MB85R4002A

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00006-3v0-R
Память FRAM
4 Мбит (256 K × 16)
MB85R4002A
■ ОПИСАНИЕ
Микросхема MB85R4002A представляет собой FRAM (Сегнетоэлектрическое оперативное
запоминающее устройство) в конфигурации 262 144 слов × 16 бит энергонезависимых ячеек памяти,
изготовленных с использованием технологий сегнетоэлектрических процессов и КМОП кремниевого
затвора.
MB85R4002A способна сохранять данные без батареи резервирования данных, которая необходима
в случае статического ОЗУ (SRAM).
Ячейки памяти MB85R4002A можно использовать для 1010 операций чтения/записи, что существенно
превосходит количество операций чтения и записи, поддерживаемых памятью FLASH и E2PROM.
MB85R4002A использует интерфейс статического псевдо-ОЗУ (SRAM), совместимый со стандартной
асинхронной памятью SRAM.
■ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Битовая конфигурация
: 262 144 слов × 16 бит
Управляющий байт данных LB и UB
Устойчивость чтения/записи : 1010 циклов / байт
Сохранность данных
: 10 лет ( + 55 °C), 55 лет ( + 35 °C)
Рабочее напряжение источника питания
: от 3,0 В до 3,6 В
• Низкое энергопотребление : рабочий ток источника питания 15 мА (Тип)
Ток в режиме ожидания 50 μА (Тип)
• Диапазон рабочих температур окружающей среды
: от − 40 °C до + 85 °C
• Корпус
: 48-контактный пластмассовый TSOP (FPT-48P-M48)
Соответствует RoHS
•
•
•
•
•
Copyright©2011-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.4
MB85R4002A
■ РАЗВОДКА КОНТАКТОВ
(ВИД СВЕРХУ)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE2
VSS
UB
LB
VDD
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
I/O16
I/O8
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
VDD
I/O12
I/O4
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
OE
VSS
CE1
A0
(FPT-48P-M48)
■ НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ
2
Номер вывода
Наим. вывода
Функциональное назначение
1 до 8, 17 до 25, 48
с A0 по A17
29 до 36, 38 до 45
с I/O1 по I/O16
26
CE1
Входной контакт включения микросхемы 1
12
CE2
Входной контакт включения микросхемы 2
11
WE
Входной контакт разрешения записи
28
OE
Входной контакт разрешения вывода
14, 15
LB, UB
Контакты ввода управляющего байта данных
16, 37
VDD
Выводы напряжения питания
Подключите оба вывода к источнику питания.
13, 27, 46
VSS
Выводы заземления
Заземлите все три вывода.
9, 47
NC
Неподключенные выводы
Оставьте эти выводы отключенными или
подключите к контакту VDD или VSS.
10
DNU
Контакты ввода адреса
Контакты ввода/вывода данных
Вывод “Не использовать”
Подключите этот вывод к VDD.
