半導体圧力センサの使い方

フジクラ半導体圧力センサ
テクニカルノート
半導体圧力センサの使い方
1.定電流駆動回路
弊社の圧力センサには定電流駆動をおすすめ致します。図 1 は基本的な定電流駆動回路です。定電圧ダ
イオードなどの定電圧素子でつくられた 基準電圧(Vref)は、OP アンプ(A1)の非反転端子に印加されます。こ
こで定電圧素子の代 わりに分割抵抗により基準電圧をつくる安価な方法もありますが、その場合電源電圧
(Vcc)の変動が定電流特性に影響しますので高精度を要求される場合にはおすすめでき ません。OP アンプ
の反転端子電圧は基準電圧と等しいと考えられますので、定電流(I) とそのときの OP アンプの出力電圧(VA)
は
I=
Vref
R2
….. [1]
VA1 = Vref + I × Rb = I × ( R 2 + Rb)
….. [2]
ここで Rb はブリッジ抵抗
電源電圧(Vcc)は VA1 よりも十分高いことが要求されます。センサチップが圧力 による歪を受けないとき、
各出力端子電圧(V1,V2)は次式で表されます。
V 1 = V 2 = Vref + I ×
Rb
Rb
= I × (R2 +
)
2
2
….. [3]
図 2 は FPM タイプを使用した基本的な回路です。LM385-1.2 の基準電圧は, 1.235V で温度ドリフトは
150ppm/℃です。したがって R2 両端の電圧も 1.235V となり、FPM の駆動電流を流す為に R2 は
R2 =
1.235V
= 820Ω
1.5mA
FPM のブリッジ抵抗は 4000 から 6000Ωですので VA1 の最大値は
VA1 max = 1.5 × (820 + 6000) = 10.23
そこで電源電圧(Vcc)は 12V とします。LM385-1.2 の動作電流を 1mA 程度にするため R1 は
R1 =
12V − 1.235V
= 10kΩ
1mA
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ゼロバランストリマーが接続出来るように FPM はブリッジ回路の一端がオープンになっています。ゼロ調整を
この点で行わずに後段の増幅回路で行うときは、図 1 のように接続して使用することも可能です。
Vcc
12VDC
R1
10k
+
Vref
ZD
1.235V
I
A1
-
LM385
-1.2
VA1
I=1.5mA
+
A1
-
Zero balance trimmer
V1
V1
SENSOR
SENSOR
1.235V
Vref
V2
V2
R2
820
Fig.1 Constant current source
Fig. 2 Basic circuit for type FPM
2.定電圧駆動回路
先にも述べた通り、弊社の圧力センサには定電流駆動をおすすめしますが、一方定電圧駆動をお望みの場
合もあるかもしれません。一例として基本的な定電圧駆動回路を図 3 に示します。この場合ご注意して頂きた
いのは後述する温度特性が、定電流駆動に比べて悪くなるということです。詳しくは4-2をご参照ください。
12VDC
VR
5k
*** Example for FPM sensor ***
I
SENSOR
V'
Vcc:
Bridge resistance:
I:
R1:
V':
VR:
V1
V2
12VDC
4,000 ~ 6,000 ohm
1.5mA
100 ohm
150mV
1,900 ~ 2,500 ohm
or
Vcc:
VR:
Bridge resistance:
R1:
I:
7.5VDC
0 ohm
4,000 ~ 6,000 ohm
0 ohm
1.9 ~ 1.3mA
R1
Fig. 3 Basic circuit of constant voltage source
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3.増幅回路
センサの出力電圧は微少でしかも差動出力型式ですので、差動増幅器を用いて信号の増幅とシングル出
力への変換を行います。簡単な差動増幅回路を図 4 に示しま す。ここで出力電圧(Vout)は次式で表されま
す。
Vout =
R5
× (V 1 − V 2) ….. [4]
R3
R5
SENSOR
V1
R3
+
Vout
A2
-
V2
R4
R3 = R4, R5 = R6
R6
Fig. 4 Simple differential amplifier
図 4 で示された差動増幅回路は入力インピーダンスが十分に高いとはいえないためにセンサ特性に多少なり
とも影響を与えてしまいます。そこで精度を求める場合 は図 6 に示すような高入力インピーダンスのインスツ
