Сегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM

FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin--yokohama Bldg. 10-23, Shin--yokohama 2-Chome,
Kohoku--ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
http://jp.fujitsu.com/fsl/en/
Для получения дополнительной информации обращайтесь:
North and South America
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC.
1250 E. Arques Avenue, M/S 333
Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A.
Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999
http://us.fujitsu.com/micro/
Asia Pacific
FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.
151 Lorong Chuan,
#05-08 New Tech Park 556741 Singapore
Tel: +65-6281-0770 Fax: +65-6281-0220
http://sg.fujitsu.com/semiconductor/
Europe
FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH
Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany
Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122
http://emea.fujitsu.com/semiconductor/
FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.
30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District,
Shanghai 201204, China
Tel: +86-21-6146-3688 Fax: +86-21-6146-3660
http://cn.fujitsu.com/fss/
Korea
FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.
902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fsk/
FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.
2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,
Shatin, N.T., Hong Kong
Tel: +852-2736-3232 Fax: +852-2314-4207
http://cn.fujitsu.com/fsp/
FRAM
Сегнетоэлектрическое ОЗУ
Спецификации могут изменяться без предварительного уведомления. Для получения дополнительной информации обращайтесь в соответствующие
отделения Компании.
Все права сохранены.
Компания FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, ее дочерние и аффилированные компании (совместно именуемые FUJITSU SEMICONDUCTOR) оставляет
за собой право без уведомления вносить изменения в информацию, содержащуюся в этом документе. Просим связаться с торговым представителем
FUJITSU SEMICONDUCTOR перед тем как заказывать приборы производства FUJITSU SEMICONDUCTOR.
Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе описание функций и примеры цепей, приведены исключительно для сведения в отношении примеров
функционирования и применения приборов производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. FUJITSU SEMICONDUCTOR не принимает на себя никаких гарантий, ни
явных, ни подразумеваемых, в отношении этой информации, включая, но не ограничиваясь гарантии качества, точности, работы, нормального функционирования
прибора, а также ненарушения прав третьих лиц. В случае разработки на основе указанной информации оборудования или продукции, в которой
используется прибор FUJITSU SEMICONDUCTOR, пользователь несет полную ответственность в связи с использованием указанной информации. FUJITSU
SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший в результате или в связи с указанной информацией или ее использованием.
Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе общие сведения о работе и примеры электрических схем, описывает обычную работу и методы
использования полупроводниковых приборов, и не гарантирует работы в оборудовании, используемом на практике. Лица, использующие указанную
информацию при проектировании аппаратуры, несут самостоятельную ответственность за использование указанной информации. FUJITSU
SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственность за любой ущерб, причиненный вследствие использования указанной информации.
Настоящий документ не может рассматриваться как предоставляющий право пользования или реализации в отношении принадлежащих FUJITSU
SEMICONDUCTOR или третьим лицам патентных прав, авторских прав, других прав на результаты интеллектуальной деятельности и иных прав в отношении
продукции, указанной в настоящем документе, а также технической информации, включающей в себя общие сведения о работе и изображения
электрических схем. Кроме того, FUJITSU SEMICONDUCTOR не предоставляет гарантий возможности пользования правами на результаты
интеллектуальной деятельности и другими правами, принадлежащими третьим лицам. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет ответственности за нарушение
прав на результаты интеллектуальной деятельности и других прав третьих лиц, вследствие использования настоящего документа.
Продукция, указанная в настоящем документе разработана и изготовлена для обычного промышленного использования, использования в обычном
делопроизводстве, для личного и семейного использования и другого обычного использования. Указанная продукция не предназначена для использования в
целях, требующих крайне высокую степень безопасности, связанных с серьезным непосредственным риском для жизни и здоровья людей в случае
необеспечения указанной степени безопасности (например, управление ядерной реакцией на объектах атомной энергетики, управления полетами
летательных аппаратов, управления воздушным движением, управления системами крупнотоннажных грузовых перевозок, медицинское оборудование для
поддержания жизнедеятельности, управление пуском ракет в системах военного назначения и т. д. ), а также в целях, требующих крайне высокую степень
надежности (например, подводные ретрансляторы, космические спутники и т. д.). Просим обращаться в торговые представительства FUJITSU
SEMICONDUCTOR в случае, если рассматривается возможность использования нашей продукции в указанных выше целях. FUJITSU SEMICONDUCTOR не
несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший при использования нашей продукции без предварительной консультации с нами.