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
A17
Фиксатор адреса
A0
Декодер строк
■ БЛОК-СХЕМА
Массив FRAM
262 144 × 16
Декодер столбцов
S/A
intWE
intOE
CE2
CE1
WE
OE
LB
UB
с I/O1 по I/O8 с I/O9 по I/O16
I/O16
I/O9
I/O8
I/O1
DS501-00006-3v0-R
3
MB85R4002A
■ ТАБЛИЦА ИСТИННОСТИ
Режим
Подготовка в
режиме ожидания
Ток
питания
Z-состояние
Z-состояние
Режим
ожидания
(ISB)
WE
OE
LB
UB
В
X
X
X
X
X
X
Н
X
X
X
X
X
X
В
В
X
X
X
X
X
X
В
В
Н
Н
Вывод данных Вывод данных
Н
В
Вывод данных
Z-состояние
В
Н
Z-состояние
Вывод данных
Н
Н
Вывод данных Вывод данных
Н
В
Вывод данных
Z-состояние
В
Н
Z-состояние
Вывод данных
Н
Н
Вывод данных Вывод данных
Н
В
Вывод данных
В
Н
Z-состояние
Н
Н
Ввод данных
Н
В
Ввод данных
Z-состояние
В
Н
Z-состояние
Ввод данных
Н
Н
Ввод данных
Ввод данных
Н
В
Ввод данных
Z-состояние
В
Н
Z-состояние
Ввод данных
Н
Н
Ввод данных
Ввод данных
Н
В
Ввод данных
Z-состояние
В
Н
Z-состояние
Ввод данных
В
Н
Чтение
Н
Н
В
В
В
Н
В
Н
В
Запись
Н
Запись
(псевдо-ОЗУ,
управляющий WE*2)
с I/O9 до I/O16
CE2
В
Чтение
(псевдо-ОЗУ,
управляющий OE*1)
с I/O1 до I/O8
CE1
Н
Н
В
В
В
Z-состояние
Вывод данных Операция
(IDD)
Ввод данных
Примечание: Н = VIL, В= VIH, X может быть Н, В,
или
,
Z-состояние = Высокоимпедансное состояние
: Фиксированный адрес и фиксированные данные на спадающем фронте,
: Фиксированный адрес и фиксированные данные на нарастающем фронте
*1 : OE статического псевдо-ОЗУ (SRAM) управляет чтением действительного адреса на спадающем
фронте OE.
*2 : WE статического псевдо-ОЗУ (SRAM) управляет записью действительных адреса и данных на
спадающем фронте WE.
4
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
■ АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Параметр
Значение
Обозначение
Мин
Макс
Единица
измерения
Напряжение источника
питания*
VDD
−0,5
+4,0
В
Напряжение на входах*
VIN
−0,5
VDD + 0,5 ( ≤ 4,0)
В
VOUT
−0,5
VDD + 0,5 ( ≤ 4,0)
В
Рабочая температура
окружающей среды
TA
−40
+85
o
C
Температура хранения
TSTG
−55
+125
o
C
Напряжение на выходах*
* : Все напряжения указаны относительно VSS (заземление 0 В).
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Полупроводниковые приборы могут быть безвозвратно повреждены вследствие
воздействий (в том числе электрического напряжения, силы тока или
температуры), превышающих абсолютные максимальные величины. Не следует
превышать эти величины.
■ РЕКОМЕНДУЕМЫЕ РАБОЧИЕ УСЛОВИЯ
Параметр
Обозначение
Значение
Мин
Тип
Макс
Единица
измерения
Напряжение источника
питания*
VDD
3,0
3,3
3,6
В
Высокий уровень входного
напряжения*
VIH
VDD × 0,8
⎯
VDD + 0,5
( ≤ 4,0)
В
Низкий уровень входного
напряжения*
VIL
−0,5
⎯
+0,6
В
Рабочая температура
окружающей среды
TA
− 40
⎯
+85
o
C
* : Все напряжения указаны относительно VSS (заземление 0 В).
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Для обеспечения нормальной работы полупроводникового прибора необходимо
соблюдать рекомендованные условия работы. Соблюдение указанных условий
является гарантией обеспечения всех электрические параметров прибора.
Прибор должен использоваться с соблюдением рекомендованных условий.
Использования прибора в условиях превышения установленных условий может
оказать негативное воздействие на надежность прибора. Надежность работы
может быть не обеспечена в случае использования прибора в целях, условиях,
логических комбинациях, не указанных в настоящем документе. Просим заранее
консультироваться с торговыми представителями в случае если
рассматривается использование прибора в условиях, отличных от указанных в
настоящем документе.