ルメンテーションアンプを使用します。この図で各出力電圧 VA2,VA3,Vout は次のように表されます。
VA2 = V 1 +
R5
× (V 1 − V 2) …..[5]
VR1
VA3 = V 2 −
R5
× (V 1 − V 2)
VR1
Vout =
…..[6]
R7
R7
2 × R3
× (VA2 − VA3) =
× (1 +
) × (V 1 − V 2)
R5
R5
VR1
…..[7]
もしも+方向へのレベルシフトが必要なときは、A4の非反転端子にシフト電圧(Vshift)を加えて下さい。そのと
きの出力電圧は
Vout =
R7
2 × R3
× (1 +
) × (V 1 − V 2) + Vshift
R5
VR1
…..[8]
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SENSOR
V1
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Vcc
+
R5
A2
-
R7
Vshift
R3
+
A4
R4
V2
A3
+
R6
R8
R3 = R4, R5 = R6, R7 = R8
Fig. 5 Instrumentation amplifier
FPM-07PG(R)を用いたときの回路定数は次のようになります。
◆FPM-07PG(R)の電気特性
圧力レンジ-0.492~+0.492Kg/cm2(ゲージ圧)
センサ出力-100~+100mV(代表値 I=1.5mA)
◆増幅器の仕様
電源電圧 12VDC
出力電圧 1~9V
利得=(1~9V)/(-100~100mV)=8V/200mV=40倍
R3=R4=R5=R6=R7=R8=10K
VR1=2k (出力電圧が 1~9Vになるように調整)
Vref=1.235V (図 2 参照)
VR2=10k (Vsift が 5V になるように調整)
・全ての抵抗は 1/4W で 1%精度のものをおすすめします。
・温度補償回路については、次以降を参照下さい。
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Vout
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出力特性を示します。
Output characteristic
V1-V2 (mV)
Vout (V)
+100
9
7
+/-0
5
3
-100
1
-0.492
+/-0
+0.492
Gauge pressure (kg/cm2)
4.温度補償
ピエゾ抵抗式圧力センサは、それ自身温度特性を持っていますので高精度の計測が必要な場合は温度補
償を行って下さい。温度特性には、オフセット電圧温度特性(Temperature Characteristic of Offset 略して
TSO)、感度温度特性(Temperature Coefficient of Span output 略して TCS)があります。以下それぞれの温度
特性の補償方法について述べます。
4-1 オフセット電圧温度特性(TSO)
TSO はセンサが圧力を受けない状態、すなわちチップが無歪の状態におけるブリッジ不平衡電圧の温度特
性で、次の事柄がその原因となっています。
1. (a)センサを構成する材料間の熱膨張係数の違い。例えば、シリコンチップと台座ガラス、シリコンチップ
とパッケージなど。
2. (b)シリコンチップ表面におけるシリコン、シリコン酸化膜、アルミ配線の熱膨張係数の違い。
3. (c)ブリッジを構成する4つのピエゾ抵抗素子の温度係数のばらつき。
4. (d)ピエゾ抵抗素子の抵抗値のばらつき。
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TSO の補償のため、ピエゾ抵抗素子に金属皮膜抵抗器のような温度係数の小さい抵抗器を並列に接続しま
す。図 6 の接続で抵抗値を決定するための手順を以下に述べます。
CC
SENSOR
Rp1
Rp2
Vout
Rp1, Rp2: Low temperature drift resistor
(Metal film type or similar type is
recommended)
Fig. 6 Connection for TSO compensation
・ (p,t)は、圧力が p で、温度が t のときのセンサ出力電圧を表します。
・ p0 は、圧力がない状態を表します。例としてV(P0)はオフセット電圧を表します。
・ tc は、動作温度範囲の下限を表します。同様に th は、上限を表します。
(1) 次の 10 点におけるセンサ出力電圧を測定します。
Output
Rp1
Rp2
V1=V(p0,tc)
