FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Nomura Fudosan Shin--yokohama Bldg. 10-23, Shin--yokohama 2-Chome, Kohoku--ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan http://jp.fujitsu.com/fsl/en/ Для получения дополнительной информации обращайтесь: North and South America FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC. 1250 E. Arques Avenue, M/S 333 Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A. Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999 http://us.fujitsu.com/micro/ Asia Pacific FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD. 151 Lorong Chuan, #05-08 New Tech Park 556741 Singapore Tel: +65-6281-0770 Fax: +65-6281-0220 http://sg.fujitsu.com/semiconductor/ Europe FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122 http://emea.fujitsu.com/semiconductor/ FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD. 30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District, Shanghai 201204, China Tel: +86-21-6146-3688 Fax: +86-21-6146-3660 http://cn.fujitsu.com/fss/ Korea FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD. 902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong, Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111 http://kr.fujitsu.com/fsk/ FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD. 2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park, Shatin, N.T., Hong Kong Tel: +852-2736-3232 Fax: +852-2314-4207 http://cn.fujitsu.com/fsp/ FRAM Сегнетоэлектрическое ОЗУ Спецификации могут изменяться без предварительного уведомления. Для получения дополнительной информации обращайтесь в соответствующие отделения Компании. Все права сохранены. Компания FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, ее дочерние и аффилированные компании (совместно именуемые FUJITSU SEMICONDUCTOR) оставляет за собой право без уведомления вносить изменения в информацию, содержащуюся в этом документе. Просим связаться с торговым представителем FUJITSU SEMICONDUCTOR перед тем как заказывать приборы производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе описание функций и примеры цепей, приведены исключительно для сведения в отношении примеров функционирования и применения приборов производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. FUJITSU SEMICONDUCTOR не принимает на себя никаких гарантий, ни явных, ни подразумеваемых, в отношении этой информации, включая, но не ограничиваясь гарантии качества, точности, работы, нормального функционирования прибора, а также ненарушения прав третьих лиц. В случае разработки на основе указанной информации оборудования или продукции, в которой используется прибор FUJITSU SEMICONDUCTOR, пользователь несет полную ответственность в связи с использованием указанной информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший в результате или в связи с указанной информацией или ее использованием. Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе общие сведения о работе и примеры электрических схем, описывает обычную работу и методы использования полупроводниковых приборов, и не гарантирует работы в оборудовании, используемом на практике. Лица, использующие указанную информацию при проектировании аппаратуры, несут самостоятельную ответственность за использование указанной информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственность за любой ущерб, причиненный вследствие использования указанной информации. Настоящий документ не может рассматриваться как предоставляющий право пользования или реализации в отношении принадлежащих FUJITSU SEMICONDUCTOR или третьим лицам патентных прав, авторских прав, других прав на результаты интеллектуальной деятельности и иных прав в отношении продукции, указанной в настоящем документе, а также технической информации, включающей в себя общие сведения о работе и изображения электрических схем. Кроме того, FUJITSU SEMICONDUCTOR не предоставляет гарантий возможности пользования правами на результаты интеллектуальной деятельности и другими правами, принадлежащими третьим лицам. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет ответственности за нарушение прав на результаты интеллектуальной деятельности и других прав третьих лиц, вследствие использования настоящего документа. Продукция, указанная в настоящем документе разработана и изготовлена для обычного промышленного использования, использования в обычном делопроизводстве, для личного и семейного использования и другого обычного использования. Указанная продукция не предназначена для использования в целях, требующих крайне высокую степень безопасности, связанных с серьезным непосредственным риском для жизни и здоровья людей в случае необеспечения указанной степени безопасности (например, управление ядерной реакцией на объектах атомной энергетики, управления полетами летательных аппаратов, управления воздушным движением, управления системами крупнотоннажных грузовых перевозок, медицинское оборудование для поддержания жизнедеятельности, управление пуском ракет в системах военного назначения и т. д. ), а также в целях, требующих крайне высокую степень надежности (например, подводные ретрансляторы, космические спутники и т. д.). Просим обращаться в торговые представительства FUJITSU SEMICONDUCTOR в случае, если рассматривается возможность использования нашей продукции в указанных выше целях. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший при использования нашей продукции без предварительной консультации с нами. В полупроводниковых приборах имеется некоторая степень вероятности поломки или сбоя в работе. При использовании продукции FUJITSU SEMICONDUCTOR, в том числе продукции, указанной в настоящем документе, пользователь несет самостоятельную ответственность за обеспечение безопасности, в том числе путем использования резервных систем, пожаробезопасности, защиты от перепадов напряжения, защиты от ошибок, с тем, чтобы даже в случае возникновения поломки или сбоя в работе полупроводниковой аппаратуры производства FUJITSU SEMICONDUCTOR не причинялось вреда жизни и здоровью, не возникало техногенных инцидентов, инцидентов, представляющих общественную угрозу. Продукция, указанная в настоящем документе, а также техническая информация, содержащаяся в настоящем документе, подпадают под действие Закона Японии о валютном регулировании и контроле над внешней торговлей, и могут подпадать под действие законодательства о регулировании экспорта и импорта США и других стран. Вы несете ответственность за соблюдение законодательства об экспорте и реэкспорте продукции и технической информации, указанной в настоящем документе. Все фирменные наименования, названия товарных брендов и зарегистрированные товарные знаки принадлежат соответствующим правообладателям. ©2012-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in Japan AD05-00033-6R August 2013 Отредактировано: Отделом корпоративного планирования FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Мы предлагаем самую надежную память на основе передовой технологии с подтвержденным качеством Энергонезависимое запоминающее устройство от компании Fujitsu - FRAM Что такое FRAM? Non-Volatile Great Read/Write Cycles Fast Write FRAM High Security Low Power Consumption FRAM (“Сегнетоэлектрическое ОЗУ”) является энергонезависимым запоминающим устройством, способным хранить данные даже при отключенном питании, а также служить в роли оперативного запоминающего устройства (RAM). Производительность FRAM превосходит традиционные энерго-независимые