В полупроводниковых приборах имеется некоторая степень вероятности поломки или сбоя в работе. При использовании продукции FUJITSU
SEMICONDUCTOR, в том числе продукции, указанной в настоящем документе, пользователь несет самостоятельную ответственность за обеспечение
безопасности, в том числе путем использования резервных систем, пожаробезопасности, защиты от перепадов напряжения, защиты от ошибок, с тем, чтобы
даже в случае возникновения поломки или сбоя в работе полупроводниковой аппаратуры производства FUJITSU SEMICONDUCTOR не причинялось вреда
жизни и здоровью, не возникало техногенных инцидентов, инцидентов, представляющих общественную угрозу.
Продукция, указанная в настоящем документе, а также техническая информация, содержащаяся в настоящем документе, подпадают под действие Закона
Японии о валютном регулировании и контроле над внешней торговлей, и могут подпадать под действие законодательства о регулировании экспорта и
импорта США и других стран. Вы несете ответственность за соблюдение законодательства об экспорте и реэкспорте продукции и технической информации,
указанной в настоящем документе.
Все фирменные наименования, названия товарных брендов и зарегистрированные товарные знаки принадлежат соответствующим правообладателям.
©2012-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in Japan
AD05-00033-6R August 2013
Отредактировано: Отделом корпоративного планирования
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Мы предлагаем самую надежную память
на основе передовой технологии с
подтвержденным качеством
Энергонезависимое запоминающее устройство
от компании Fujitsu - FRAM
Что такое FRAM?
Non-Volatile
Great
Read/Write
Cycles
Fast
Write
FRAM
High
Security
Low Power
Consumption
FRAM (“Сегнетоэлектрическое ОЗУ”) является энергонезависимым запоминающим устройством, способным
хранить данные даже при отключенном питании, а также служить в роли оперативного запоминающего
устройства (RAM). Производительность FRAM превосходит традиционные энерго-независимые запоминающие
устройства, такие как ЭСППЗУ (Электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее
устройство) и флэш-память, по характеристикам высокой скорости записи, ресурсам цикла чтения/записи и
низким энергопотреблением.
Компания Fujitsu Semiconductor осуществляет весь цикл изготовления, начиная с исследования и разработки
и заканчивая массовым производством FRAM-микросхем в Японии. Компания Fujitsu способна обеспечить
неизменное высокое качество продуктов FRAM и их беспрерывную поставку. Начиная с 1999 года, компания
Fujitsu поставляет продукты FRAM для производства и обладает огромным опытом в этой части. Продукты FRAM
продолжают предлагать многим заказчикам, требующим высокую надежность.
Для более подробной информации см.:
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите:
FRAM
Искать
Свойства FRAM
- Энергонезависимость
- Произвольный доступ
- Высокая скорость записи
- Высокая устойчивость
- Низкое энергопотребление
Сравнение между FRAM и другими устройствами памяти
FRAM
Тип памяти
EEPROM
FLASH
SRAM
Энергонезависимая Энергонезависимая Энергонезависимая Энергозависимая
Способ перезаписи данных
Перезапись
Время цикла записи
150ns
13
Стирание + Запись Стирание + Запись
5ms
6
10µs
5
Перезапись
55ns
Циклы чтения/записи
10
Контур подкачки заряда
Не требуется
Требуется
Требуется
Не требуется
Батарея для резервного
копирования данных
Не требуется
Не требуется
Не требуется
Требуется
10
10
Не ограничено
Семейство продуктов FRAM
FRAM
Имеются два семейства FRAM. Одно из них "Автономная память", которая
предоставляется в корпусах типа SOP и SON, а второе "чипы с FRAM", которые
предоставляют собой чипы с FRAM-макро для использования в приложениях, такие
как чипы для RFID и аутентификационные чипы. Компания Fujitsu также предлагает
заказные чипы оптимизированные для приложении заказчика.