open
open
V2=V(p0,tc)
500k
open
V3=V(p0,tc)
1M
open
V4=V(p0,tc)
open
500k
V5=V(p0,tc)
open
1M
V6=V(p0,th)
open
open
V7=V(p0,th)
500k
open
V8=V(p0,th)
1M
open
V9=V(p0,th)
open
500k
V10=V(p0,th)
open
1M
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(2) それぞれの補償抵抗の条件における温度ドリフトを計算します。
TCV1=V6-V1
TCV2=V7-V2
TCV3=V8-V3
TCV4=V9-V4
TCV5=V10-V5
(3) TCV の点をプロットし、図 7 のようなグラフを作成します。
TCV+
Rp1=500k
Rp2=open
1M
open
open
open
open
1M
TCV5
TCV4
open
500k
TCV3
TCV2
TCV1
cross point
Fig. 7 Rp1, Rp2 vs. TCV
(4) 求める抵抗値はX軸との交点にあります。図 7 では、Rp1 はオープン、Rp2 は約 750KΩと推定されます。
4-2 感度温度特性(TCS)
TSC はセンサの動作温度と出力スパン電圧との関係です。これは次に挙げる事柄に影響されます。
(a)ピエゾ抵抗素子の表面不純物濃度
(b)ピエゾ抵抗素子の方位
(c)負荷抵抗の値
ここでは、(a)と(c)の詳細について述べます。
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4-2-1 ピエゾ抵抗素子の表面不純物濃度の影響について
TCS はピエゾ抵抗素子の表面不純物濃度に大きく依存します。定電流駆動における TCS と表面不純物濃度
の関係は図 8 のようになります。図からわかるように 表面不純物濃度を制御することで TCS を最適化するこ
とが可能です。
-3
TSC x 10
(/degC)
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
18
19
10
10
20
10
21
10
atom/
cm3
Fig. 8 Relation between temperature coefficient of the
pressure sensitivity and impurity surface concentration
図 9 は表 面不純物濃度が 2 × 10 atoms / cm のときの温度ドリフトを示しています。定電流駆動における温
20
3
度ドリフトは、定電圧駆動の場合よりも小さいことがわかり ます。よりいっそうの温度補償を要求される場合
は次ページに述べる外部負荷抵抗を用いる方法をおすすめします。定電圧駆動における温度ドリフトは、図 9
に示されるように直線的でしかも定電流駆動に比べて大きなものです。そのため、温度補償にはマイクロプロ
セッサなどの能動素子が用いられます。
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Constant voltage
(CV)
%
Constant current
(CC)
%
0.4
4
CV
CC
2
0.2
0
0
-2
-0.2
-4
-0.4
-10
0
10
20
30
40
50
Fig. 9 Temperature drift of pressure sensitivity
for voltage and current drive
4-2-2 外部負荷抵抗の影響について
負荷抵抗を接続した回路を図 10(a)に示します。増幅器のような外部回路 がある場合、その入力インピーダ
ンスが負荷抵抗としてセンサの出力端子に接続されていると考えられます。
CC
SENSOR
Rb
RL
SV'
RL
SV'
SV
Fig. 10(a) Circuit with load resistor RL
Fig. 10(b) Equivalent circuit
TCS は図 11 が示すように負荷抵抗によって変化し、そして TCS を補償する最適な負荷抵抗を求めることが出
来ます。ここで注意していただきたいのは、負荷抵抗のない状態での TCS が温度に対して負の特性であると
き、負荷抵抗による温度補償が出来ないことです。
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TCS (%FS)
0.6
RL=open
0.4
RL=50k
0.2
0
RL=20k
-0.2
-0.4
RL=10k
-0.6
-10
0
10