запоминающие устройства, такие как ЭСППЗУ (Электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство) и флэш-память, по характеристикам высокой скорости записи, ресурсам цикла чтения/записи и низким энергопотреблением. Компания Fujitsu Semiconductor осуществляет весь цикл изготовления, начиная с исследования и разработки и заканчивая массовым производством FRAM-микросхем в Японии. Компания Fujitsu способна обеспечить неизменное высокое качество продуктов FRAM и их беспрерывную поставку. Начиная с 1999 года, компания Fujitsu поставляет продукты FRAM для производства и обладает огромным опытом в этой части. Продукты FRAM продолжают предлагать многим заказчикам, требующим высокую надежность. Для более подробной информации см.: Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите: FRAM Искать Свойства FRAM - Энергонезависимость - Произвольный доступ - Высокая скорость записи - Высокая устойчивость - Низкое энергопотребление Сравнение между FRAM и другими устройствами памяти FRAM Тип памяти EEPROM FLASH SRAM Энергонезависимая Энергонезависимая Энергонезависимая Энергозависимая Способ перезаписи данных Перезапись Время цикла записи 150ns 13 Стирание + Запись Стирание + Запись 5ms 6 10µs 5 Перезапись 55ns Циклы чтения/записи 10 Контур подкачки заряда Не требуется Требуется Требуется Не требуется Батарея для резервного копирования данных Не требуется Не требуется Не требуется Требуется 10 10 Не ограничено Семейство продуктов FRAM FRAM Имеются два семейства FRAM. Одно из них "Автономная память", которая предоставляется в корпусах типа SOP и SON, а второе "чипы с FRAM", которые предоставляют собой чипы с FRAM-макро для использования в приложениях, такие как чипы для RFID и аутентификационные чипы. Компания Fujitsu также предлагает заказные чипы оптимизированные для приложении заказчика. Автономное ЗУ Автономное ЗУ Последовательное ЗУ Параллельное ЗУ Чипы для RFID Чипы с FRAM Аутентификационные чипы Новые продукты Заказные чипы - Дающая возможность энерго-эффективности и миниатюризации в современных оборудовании Компания Fujitsu Semiconductor разработала два новых продукта FRAM, MB85RS1MT и MB85RS2MT, которые характеризуют память серийного интерфейса 1Мбит и 2Мбит. Образцы обеих продуктов уже доступны. Два этих новых продуктов FRAM гарантируют 10 триллионов циклов чтения/записи, примерно десять раз больше чем существующие устройства FRAM, делающая их оптимальным для использования в измерительных оборудованиях, индустриальных и медицинских оборудованиях. По сравнению с идентичной плотностью EEPROM, два продукта во время записи расходуют электроэнергию на 92% меньше. А также, ввиду того что новые продукты FRAM могут совмещать всю технологию требующиеся Сравнение энергопотребления для компонентов системной памяти – которые обычно состоят из EEPROM, SRAM и батарейка для сохранения данных – в единый чип, это позволяет значительно сократить расходы на Энергопот- - Условия : ребление 2Mbit, Серийная память, стоимость компонентов, монтажное пространство и энергопотребление. Это, в свою очередь, (мЖ) SPI I/F, 2Кбайт записи, также благоприятно воздействует на разработку более маленьких и энергоэффективных Действие 5МГц, VDD=3.0В, 1сек оборудовании, легких в эксплуатации, так как не требуется резервная батарейка. 