DS501-00006-3v0-R
5
MB85R4002A
■ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
1. Характеристики по постоянному току
Параметр
Ток утечки на входе*
Обозначение
(в пределах рекомендуемых рабочих условий)
Условие
Значение
Единица
измерения
Макс
Мин
Тип
VIN = 0 В до VDD
⎯
⎯
10
μА
|ILO|
VOUT = 0 В до VDD,
CE1 = VIH или OE = VIH
⎯
⎯
10
μА
IDD
CE1 = 0,2 В,
CE2 = VDD − 0,2 В, Iout = 0 мА
⎯
15
20
мА
⎯
50
150
μА
VDD ×
0,8
⎯
⎯
В
⎯
⎯
0,4
В
1
|ILI|
Ток утечки на выходе
Рабочий ток источника
питания*2
CE1 ≥ VDD − 0,2 В
CE2 ≤ 0,2 В
Ток в режиме
ожидания*3
ISB
OE ≥ VDD − 0,2 В,
WE ≥ VDD − 0,2 В
LB ≥ VDD − 0,2 В,
UB ≥ VDD − 0,2 В
Высокий уровень
выходного напряжения
VOH
IOH = − 1,0 мА
Низкий уровень
выходного напряжения
VOL
IOL = 2,0 мА
*1 : Относится также к контактам DNU.
*2 : Во время измерения IDD ввод адреса и данных изменяется один раз за активный цикл.
Iout : выходной ток
*3 : Все контакты, кроме установочных, должны быть входными при напряжениях КМОП-уровня,
например В ≥ VDD − 0,2 В, Н ≤ 0,2 В.
6
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
2. Характеристики по переменному току
• Условия для испытаний по переменному току
Напряжение источника питания
: от 3,0 В до 3,6 В
Рабочая температура окружающей среды : от −40 oC до +85 oC
Амплитуда входного напряжения
: от 0,3 В до 2,7 В
Время нарастания сигнала на входе
: 5 нс
Время спада сигнала на входе
: 5 нс
Оценочный уровень входного сигнала
: 2,0 В / 0,8 В
Оценочный уровень выходного сигнала
: 2,0 В / 0,8 В
Емкость выходной нагрузки
: 50 пФ
(1) Цикл чтения
Параметр
Обозначение
Значение
Мин
Макс
Единица
измерения
Время цикла чтения
tRC
150
⎯
нс
Активное время CE1
tCA1
120
⎯
нс
Активное время CE2
tCA2
120
⎯
нс
Активное время OE
tRP
120
⎯
нс
Активное время LB, UB
tBP
120
⎯
нс
Время подготовки
tPC
20
⎯
нс
Время установки адреса
tAS
0
⎯
нс
Время удержания адреса
tAH
50
⎯
нс
Время установки OE
tES
0
⎯
нс
Время установки LB, UB
tBS
5
⎯
нс
Время удержания выходных данных
tOH
0
⎯
нс
Время установки выходного сигнала
tLZ
30
⎯
нс
Время доступа CE1
tCE1
⎯
120
нс
Время доступа CE2
tCE2
⎯
120
нс
Время доступа OE
tOE
⎯
120
нс
Время плавающего выхода
tOHZ
⎯
20
нс
DS501-00006-3v0-R
7
MB85R4002A
(2) Цикл записи
Параметр
Обозначение
Значение
Мин
Макс
Единица
измерения
Время цикла записи
tWC
150
⎯
нс
Активное время CE1
tCA1
120
⎯
нс
Активное время CE2
tCA2
120
⎯
нс
Активное время LB, UB
tBP
120
⎯
нс
Время подготовки
tPC
20
⎯
нс
Время установки адреса
tAS
0
⎯
нс
Время удержания адреса
tAH
50
⎯
нс
Время установки LB, UB
tBS
5
⎯
нс
Ширина импульса записи
tWP
120
⎯
нс
Время установки данных
tDS
0
⎯
нс
Время удержания данных
tDH
50
⎯
нс
Время установки записи
tWS
0
⎯
нс
3. Емкость вывода
Параметр
Входная емкость
Обозначение
CIN
Выходная емкость
COUT
Входная емкость
контакта DNU
CDNU
8
Условие
VDD = VIN = VOUT = 0 В,
f = 1 МГц, TA = + 25 oC
Значение
Единица
Макс измерения
Мин
Тип
⎯
⎯
10
пФ
⎯
⎯
10
пФ
⎯
⎯
10
пФ
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
■ ВРЕМЕННЫЕ ДИАГРАММЫ
1. Временные характеристики цикла чтения (управляющий CE1)
tRC
tCA1
CE1
tPC
CE2
tBS
tBP
LB, UB
tAS
tAH
Действ.