20
30
40
50
Fig. 11 Example of the relation between RL and TCS
図 10(b)は、(a)の等価回路です。これをもとに負荷抵抗の値は次式で求められます。
RL =
SVc × Rbh − SVh × Rbc
SVh − SVc
…..[9]
ここで Svc:動作温度範囲下限の時の出力スパン電圧
Svh:〃上限〃
Rbc:動作温度範囲下限の時のブリッジ抵抗
Rbh:〃上限〃
負荷抵抗を接続して温度補償を行うとき、出力スパン電圧はセンサ単体のときに比べて減少しますので、ご
注意下さい。
SV ' =
RL
× SV
Rb + RL
…..[10]
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- 使用例 1 -
[ マノメータ(アナログ出力) ]
12VDC
10k
Vref
1.235V
+
I=1.5mA
A1
LM385
-1.2
2
-
3
V1
12VDC
+
6
SENSOR
FPM-**PG(R)
10k
A2
10k
Vshift
10k
-
200
10k
1
+
2k
5
A4
-
820
10k
V2
A3
10k
10k
+
[ 圧力スイッチ出力例 ]
NPN open collector
Output
input 1 - 5V
+
A5
10k
-
12VDC
10k
[ 電流出力例 ]
12VDC
input 1 ~ 5V
+
A5
-
250
10k
Iout = input/250 = 4 ~ 20mA
RLmax = 200
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Output
1 ~ 5V
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- 使用例 2 -
[ 気圧計(アナログ出力) ]
12VDC
10k
Vref
LM385
-1.2
1.235V
I=1.5mA
+
A1
5
-
6
1
V1
SENSOR
FPM-15PA(R)
12VDC
+
10k
A2
4
-
10k
Vshift
10k
10k
+
A4
2k
2
-
820
10k
-
10k
A3
V2
+
Vout (V)
8
7
6
5
4
-680
0
+680
1,033g/cm2.abs
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10k
Output
4 ~ 8V
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- 使用例 3 -
[ 真空計 ]
6
5
4
1
2
3
Pressure Sensor
XFPM-100KPGV
Q3
Q2
Q1
PIC16C711-04/P
RA2
4.7k
5V
RA1
RA3
RA0
RA4
OSC1
MCLR
OSC2
Vss
Vdd
RB0
RB7
RB1
RB6
RB2
RB5
RB3
RB4
15pF
680pF
0.01uF
XT
4MHz
15pF
5V
0.1uF
5V
4.7uF
300
a b c d
e f
g
-99~0kPa.gauge
LED1~LED3
7 segment display
Common cathode
Q1~Q3
Small signal
NPN transistor
4.7k
RA1
4.7k
RA2
4.7k
RA3
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- 使用例 4 -
[ 気圧計(デジタル表示) ]
5V
PIC16F84-10/P
5V
22pF
RA2
0.1uF
RA1
RA3
RA0
RA4
OSC1
MCLR
OSC2
4.7k
XT
4MHz
MAX-187
4.7uF
Vss
Vdd
RB0
RB7
5V
22pF
Vdd
SCLK
Vin
CS
RB7
RB1
RB6
SHDN
Dout
RB2
RB5
REF
GND
RB3
RB4
CS
0.1uF
4.7uF
4.7uF
30
0
5V
a
680pF
Pressure Sensor
XFPM-115KPA
150 ~ 1150hPa
:
0.2 ~ 4.7V
b
c
d
e
f
g
0.01uF
6
5
4
LED1~LED4
7 segment Display
Common cathode
1
2
3
hPa
Q1~Q3
Small signal
NPN transistor
4.7k
RA0
4.7k
RA1
4.7k
RA2
4.7k
RA3
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