6.0 Сравнение монтажного пространства EEPROM + SRAM 2Мбит + Резервная Батарея 18.41мм SRAM 44контактный TSOP(II) батарея 25.26мм 4.0 FRAM 2Мбит (SOP, 8-контактный) EEPROM (SOPб 8-контактный) Экономит 90%+ площадь монтажа 2.0 5.24мм Минимальная требующаяся площадь 7.80мм Стандартный EEPROM Максимум 92% снижении энергопотребления 5.80мЖ Fujitsu FRAM 0.46mJ 0 *: Рассчеты производились с использованием максимальных значений по тех. параметрам. Примеры применения FRAM в приложениях FRAM обеспечивает быструю запись до 10-триллион циклов чтения/записи, и является подходящей памятью для измерительного оборудования для записи данных измерений в режиме реального времени. FRAM способно защитить данные при записи даже при внезапном отключении питания в силу своего быстродействия. Благодаря этому свойству, продукты FRAM применяются в различных приложениях, требующих высокую надежность, таких как счетчики электроэнергии, системы измерения в промышленности, банкоматы и т.д. Офисная автоматика Твердотельные диски Счетчик, хранение данных настроек Ведение журналов, кэш-память Развлечения Банкоматы Возобновление работы и хранение данных настроек Архив транзакций, ведение журналов Акустические системы, аудио-видео оборудование Коммуникационное оборудование Возобновление работы и хранение данных настроек Возобновление связи и ведение журналов Измерительные и анализирующие устройства Промышленная автоматика Измерение данных и хранение проверенных данных Хранение данных настроек, ведение журналов Медицина, фармацевтика Управление трассируемости при распределении Трассировка записи стерилизации и записи экспертизы 3 Продукты FRAM с серийным интерфейсом совместимы с EEPROM и серийным устройством памяти Flash, а также доступен продукт 2Мбит. По сравнению с другими обычными энергонезависимыми ЗУ, FRAM имеет более высокую скорость записи, большее количество циклов чтения/записи и меньшее энергопотребление. Интерфейс I2C Номер детали Новые продукты FRAM 1Мбит и 2 Мбит MB85RS1MT / MB85RS2MT Последовательное ЗУ Запись среды транспортировки, логистики и складирования MB85RC256V MB85RC128A MB85RC64A MB85RC64V MB85RC16 MB85RC16V MB85RC04V Объем памяти 256 Кбит 128 Кбит 64 Кбит 64 Кбит 16 Кбит 16 Кбит 4 Кбит Напряжение источника питания 2.7 от и до 5.5V 2.7 от и до 3.6V 2.7 от и до 3.6V 3.0 от и до 5.5V 2.7 от и до 3.6V 3.0 от и до 5.5V 3.0 от и до 5.5V MB85RS2MT MB85RS1MT MB85RS256B MB85RS128B MB85RS64 MB85RS64V MB85RS16 Рабочая температура 1 МГц 1 МГц 1 МГц 1 МГц 1 МГц 1 МГц 1 МГц -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C Циклы чтения / записи 12 10 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз Гарантия Сохранение данных (*1) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) Корпус SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8/SON-8 SOP-8 SOP-8 *1: Когда рабочая температура не превышает +85°C, период сохранения данных может быть увеличен. См. Спецификации. Интерфейс SPI Номер детали Рабочая частота (Макс) Объем памяти 2 Мбит 1 Мбит 256 Кбит 128 Кбит 64 Кбит 64 Кбит 16 Кбит Напряжение источника питания Параллельное ЗУ 1.8 от и до 3.6V 1.8 от и до 3.6V 2.7 от и до 3.6V 2.7 от и до 3.6V 2.7 от и до 3.6V 3.0 от и до 5.5V 2.7 от и до 3.6V Рабочая частота (Макс) Рабочая температура 25 МГц (*2) 30 МГц (*2) 33 МГц 33 МГц 20 МГц 20 МГц 20 МГц -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C Циклы чтения / записи 13 10 (10 триллион) раз 1013 (10 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз 1012 (1 триллион) раз Гарантия Сохранение данных (*1) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) 10 лет (+85°C) Корпус SOP-8/DIP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8/SON-8 *1: Когда рабочая температура не превышает +85°C, период сохранения данных может быть увеличен. См. Спецификации. *2: Оперативность максимум в 40МГц доступна в режиме быстрого чтения. Продукты FRAM с параллельным интерфейсом, который совместим с интерфесом SRAM, могут заменяться резервным источником питания SRAM (BBSRAM) и псевдо-SRAM (PSRAM). Номер детали MB85R4001A MB85R4002A MB85R1001A MB85R1002A MB85R256F Объем памяти 4 Мбит (512K×8) 4 Мбит (256K×16) 1 Мбит (128K×8) 1 Мбит (64K×16) 256 Кбит