с A0 по A17
В или Н
tES
tRP
OE
tCE1
tOH
tLZ
с I/O1 по I/O16
tOHZ
Z-состояние
Действ.
Недейств.
Недейств.
:В или Н
2. Временные характеристики цикла чтения (управляющий CE2)
CE1
tRC
tPC
tCA2
CE2
tBS
tBP
LB, UB
tAS
с A0 по A17
tAH
Действ.
В или Н
tES
tRP
OE
tCE2
tOH
tLZ
с I/O1 по I/O16
tOHZ
Z-состояние
Действ.
Недейств.
Недейств.
:В или Н
DS501-00006-3v0-R
9
MB85R4002A
3. Временные характеристики цикла чтения (управляющий OE)
CE1
CE2
tBS
tBP
LB, UB
tAS
с A0 по A17
tAH
Действ.
В или Н
tRC
tPC
tRP
OE
tOE
tOHZ
tOH
tLZ
с I/O1 по I/O16
Z-состояние
Действ.
Недейств.
Недейств.
:В или Н
4. Временные характеристики цикла записи (управляющий CE1)
tWC
tCA1
tPC
CE1
CE2
tBS
tBP
LB, UB
tAS
с A0 по A17
tAH
Действ.
В или Н
tWS
tWP
WE
tDS
tDH
Действ.
Ввод данных
В или Н
Z-состояние
:В или Н
10
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
5. Временные характеристики цикла записи (управляющий CE2)
CE1
tWC
tPC
tCA2
CE2
tBS
tBP
LB, UB
tAS
с A0 по A17
tAH
Действ.
В или Н
tWS
tWP
WE
tDH
tDS
Действ.
Ввод данных
В или Н
Z-состояние
:В или Н
6. Временные характеристики цикла записи (управляющий WE)
CE1
CE2
tBS
tBP
LB, UB
tAS
с A0 по A17
tAH
Действ.
В или Н
tWC
tWP
tPC
WE
tDS
tDH
Z-состояние
Ввод данных
Действ.
В или Н
:В или Н
DS501-00006-3v0-R
11
MB85R4002A
■ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ВКЛЮЧЕНИЯ/ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ
tPD
tR
tPU
VDD
VDD
CE2
CE2
3,0 В
3,0 В
VIH (Мин)
VIH (Мин)
1,0 В
1,0 В
VIL (Макс)
VIL (Макс)
CE2 ≤ 0,2 В
0В
0В
CE1 > VDD × 0,8*
CE1 : Не имеет значения
CE1 > VDD × 0,8*
CE1
CE1
* : CE1 (Макс) < VDD + 0,5 В
Значение
Мин
Тип
Макс
Единица
измерения
tPD
85
⎯
⎯
нс
Время удержания уровня сигнала
CE1 при включении питания
tPU
85
⎯
⎯
нс
Время нарастания напряжения
источника питания
tR
0,05
⎯
200
мс
Параметр
Обозначение
Время удержания уровня сигнала
CE1 при отключении питания
Если устройство не работает при заданных условиях цикла чтения, цикла записи или
последовательности включения/отключения питания, сохранность данных памяти не гарантируется.
В случае включения или выключения питания используйте схему сброса питания и зафиксируйте
низкий уровень CE2 для предотвращения непредусмотренной записи. Чтобы отключить управление
устройством, используйте CE1 или CE2 либо оба контакта.
12
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
■ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАМЯТИ FRAM
Позиция
Устойчивость
чтения/записи*1
Сохранность
данных*2
Мин
Макс
1010
⎯
10
⎯
55
⎯
Единица
измерения
Параметр
Циклов/байт Рабочая температура окружающей среды TA = + 85 °C
Годы
Рабочая температура окружающей среды TA = + 55 °C
Рабочая температура окружающей среды TA = + 35 °C
*1 : Общее количество циклов чтения и записи определяет минимальное значение устойчивости, так как
в памяти FRAM используется механизм с разрушением информации при считывании.
*2 : Минимальные значения определяют срок сохранности первых данных чтения или записи
непосредственно после поставки. Эти значения рассчитываются по результатам проверки
конкретной микросхемы.