Автономное ЗУ
Автономное ЗУ
Последовательное
ЗУ
Параллельное ЗУ
Чипы для RFID
Чипы с FRAM
Аутентификационные
чипы
Новые продукты
Заказные чипы
- Дающая возможность энерго-эффективности и миниатюризации в современных оборудовании
Компания Fujitsu Semiconductor разработала два новых продукта FRAM, MB85RS1MT и MB85RS2MT, которые характеризуют
память серийного интерфейса 1Мбит и 2Мбит. Образцы обеих продуктов уже доступны.
Два этих новых продуктов FRAM гарантируют 10 триллионов циклов чтения/записи, примерно десять раз больше чем
существующие устройства FRAM, делающая их оптимальным для использования в измерительных оборудованиях,
индустриальных и медицинских оборудованиях.
По сравнению с идентичной плотностью EEPROM, два продукта во время записи расходуют электроэнергию на 92% меньше. А
также, ввиду того что новые продукты FRAM могут совмещать всю технологию требующиеся
Сравнение энергопотребления
для компонентов системной памяти – которые обычно состоят из EEPROM, SRAM и батарейка
для сохранения данных – в единый чип, это позволяет значительно сократить расходы на Энергопот- - Условия :
ребление
2Mbit, Серийная память,
стоимость компонентов, монтажное пространство и энергопотребление. Это, в свою очередь, (мЖ)
SPI I/F, 2Кбайт записи,
также благоприятно воздействует на разработку более маленьких и энергоэффективных
Действие 5МГц, VDD=3.0В, 1сек
оборудовании, легких в эксплуатации, так как не требуется резервная батарейка.
6.0
Сравнение монтажного пространства
EEPROM + SRAM 2Мбит + Резервная Батарея
18.41мм
SRAM
44контактный
TSOP(II)
батарея
25.26мм
4.0
FRAM 2Мбит (SOP, 8-контактный)
EEPROM
(SOPб
8-контактный)
Экономит 90%+
площадь монтажа
2.0
5.24мм
Минимальная требующаяся площадь
7.80мм
Стандартный
EEPROM
Максимум 92%
снижении
энергопотребления
5.80мЖ
Fujitsu
FRAM
0.46mJ
0
*: Рассчеты производились с использованием
максимальных значений по тех. параметрам.
Примеры применения FRAM в приложениях
FRAM обеспечивает быструю запись до 10-триллион циклов чтения/записи, и является подходящей памятью для
измерительного оборудования для записи данных измерений в режиме реального времени. FRAM способно защитить
данные при записи даже при внезапном отключении питания в силу своего быстродействия. Благодаря этому
свойству, продукты FRAM применяются в различных приложениях, требующих высокую надежность, таких как счетчики
электроэнергии, системы измерения в промышленности, банкоматы и т.д.
Офисная автоматика
Твердотельные диски
Счетчик, хранение данных настроек
Ведение журналов, кэш-память
Развлечения
Банкоматы
Возобновление работы и хранение данных настроек
Архив транзакций, ведение журналов
Акустические системы,
аудио-видео оборудование
Коммуникационное оборудование
Возобновление работы и хранение данных настроек
Возобновление связи и ведение журналов
Измерительные и анализирующие
устройства
Промышленная автоматика
Измерение данных и хранение проверенных данных
Хранение данных настроек, ведение журналов
Медицина, фармацевтика
Управление трассируемости при
распределении
Трассировка записи стерилизации и записи экспертизы
3
Продукты FRAM с серийным интерфейсом совместимы с EEPROM и серийным устройством памяти Flash, а также доступен
продукт 2Мбит.
По сравнению с другими обычными энергонезависимыми ЗУ, FRAM имеет более высокую скорость записи, большее
количество циклов чтения/записи и меньшее энергопотребление.
