NE Package：FTO220G 40V8A （例） ロット記号 Date code t ：mm Uni 4.5 10 煙低 VF 煙低ノイズ 煙高速スイッチング 煙フルモールド 品名略号 Type No. 極性 Polarity S0000 15 管理番号 （例） Control No. 特 長 G8SC4M 13.5 Feat ur e 煙LowVF s e 煙LowNoi 煙Hi ghRecov er ySpeed 煙Ful lMol ded ①②③ ① ② ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageTemper at ur e 接合部温度 Oper at i onJ unct i onTemper at ur e せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent 絶縁耐圧 Di el ect r i cSt r engt h 締め付けトルク Mount i ngTor que ●電気的・熱的特性 順電圧 For war dVol t age 逆電流 Rev er s eCur r ent 接合容量 J unct i onCapaci t ance 熱抵抗 Ther malRes i s t ance 533P 06〉） （J 〈2010. 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 7 5 ℃ Tj 1 7 5 ℃ 4 0 V 4 5 V VRM 繰り返しせん頭サージ逆電圧 Repet i t i v ePeakSur geRev er s eVol t age せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent Tc＝2 5 ℃） VRRSM I o パルス幅0 . 5 ms , dut y1 / 4 0 Pul s ewi dt h0. 5ms ,dut y1/ 40 5 0 Hz正弦波，抵抗負荷，1素子当りの出力電流平均値I o / 2 , Tc＝1 5 5 ℃ 50Hzsi newave,Resi st ancel oad,Rat i ngf oreachdi odeI o/ 2,Tc=155˚ C 8 A I FSM 5 0 Hz正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C 8 0 A Vdi s 一括端子・ケース裏面間，AC1分間印加 Ter mi nal st ocas e,AC1mi nut e 1 . 5 kV 0 . 5 N・m TOR （推奨値：0 . 3N・m） ( Recommendedt or que: 0. 3N ・m) El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 VF I R Cj θj c Tc＝2 5 ℃） I A, F＝ 4 パルス測定，1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 0 . 5 6 TYP 0 . 4 9 VR＝ 4 0V, パルス測定，1素子当りの規格値 Pul s emeas ur ement ,Perdi ode MAX 0 . 3 mA 1素子当りの規格値 Perdi ode TYP 1 0 0 pF MAX 3 . 3 ℃/ W f ＝1 MHz , VR＝1 0 V, 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V SG8SC4M ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability Tc＝１７５℃ （MAX） Tc＝１７５℃ （TYP） Tc＝ ２５℃ （MAX） Tc＝ ２５℃ （TYP） １ Pulse measurement Per diode ０． １ ０ ０． ５ １ １． ５ tp DC D＝０． ８ D＝tp/T T ６ Tj＝１７５℃ ５ ０． ２ ０． ３ ３ ２ １ ５ Sine wave １００ ０． ５ SIN ０． １ ０． ０５ ４ ０ ０ ２ Forward Voltage VF〔V〕 １２０ IO IFSM Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 １０ ７ ０ Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 ８ ４０ １０ Non-repetitive Tj＝２５℃ ８０ ６０ ４０ ２０ ０ １ １５ １０ms １０ms １cycle ２ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ５ 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current Reverse Power Dissipation Junction Capacitance Tc＝１７５℃ （TYP） Tc＝１５０℃ （TYP） １０ Tc＝１２５℃ （TYP） Tc＝１００℃ （TYP） １ Tc＝ ７５℃ （TYP） ０． １ Tc＝ ５０℃ （TYP） ０． ０１ Tc＝ ２５℃ （TYP） ０． ００１ ０． ０００１ ０ Pulse measurement Per diode ５ １０ １５ ２０ ２５ ３０ ３５ ４０ Reverse Voltage VR〔V〕 ディレーティングカーブ Tc-Io Derating Curve Tc-Io Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Reverse Power Dissipation PR〔W〕 Reverse Current IR〔mA〕 １００ １５ １２ １０ T Tj＝１７５℃ DC D＝０． ０５ ０． １ D＝tp/T ０． ２ ０． ３ ８ ０． ５ ６ ４ SIN ０． ８ ２ ０ ０ １０ ２０ ５０ １００００ VR tp ２０ ３０ ４０ Reverse Voltage VR〔V〕 １００ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP Per diode １００ １０ ０． １ ０． ２ ０． ５ １ ２ ５ １０ ２０ ４０ Reverse Voltage VR〔V〕 IO ０ ０ tp DC ０ Junction Capacitance Cj〔pF〕 １４ １０００ １０ Number of Cycles 〔cycle〕 T VR VR＝２０V D＝tp/T D＝０． ８ １０ ０． ５ SIN ０． ３ ０． ２ ５ ０． １ ０． ０５ ０ ０ ４０ ８０ １２０ １６０ Case Temperature Tc 〔℃〕 ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 533P 06〉） （J 〈2010.