■ ПРИМЕЧАНИЯ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ
Сохранность данных, записанных до проведения пайки ИК-нагревом, не гарантируется после пайки
ИК-нагревом.
■ ESD (ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ РАЗРЯД) И ЗАПИРАНИЕ
Испытание
DUT
Значение
ESD для HBM (модель тела человека)
Соответствует JESD22-A114
≥ |2000 В|
ESD для MM (модель машины)
Соответствует JESD22-A115
≥ |200 В|
ESD для CDM (модель заряженного устройства)
Соответствует JESD22-C101
Запирание (I-испытание)
Соответствует JESD78
Запирание (испытание перенапряжения по Vпитания)
Соответствует JESD78
Запирание (метод измерения по току)
Собственная методика
Запирание (метод измерения по зарядному напряжению)
Собственная методика
DS501-00006-3v0-R
⎯
MB85R4002ANC-GE1
⎯
⎯
≥ |300
мА|
⎯
13
MB85R4002A
• Метод испытания сопротивления запирания по току
Защитный резистор
A
Испытуемый вывод
IIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
(Макс.значение)
V
VIN
Опорный
вывод
Примечание : Напряжение VIN увеличивается постепенно и при достижении максимального значения
должен протекать ток IIN величиной 300 мА.
Нужно убедиться, что запирание не происходит при токе ниже IIN = ± 300 мА.
В случае предъявления особых требований к вводу/выводу, когда для тока IIN нельзя
установить значение 300 мА, напряжение необходимо увеличить до уровня, который
соответствует особым требованиям.
• Метод испытания сопротивления запирания по зарядному напряжению
Защитный резистор
A
1
Испытуемый
вывод
2
VDD
SW
DUT
+
VIN
V
-
C
200пФ
VDD
(Макс.значение)
VSS
Опорный
вывод
Примечание : Зарядное напряжение попеременно переключается между контактами 1 и 2 с
приблизительно 2-секундным интервалом. Процесс переключения считается одним
циклом.
Этот процесс необходимо повторить 5 раз. Однако, если условие запирания происходит
до завершения 5 циклов, испытание необходимо остановить немедленно.
14
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
■ УСЛОВИЯ ПАЙКИ И СРОК ХРАНЕНИЯ ПОСЛЕ РАСПАКОВКИ
Позиция
Условие
Метод
ИК (инфракрасная пайка) , Конвекция
Число повторов
2
Срок хранения после
распаковки
Условия хранения
после распаковки
До распаковки
Использовать в течение 2 лет с момента
изготовления.
С момента распаковки до 2-й пайки
В течение 8 дней
В случае превышения срока
хранения
Требуется отжиг при 125 °C+/-3 °C в
течение 24 ч +2 ч / -0 ч.
Затем использовать в течение 8 дней.
(Отжиг можно повторять до 2 раз)
Требуется температура между 5 °C и 30 °C и относ. влажность 70 %.
(В указанном темп. диапазоне предпочтительна меньшая влажность.)
Профиль пайки
260°C
255°C
Температура
плавления
от
170 °C
до
190 °C
(b)
RT
(c)
(a)
(a) Средняя скорость разогрева
(b) Разогрев и пропитка
(c) Средняя скорость разогрева
(d) Пиковая температура
(d’) Температура плавления
(e) Охлаждение
(d)
(e)
(d')
: от 1 °C/с до 4 °C/с
: от 170 °C до 190 °C, от 60 с до 180 с
: от 1 °C/с до 4 °C/с
: Температура 260 °C Макс; 255 °C в течение 10 с
: до 230 °C в течение 40 с или
до 225 °C в течение 60 с или
до 220 °C в течение 80 с
: Естественное или принудительное охлаждение
Примечание : Измеряется температура верхней поверхности корпуса.
DS501-00006-3v0-R
15
MB85R4002A
■ ВЕЩЕСТВА ОГРАНИЧЕННОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ
Данный продукт соответствует следующим нормам (по данным на ноябрь 2011 года).