Интерфейс I2C
Номер детали
Новые продукты FRAM 1Мбит и 2 Мбит
MB85RS1MT / MB85RS2MT
Последовательное ЗУ
Запись среды транспортировки, логистики и складирования
MB85RC256V
MB85RC128A
MB85RC64A
MB85RC64V
MB85RC16
MB85RC16V
MB85RC04V
Объем памяти
256 Кбит
128 Кбит
64 Кбит
64 Кбит
16 Кбит
16 Кбит
4 Кбит
Напряжение
источника питания
2.7 от и до 5.5V
2.7 от и до 3.6V
2.7 от и до 3.6V
3.0 от и до 5.5V
2.7 от и до 3.6V
3.0 от и до 5.5V
3.0 от и до 5.5V
MB85RS2MT
MB85RS1MT
MB85RS256B
MB85RS128B
MB85RS64
MB85RS64V
MB85RS16
Рабочая
температура
1 МГц
1 МГц
1 МГц
1 МГц
1 МГц
1 МГц
1 МГц
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
Циклы чтения /
записи
12
10 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
Гарантия Сохранение
данных (*1)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
Корпус
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8/SON-8
SOP-8
SOP-8
*1: Когда рабочая температура не превышает +85°C, период сохранения данных может быть увеличен. См. Спецификации.
Интерфейс SPI
Номер детали
Рабочая
частота (Макс)
Объем памяти
2 Мбит
1 Мбит
256 Кбит
128 Кбит
64 Кбит
64 Кбит
16 Кбит
Напряжение
источника питания
Параллельное ЗУ
1.8 от и до 3.6V
1.8 от и до 3.6V
2.7 от и до 3.6V
2.7 от и до 3.6V
2.7 от и до 3.6V
3.0 от и до 5.5V
2.7 от и до 3.6V
Рабочая
частота (Макс)
Рабочая
температура
25 МГц (*2)
30 МГц (*2)
33 МГц
33 МГц
20 МГц
20 МГц
20 МГц
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
Циклы чтения /
записи
13
10 (10 триллион) раз
1013 (10 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
1012 (1 триллион) раз
Гарантия Сохранение
данных (*1)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
10 лет (+85°C)
Корпус
SOP-8/DIP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8
SOP-8/SON-8
*1: Когда рабочая температура не превышает +85°C, период сохранения данных может быть увеличен. См. Спецификации.
*2: Оперативность максимум в 40МГц доступна в режиме быстрого чтения.
Продукты FRAM с параллельным интерфейсом, который совместим с интерфесом SRAM, могут заменяться резервным
источником питания SRAM (BBSRAM) и псевдо-SRAM (PSRAM).
Номер детали
MB85R4001A
MB85R4002A
MB85R1001A
MB85R1002A
MB85R256F
Объем памяти
4 Мбит (512K×8)
4 Мбит (256K×16)
1 Мбит (128K×8)
1 Мбит (64K×16)
256 Кбит
Напряжение
источника питания
3.0 от и до 3.6V
3.0 от и до 3.6V
3.0 от и до 3.6V
3.0 от и до 3.6V
2.7 от и до 3.6V
Время цикла
записи
Рабочая
температура
150ns
150ns
150ns
150ns
150ns
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
-40 от и до +85°C
Циклы чтения /
записи
10
10 (10 миллиард) раз
1010 (10 миллиард) раз
1010 (10 миллиард) раз
1010 (10 миллиард) раз
1012 (1 триллион) раз
Гарантия Сохранение
данных (*1)
10 лет (+55°C)
10 лет (+55°C)
10 лет (+55°C)
10 лет (+55°C)
10 лет (+85°C)
Корпус
TSOP-48
TSOP-48
TSOP-48
TSOP-48
TSOP-28/SOP-28
*1: Когда рабочая температура не превышает +55°C (устройства 1Мбит и 4Мбит) и +85°C (устройства 256Кбит), период сохранения данных может быть увеличен.
Линия продуктов
Fujitsu Semiconductor может поставлять
FRAM продукты с диапазоном объема памяти
от 4Кбит до 256Кбит для интерфейса I 2 C,
от 16Кбит до 2Мбит для SPI интерфейса,
и от 256Кбит до 4Мбит для параллельного
интерфейса А также, в целях удовлетворения
спроса со стороны клиентов на устройства
па мят и с бол ь ш о й пл от н о с т ь ю , F u j i t s u
планирует расширить линию продуктов с
большой плотностью.