Напряжение источника питания 3.0 от и до 3.6V 3.0 от и до 3.6V 3.0 от и до 3.6V 3.0 от и до 3.6V 2.7 от и до 3.6V Время цикла записи Рабочая температура 150ns 150ns 150ns 150ns 150ns -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C -40 от и до +85°C Циклы чтения / записи 10 10 (10 миллиард) раз 1010 (10 миллиард) раз 1010 (10 миллиард) раз 1010 (10 миллиард) раз 1012 (1 триллион) раз Гарантия Сохранение данных (*1) 10 лет (+55°C) 10 лет (+55°C) 10 лет (+55°C) 10 лет (+55°C) 10 лет (+85°C) Корпус TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-28/SOP-28 *1: Когда рабочая температура не превышает +55°C (устройства 1Мбит и 4Мбит) и +85°C (устройства 256Кбит), период сохранения данных может быть увеличен. Линия продуктов Fujitsu Semiconductor может поставлять FRAM продукты с диапазоном объема памяти от 4Кбит до 256Кбит для интерфейса I 2 C, от 16Кбит до 2Мбит для SPI интерфейса, и от 256Кбит до 4Мбит для параллельного интерфейса А также, в целях удовлетворения спроса со стороны клиентов на устройства па мят и с бол ь ш о й пл от н о с т ь ю , F u j i t s u планирует расширить линию продуктов с большой плотностью. Плотность (бит) 8M/16M Массовое производство Доступен образец В разработке Планируется 4Мбит Parallel 1.8V-3V MB85R4001/2A 3.3V 4M 4Мбит SPI 1.8V-3V 2M MB85RS2MT 1.8V-3V (*2) 1Мбит I2C 1.8V-3V MB85RS1MT 1.8V-3V (*1) 512Kбит I2C 1.8V-3V 512Kбит SPI 1.8V-3V 1M 512K 256K MB85RC256V 3V-5V MB85RC128A 3V 64K MB85RC64A 3V MB85RC64V 5V MB85RS64 3V 16K MB85RC16 3V MB85RC16V 5V MB85RS16 3V 4K MB85R1001/2A 3.3V MB85RS256B 3V 128K MB85R256F 3V MB85RS128B 3V MB85RS64V 5V MB85RC04V 3.3V-5V I2C 3V 8М/16Мбит Parallel 1.8V-3V I2C 5V (*1) Дата производства: Сентябрь 2013 г. (*2) Дата производства: 4-й кв 2013 г. Интерфейс SPI 3V (1.8V-3V) SPI 5V Parallel 3V (1.8V-3V) 4 Чипы с FRAM Аутентификационные чипы с FRAM Fujitsu Semiconductor предоставляет чипы с встроенным FRAM, такие как чипы RFID и Аутентификационные чипы для карт с интегральной микросхемой, которые обладают исключительными преимуществами по характеристике быстрой записи и числу циклов чтения/записи. Чипы для FRAM RFID-метки Компания Fujitsu поддерживает продукты – чипы с FRAM для RFID-меток с ВЧ-диапазоном 13.56 МГц и УВЧ-диапозоном 860-960 МГц. Встроенный FRAM предоставляет преимущество в скорости записи и числе циклов чтения/записи. Поэтому распространилось использование FRAM пассивных RFID-метках. Основные свойства - Высокая скорость записи: пропускная способность операции записи в конечных продуктах увеличивается. - Расстояние уверенной радиосвязи: Возможность записи при низком энергопотреблении позволяет обеспечить стабильное расстояние передачи данных как при записи, так и при считывании без какого-либо снижения производительности системы. - Большая плотность элементов памяти: Большой размер памяти позволяет повторно записывать много информации в теге. - Число циклов чтения/записи: Гарантируется максимум 1 триллион циклов чтения/записи, что позволяет обеспечить частный доступ и изменение данных при длительном многократном использовании. - Международный стандарт: Соответствуют ISO15693, ISO18000-3, 6. Применение в приложениях FA, управление производством - FA, управление производством - RFID-датчик Управление производством - Управление производством и активами и активами - UCODE сертификация - Медицинское оборудование и полотна - Управление трассируемостью при продаже пищевых/лекарственных средств RFID-датчик Управление трассируемостью при продаже пищевых/лекарственных средств Медицинское оборудование и химчистка MB97R803A MB97R804B MB89R118C MB89R119B MB89R112 Частота Объем памяти УВЧ 860-960 МГц УВЧ 860-960 МГц ВЧ 13,56 МГц ВЧ 13,56 МГц ВЧ 13,56 МГц 4 Кбайта 4 Кбайта Команды Сохранение