• Директива RoHS на территории Евросоюза (2002/95/EC)
• Директива RoHS на территории Китая (Управление по контролю загрязнения, причиненного
электронными ИТ-продуктами (
))
• Директива RoHS на территории Вьетнама (30/2011/TT-BCT)
Вещества ограниченного пользования согласно каждой из норм указаны ниже.
Вещества
Порог
Состояние содержания*
Свинец и его соединения
1000 частей на миллион
❍
Ртуть и ее соединения
1000 частей на миллион
❍
Кадмий и его соединения
100 частей на миллион
❍
Соединения шестивалентного хрома
1000 частей на миллион
❍
Полибромдифенил (ПБД)
1000 частей на миллион
❍
Полибромдифениловые эфиры (ПБДЭ)
1000 частей на миллион
❍
* : Знак “❍” указывается для веществ, содержание которых ниже порогового.
16
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
■ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Номер детали
MB85R4002ANC-GE1
DS501-00006-3v0-R
Корпус
Форма поставки
Минимальный
объем поставки
48-контактный
пластмассовый TSOP
(FPT-48P-M48)
Лоток
1
17
MB85R4002A
■ РАЗМЕРЫ КОРПУСА
Шаг между
контактами
0,50 мм
Ширина корпуса ×
Длина корпуса
12,00 мм × 12,40 мм
Форма выводов
Gullwing
Метод
герметизации
Пластиковая штамповка
48-контактный пластмассовый TSOP
Высота монтажа
1,20 мм МАКС
Масса
0,36 г
(FPT-48P-M48)
48-контактный пластмассовый TSOP Примечание 1) # : Пластиковые выступы. (С каждой стороны : +0,15 (,006) Макс)
Примечание 2) * : Данные размеры не включают пластиковые выступы.
(FPT-48P-M48)
Примечание 3) Ширина и толщина контактов включают толщину металлизации.
Примечание 4) Ширина контактов не включает остаток от обрезки поперечных соединений.
0,10± 0,05 (,004±,002)
(НОЖКА)
1
48
0,50(,020)
ИНДЕКС
#12,00± 0,10
(,472± ,004)
+0,05
0,22 –0,04
(,009 +,002
–,002 )
24
0,10(,004)
M
25
1,13± 0,07 (,044±,003)
(ВЫСОТА МОНТАЖА)
Подробности участка А
14,00± 0,20(,551± ,008)
*12,40± 0,10(,488± ,004)
0,25(,010)
+0,05
0,145 –0,03
(,006 +,002
–,001 )
C
18
0,08(,003)
2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F48048Sc-1-1
A
0,60± 0,15
(,024± ,006)
0~8
Размеры в мм (дюймах).
Примечание: Значения в скобках приведены для справки.
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
■ МАРКИРОВКА
[MB85R4002A-GE1]
JAPAN
MB85R4002A
1150 E00
E1
[FPT-48P-M48]
DS501-00006-3v0-R
19
MB85R4002A
■ ФОРМА ПОСТАВКИ
1. Лоток
1.1 Размеры лотка
TSOP48, 56 (I)
Максимальная вместимость тары
Код корп.
шт./лоток
128
шт./внутр.кор. шт./внеш.кор.
1280
322,6
315
15 × 19,0 = 285
15
15
8-БЕЗ ОТВЕРСТИЙ
5120
7,62
1,27
7 × 14,9 = 104,3
135,9
15,8
FPT-48P-M48
25,4
13,564
12,2
10
8
1,27
1
1 1
1
10
R4,7
19
15,8
1 1
8
0,9
1,27
1
0,9
1,27
1,27
7,62
7,62
1
2
1,27
15,564
14,2
11,8
10
15
C
25,4
255,3
2
34,3
SEC.A-A
5
B
A
0,76
C3
2,54
A
15,8
B
14,9
SEC.B-B
2002-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED TSOP (1) 12 x 14 : JHB-TS1-1214-1-D-3
(Размеры в мм)
Материал: проводящий полифенилен-эфир
Температура жаростойкости: 125 °C МАКС
Масса: 133 г
20
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
1.2 Спецификации жесткой ЛОТКОВОЙ упаковки IEC (JEDEC)
Продукт (микросхема)
Лоток
Метка
Микросхема
Скошенный угол
Лоток
Гигрометр
*5
Сиккатив *5
Жесткая
упаковка
↓
Внутренняя
коробка
Этикетка I *1*4*5
Термошов
*5
Обвязывающая
лента
Занятый лоток +
один пустой лоток
Алюминиевый
ламинированный пакет *5
Подкладка *5
Внутренняя коробка *5
Обвязывающая лента *5
Этикетка I *1*4*5
Подкладка *5
Внешняя
коробка
Внешняя коробка *2*3*5
Используйте клейкую ленту. *5
Этикетка II-A *4*5
Этикетка II-B *4*5
*1: Если номер детали продукта указывается с суффиксом “E1”, знаки “ G
обозначения наличия влагозащитного пакета и внутренних коробок.