Плотность (бит)
8M/16M
Массовое
производство
Доступен
образец
В разработке
Планируется
4Мбит Parallel
1.8V-3V MB85R4001/2A
3.3V
4M
4Мбит SPI
1.8V-3V
2M
MB85RS2MT
1.8V-3V
(*2)
1Мбит I2C
1.8V-3V
MB85RS1MT
1.8V-3V
(*1)
512Kбит I2C
1.8V-3V
512Kбит SPI
1.8V-3V
1M
512K
256K
MB85RC256V
3V-5V
MB85RC128A
3V
64K
MB85RC64A
3V
MB85RC64V
5V
MB85RS64
3V
16K
MB85RC16
3V
MB85RC16V
5V
MB85RS16
3V
4K
MB85R1001/2A
3.3V
MB85RS256B
3V
128K
MB85R256F
3V
MB85RS128B
3V
MB85RS64V
5V
MB85RC04V
3.3V-5V
I2C 3V
8М/16Мбит Parallel
1.8V-3V
I2C 5V
(*1) Дата производства:
Сентябрь 2013 г.
(*2) Дата производства:
4-й кв 2013 г.
Интерфейс
SPI 3V
(1.8V-3V)
SPI 5V
Parallel 3V
(1.8V-3V)
4
Чипы с FRAM
Аутентификационные чипы с FRAM
Fujitsu Semiconductor предоставляет чипы с встроенным FRAM, такие как чипы RFID и Аутентификационные чипы для
карт с интегральной микросхемой, которые обладают исключительными преимуществами по характеристике быстрой
записи и числу циклов чтения/записи.
Чипы для FRAM RFID-метки
Компания Fujitsu поддерживает продукты – чипы с FRAM для RFID-меток с ВЧ-диапазоном 13.56 МГц и УВЧ-диапозоном
860-960 МГц. Встроенный FRAM предоставляет преимущество в скорости записи и числе циклов чтения/записи. Поэтому
распространилось использование FRAM пассивных RFID-метках.
Основные свойства
- Высокая скорость записи: пропускная способность операции записи в конечных продуктах увеличивается.
- Расстояние уверенной радиосвязи: Возможность записи при низком энергопотреблении позволяет обеспечить стабильное
расстояние передачи данных как при записи, так и при считывании без какого-либо снижения производительности системы.
- Большая плотность элементов памяти: Большой размер памяти позволяет повторно записывать много информации в теге.
- Число циклов чтения/записи: Гарантируется максимум 1 триллион циклов чтения/записи, что позволяет обеспечить частный
доступ и изменение данных при длительном многократном использовании.
- Международный стандарт: Соответствуют ISO15693, ISO18000-3, 6.
Применение в приложениях
FA, управление производством
- FA, управление производством
- RFID-датчик
Управление производством
- Управление производством и активами
и активами
- UCODE сертификация
- Медицинское оборудование и полотна
- Управление трассируемостью при продаже пищевых/лекарственных средств
RFID-датчик
Управление
трассируемостью
при продаже
пищевых/лекарственных
средств
Медицинское
оборудование
и химчистка
MB97R803A
MB97R804B
MB89R118C
MB89R119B
MB89R112
Частота
Объем памяти
УВЧ
860-960 МГц
УВЧ
860-960 МГц
ВЧ
13,56 МГц
ВЧ
13,56 МГц
ВЧ
13,56 МГц
4 Кбайта
4 Кбайта
Команды
Сохранение данных
гарантировано
Циклы чтения/записи
—
10 лет (+55°C)
1010 (10 миллиард) раз
SPI
10 лет (+55°C)
1010 (10 миллиард) раз
ISO/IEC18000-6C
EPC C1G2 Ver.1.2.0
ISO/IEC18000-6C
EPC C1G2 Ver.1.2.0
2 Кбайта
ISO/IEC15693
—
10 лет (+85°C)
1012 (1 триллион) раз
256 байт
ISO/IEC15693
—
10 лет (+85°C)
1012 (1 триллион) раз
9 Кбайта
ISO/IEC15693
SPI
10 лет (+85°C)
1012 (1 триллион) раз
Схема чипов для FRAM RFID-метки
Distance
FA, Техобслуживание
Медицина, биомедицина,
фармацевтика
Встроенная РЧ
3m
50cm
УВЧ 860-960 МГц
MB89R119B
- FRAM 256B
Следующие производственные
разработки
MB97R803A
MB97R804B
- Экономия электроэнергии
- Датчик интерфейса
- УВЧ низкой плотности
- FRAM 4KB
- SPI I/F
MB89R118C
(для стерилизации лекарственных стредств)
MB89R112
- FRAM 2KB
- FRAM 9KB
- SPI I/F
2KB 4KB
8KB
ВЧ 13,56 МГц
256B
- Безконтактная аутентификация
- Функция защиты
- ВПК
- Функция NFC Type6
Объем памяти
Логическая
схема
FRAM
(Ключ и данные)
Криптографический
протокол
(AES и др.)