данных гарантировано Циклы чтения/записи — 10 лет (+55°C) 1010 (10 миллиард) раз SPI 10 лет (+55°C) 1010 (10 миллиард) раз ISO/IEC18000-6C EPC C1G2 Ver.1.2.0 ISO/IEC18000-6C EPC C1G2 Ver.1.2.0 2 Кбайта ISO/IEC15693 — 10 лет (+85°C) 1012 (1 триллион) раз 256 байт ISO/IEC15693 — 10 лет (+85°C) 1012 (1 триллион) раз 9 Кбайта ISO/IEC15693 SPI 10 лет (+85°C) 1012 (1 триллион) раз Схема чипов для FRAM RFID-метки Distance FA, Техобслуживание Медицина, биомедицина, фармацевтика Встроенная РЧ 3m 50cm УВЧ 860-960 МГц MB89R119B - FRAM 256B Следующие производственные разработки MB97R803A MB97R804B - Экономия электроэнергии - Датчик интерфейса - УВЧ низкой плотности - FRAM 4KB - SPI I/F MB89R118C (для стерилизации лекарственных стредств) MB89R112 - FRAM 2KB - FRAM 9KB - SPI I/F 2KB 4KB 8KB ВЧ 13,56 МГц 256B - Безконтактная аутентификация - Функция защиты - ВПК - Функция NFC Type6 Объем памяти Логическая схема FRAM (Ключ и данные) Криптографический протокол (AES и др.) Шифратор Основной блок I2C, SPI, RF и др. Чипы с FRAM на заказ Технология FRAM подходит для одночиповых решений с логическим и аналоговым контурами, потому что FRAM-макрос легко вставляется в чипы КМОП-технологии. Компания Fujitsu произвела чипы для RFIDметок и аутентификационных карточек с встроенным FRAM. Помимо применения специальных чипы с FRAM в стандартных линейных продуктах, компания Fujitsu может предложить чипы на заказ, которая соответствует требованиям заказчика. Польз. логика Различные IP FRAM FRAM Энергонезависимость Высокая скорость записи Высокая устойчивость Низкое энергопотребление Безопасность SRAM ROM Чипы с FRAM на заказ Сферы применения Экологически чистые ЗУ Группа компаний Fujitsu разработала экологически чистые продукты для решения вопросов, связанных с защитой окружающей среды. Последовательный интерфейс Аутентификационная ИС FRAM Цель аутентификации UCODE сертификация Линейка продуктов чипов для FRAM RFID-метки Номер детали Имеется большой опыт в применении продуктов FRAM в приложениях по обеспечению безопасности, таких как карточки с интегральной микросхемой. Аутентификационные чипы с FRAM компании Fujitsu подходят для распознания периферийных устройств и аксессуаров, которые используются в электронном оборудовании, таком как принтер и МПУ. Аутентификация Запроса и Ответа между хостсистемой и устройством позволяет выявить санкционированные и несанкционированные части. FRAM 16Кбит с интерфейсом I2C компании Fujitsu - MB85RC16 является энергонезависимым ЗУ с самым низким энергопотреблением среди продуктов самого малого класса в мире. По сравнению с обычными стандартными ЭСППЗУ, рабочий ток при операции записи уменьшен на 98% (при тех же условиях эксплуатации, характеристике значений). Свойство низкого энергопотребления FRAM позволяет снизить выбросы СО2. FRAM 16Кбит поставляется в очень маленьком корпусе типа SON c 8-выводами размером 3мм х 2мм. По сравнению с имеющимся корпусом типа SOP с 8-выводами, корпус типа SON позволяет уменьшить монтажное пространство, поскольку он может уменьшить использование материалов в панели печатной платы, что позволяет сэкономить ресурс. Fujitsu Semiconductor работает над разработкой запоминающих устройств с низким потреблением мощности не только для достижения высокой производительности полупроводниковых приборов, но и для снижения нагрузки на глобальную окружающую среду. Сравнение рабочего тока при записи - Условия 16 кБит, I2C, 400 КГц, 3,6В, Запись, тех. знач. Рабочий ток (мА) (Макс) 2.0 Макс. снижение на 98% 1.0 Стандартный СППЗУ FRAM Сравнение монтажной зоны Корпус типа SOP с 8-выводами (Стандартный корпус) SOP-8 Корпус типа SON с 8-выодами (миниатюрный корпус) Панель печатной платы Уменьшает монтажную плошадь на более чем 80% SON-8 5 6