Pb
” используются для
*2: Размер внешней коробки зависит от количества внутренних коробок.
*3: Свободное пространство внешней коробки заполняется пустыми внутренними коробками,
смягчающими подкладками и т.д.
*4: См. прилагаемый лист с информацией об идентификационных этикетках.
*5: Упаковочные материалы, кроме лотка, могут незначительно отличаться цветом и размерами от
указанных, в зависимости от страны производства.
Примечание: Спецификации упаковки могут отличаться от указанных выше, если продукт поставляется
через дистрибьютора.
DS501-00006-3v0-R
21
MB85R4002A
1.3 Идентификационные этикетки продукта
Этикетка I: Этикетка на внутренней коробке и влагозащитном пакете (клеится на бобину для
профильной ленты)
[Этикетка C-3 (50 мм x 100 мм), вспомогательная этикетка (20 мм x 100 мм)]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
Этикетка C-3
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
Перфорация
Вспомогательная
этикетка
Этикетка II-A: Этикетка на внешней коробке [Этикетка D] (100 мм x 100 мм)
Этикетка D
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number + Product quantity bar code)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(FJ control number bar code)
Этикетка II-B: Идентификация на внешней коробке продукта
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
Примечание: В зависимости от типа поставки “Этикетка II-A” и “Этикетка II-B” на внешних коробках могут
не печататься.
22
DS501-00006-3v0-R
MB85R4002A
1.4 Размеры тары
(1) Размеры внутренней коробки
В
Ш
Д
Д
Ш
В
165
360
75
(Размеры в мм)
(2) Размеры внешней коробки
В
Ш
Д
Д
Ш
В
355
385
195
(Размеры в мм)
DS501-00006-3v0-R
23
MB85R4002A
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome,
Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
Tel: +81-45-415-5858
http://jp.fujitsu.com/fsl/en/
Для получения дополнительной информации обращайтесь:
North and South America
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC.
1250 E. Arques Avenue, M/S 333
Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A.
Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999
http://us.fujitsu.com/micro/
Asia Pacific
FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.
151 Lorong Chuan,
#05-08 New Tech Park 556741 Singapore
Tel : +65-6281-0770 Fax : +65-6281-0220
http://sg.fujitsu.com/semiconductor/
Europe
FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH
Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany
Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122
http://emea.fujitsu.com/semiconductor/
FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.
30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District,
Shanghai 201204, China
Tel : +86-21-6146-3688 Fax : +86-21-6146-3660
http://cn.fujitsu.com/fss/
Korea
FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.
902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fsk/
FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.
2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,
Shatin, N.T., Hong Kong
Tel : +852-2736-3232 Fax : +852-2314-4207
http://cn.fujitsu.com/fsp/
Спецификации могут изменяться без предварительного уведомления. Для получения дополнительной информации
обращайтесь в соответствующие отделения Компании.
Все права сохранены.
Компания FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, ее дочерние и аффилированные компании (совместно именуемые FUJITSU SEMICONDUCTOR)
оставляет за собой право без уведомления вносить изменения в информацию, содержащуюся в этом документе. Просим связаться с торговым
представителем FUJITSU SEMICONDUCTOR перед тем как заказывать приборы производства FUJITSU SEMICONDUCTOR.
Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе описание функций и примеры цепей, приведены исключительно для сведения в отношении
примеров функционирования и применения приборов производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. FUJITSU SEMICONDUCTOR не принимает на себя
никаких гарантий, ни явных, ни подразумеваемых, в отношении этой информации, включая, но не ограничиваясь гарантии качества, точности, работы,
нормального функционирования прибора, а также ненарушения прав третьих лиц. В случае разработки на основе указанной информации оборудования или
продукции, в которой используется прибор FUJITSU SEMICONDUCTOR, пользователь несет полную ответственность в связи с использованием указанной
информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший в результате или в связи с указанной
информацией или ее использованием.
Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе общие сведения о работе и примеры электрических схем, описывает обычную работу и методы
использования полупроводниковых приборов, и не гарантирует работы в оборудовании, используемом на практике. Лица, использующие указанную
информацию при проектировании аппаратуры, несут самостоятельную ответственность за использование указанной информации. FUJITSU
SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственность за любой ущерб, причиненный вследствие использования указанной информации.
Настоящий документ не может рассматриваться как предоставляющий право пользования или реализации в отношении принадлежащих FUJITSU
SEMICONDUCTOR или третьим лицам патентных прав, авторских прав, других прав на результаты интеллектуальной деятельности и иных прав в
отношении продукции, указанной в настоящем документе, а также технической информации, включающей в себя общие сведения о работе и изображения
электрических схем. Кроме того, FUJITSU SEMICONDUCTOR не предоставляет гарантий возможности пользования правами на результаты
интеллектуальной деятельности и другими правами, принадлежащими третьим лицам. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет ответственности за
нарушение прав на результаты интеллектуальной деятельности и других прав третьих лиц, вследствие использования настоящего документа.
Продукция, указанная в настоящем документе разработана и изготовлена для обычного промышленного использования, использования в обычном
делопроизводстве, для личного и семейного использования и другого обычного использования. Указанная продукция не предназначена для использования
в целях, требующих крайне высокую степень безопасности, связанных с серьезным непосредственным риском для жизни и здоровья людей в случае
необеспечения указанной степени безопасности (например, управление ядерной реакцией на объектах атомной энергетики, управления полетами
летательных аппаратов, управления воздушным движением, управления системами крупнотоннажных грузовых перевозок, медицинское оборудование для
поддержания жизнедеятельности, управление пуском ракет в системах военного назначения и т. д. ), а также в целях, требующих крайне высокую степень
надежности (например, подводные ретрансляторы, космические спутники и т. д.). Просим обращаться в торговые представительства FUJITSU
SEMICONDUCTOR в случае, если рассматривается возможность использования нашей продукции в указанных выше целях. FUJITSU SEMICONDUCTOR
не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший при использования нашей продукции без предварительной консультации с нами.
В полупроводниковых приборах имеется некоторая степень вероятности поломки или сбоя в работе. При использовании продукции FUJITSU
SEMICONDUCTOR, в том числе продукции, указанной в настоящем документе, пользователь несет самостоятельную ответственность за обеспечение
безопасности, в том числе путем использования резервных систем, пожаробезопасности, защиты от перепадов напряжения, защиты от ошибок, с тем, чтобы
даже в случае возникновения поломки или сбоя в работе полупроводниковой аппаратуры производства FUJITSU SEMICONDUCTOR не причинялось вреда
жизни и здоровью, не возникало техногенных инцидентов, инцидентов, представляющих общественную угрозу.
Продукция, указанная в настоящем документе, а также техническая информация, содержащаяся в настоящем документе, подпадают под действие Закона
Японии о валютном регулировании и контроле над внешней торговлей, и могут подпадать под действие законодательства о регулировании экспорта и
импорта США и других стран. Вы несете ответственность за соблюдение законодательства об экспорте и реэкспорте продукции и технической информации,
указанной в настоящем документе.
Все фирменные наименования, названия товарных брендов и зарегистрированные товарные знаки принадлежат соответствующим правообладателям.
Подготовлено к печати: Отделом стимулирования сбыта