Шифратор
Основной
блок
I2C, SPI,
RF и др.
Чипы с FRAM на заказ
Технология FRAM подходит для одночиповых решений с логическим и
аналоговым контурами, потому что FRAM-макрос легко вставляется в
чипы КМОП-технологии. Компания Fujitsu произвела чипы для RFIDметок и аутентификационных карточек с встроенным FRAM. Помимо
применения специальных чипы с FRAM в стандартных линейных
продуктах, компания Fujitsu может предложить чипы на заказ, которая
соответствует требованиям заказчика.
Польз.
логика
Различные
IP
FRAM
FRAM
Энергонезависимость
Высокая скорость записи
Высокая устойчивость
Низкое энергопотребление
Безопасность
SRAM
ROM
Чипы с FRAM на заказ
Сферы применения
Экологически чистые ЗУ
Группа компаний Fujitsu разработала экологически чистые продукты для
решения вопросов, связанных с защитой окружающей среды.
Последовательный
интерфейс
Аутентификационная ИС FRAM
Цель аутентификации
UCODE
сертификация
Линейка продуктов чипов для FRAM RFID-метки
Номер детали
Имеется большой опыт в применении продуктов FRAM в приложениях
по обеспечению безопасности, таких как карточки с интегральной
микросхемой. Аутентификационные чипы с FRAM компании Fujitsu
подходят для распознания периферийных устройств и аксессуаров,
которые используются в электронном оборудовании, таком как
принтер и МПУ. Аутентификация Запроса и Ответа между хостсистемой и устройством позволяет выявить санкционированные и
несанкционированные части.
FRAM 16Кбит с интерфейсом I2C компании Fujitsu - MB85RC16 является
энергонезависимым ЗУ с самым низким энергопотреблением среди
продуктов самого малого класса в мире. По сравнению с обычными
стандартными ЭСППЗУ, рабочий ток при операции записи уменьшен на 98%
(при тех же условиях эксплуатации, характеристике значений). Свойство
низкого энергопотребления FRAM позволяет снизить выбросы СО2.
FRAM 16Кбит поставляется в очень маленьком корпусе типа SON
c 8-выводами размером 3мм х 2мм. По сравнению с имеющимся
корпусом типа SOP с 8-выводами, корпус типа SON позволяет уменьшить
монтажное пространство, поскольку он может уменьшить использование
материалов в панели печатной платы, что позволяет сэкономить ресурс.
Fujitsu Semiconductor работает над разработкой запоминающих устройств
с низким потреблением мощности не только для достижения высокой
производительности полупроводниковых приборов, но и для снижения
нагрузки на глобальную окружающую среду.
Сравнение рабочего тока при записи
- Условия
16 кБит, I2C, 400 КГц,
3,6В, Запись, тех. знач.
Рабочий ток (мА)
(Макс)
2.0
Макс.
снижение
на 98%
1.0
Стандартный
СППЗУ
FRAM
Сравнение монтажной зоны
Корпус типа SOP с 8-выводами
(Стандартный корпус)
SOP-8
Корпус типа SON с 8-выодами
(миниатюрный корпус)
Панель
печатной
платы
Уменьшает
монтажную
плошадь на
более чем
80%
SON-8
5
6